【技术实现步骤摘要】
一种带互锁控制的全桥DC
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DC变换脉宽调制信号驱动电路
[0001]本技术涉及电子电路
，尤其涉及一种带互锁控制的全桥 DC
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DC变换脉宽调制信号驱动电路。
技术介绍
[0002]随着国家5G移动通信高速发展，通信设备负载的供电质量要求越来越高，从而对通信电源系统中整流器模块的输出功率与效率要求越来越高。全桥DC
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DC变换电路在整流器模块设计中应用的越来越普遍，替换功率不够的半桥DC
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DC变换电路设计，要求全桥变换的4个MOSFET管更安全有效工作，需要更加可靠有效的栅极PWM控制信号参与才能实现。死区时间控制是全桥 DC
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DC变换电路设计的关键，普通的全桥DC
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DC变换脉宽调制控制电路不能解决上下桥臂的MOS管互锁导通与关断，导致上下桥臂的MOS管相互影响，进而影响整个电路的可靠性，因此，需要设计一种新型带互锁控制的全桥 DC
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DC变换脉宽调制信号驱动电路可以达到要求。
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种带互锁控制的全桥DC
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DC变换脉宽调制信号驱动电路，其特征在于:包括输入互锁整形电路、半桥变换驱动电路和输出驱动电路，四路PWM信号对应接入所述输入互锁整形电路的四个输入端，所述输入互锁整形电路的四个输出端分别与所述半桥变换驱动电路的四个输入端对应电连接，所述半桥变换驱动电路的四个输出端与输出驱动电路的四个输入端对应电连接，所述输出驱动电路输出四路PWM驱动信号。2.根据权利要求1所述的带互锁控制的全桥DC
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DC变换脉宽调制信号驱动电路，其特征在于:所述输入互锁整形电路包括两个输入互锁整形单元，每个所述输入互锁整形单元包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电容C1、电容C2、MOS管Q1、MOS管Q2和二极管D1，所述电阻R1的一端和电阻R5的一端分别接入一路PWM信号，所述电阻R1的另一端与所述半桥变换驱动电路的一个输入端电连接，所述电阻R1的另一端通过所述电容C1接地，所述电阻R1的另一端与所述二极管D1的2号引脚电连接，所述电阻R1的另一端与所述MOS管Q1的漏极电连接，所述MOS管Q1的源极接地，所述MOS管Q1的栅极与源极之间电连接有所述电阻R3，所述电阻R4的一端和电阻R2的一端分别接入另一路PWM信号，所述电阻R2的另一端与所述MOS管Q1的栅极电连接，所述电阻R4的另一端与所述半桥变换驱动电路的另一个输入端电连接，所述电阻R4的另一端与地之间电连接有所述电容C2，所述电阻R4的另一端与所述二极管D1的1号引脚电连接，所述二极管D1的3号引脚接地，所述电阻R4的另一端与所述MOS管Q2的漏极电连接，所述MOS管Q2的源极接地，所述MOS管Q2的栅极与源极之间电连接有所述R6，所述电阻R5的另一端与所述MOS管Q2的栅极电连接。3.根据权利要求2所述的带互锁控制的全桥DC
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DC变换脉宽调制信号驱动电路，其特征在于:所述半桥变换驱动电路包括两个半桥变换驱动单元，每个所述半桥变换驱动单元包括电阻R7、电容C3、电容C4、电容C5、二极管D2、二极管D3和半桥变换驱动芯片U1，所述半桥变换驱动芯片U1的高边驱动逻辑输入端和低边驱动逻辑输入端分别与对应的所述输入互锁整形单元的两个输出端电连接，所述半桥变换驱动芯片U1的逻辑地端接地，所述半桥变换驱动芯片U1的低边返回端接地，所述半桥变换驱动芯片U1的逻辑地端与低边返回端之间电连接有所述电容C3，所述半桥变换驱动芯片U1的低边驱动输出端与所述输出驱动电路的低边输入端电连接，所述半桥变换驱动芯片U1的低边逻辑电源端与电源+12VD电连接，所述半桥变换驱动芯片U1的低边逻辑电源端与地之间电连接所述电容C5，所述半桥变换驱动芯片U1的高边浮动电源返回端与高边浮动电源端之间电连接有所述电容C4，所述半...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐培宏，刘新华，苟伟，田正德，袁红武，涂思梦，何小辉，邓芸，李星，田建伟，赵勇，黄泽成，
申请(专利权)人：武汉洲际电讯科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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