一种用于晶体拉制时的晶体冷却装置制造方法及图纸

一种用于晶体拉制时的晶体冷却装置，本发明专利技术通过保温板对晶体冷却机构的表面进行保温，有效的避免了挥发物因冷凝现象附着在晶体冷却机构的下面和侧壁上，本发明专利技术在实现避免挥发物粘附在晶体冷却机构上的同时，由于保温板的保温作用，避免了因晶体冷却机构下面的低温对其对应坩埚区域的降温，防止晶体冷却机构带走过多的温度，起到了降低加热能耗的作用等，同时，由于保温板的保温作用，使晶体冷却机构内冷却介质的冷却效果完全作用在晶体上提拉孔内孔壁上，进而提高对拉制晶体的冷却效果，实现晶体的快速结晶，起到了提高晶体拉制速度的目的等，适合大范围的推广和应用。适合大范围的推广和应用。适合大范围的推广和应用。

【技术实现步骤摘要】
一种用于晶体拉制时的晶体冷却装置
[0001]

[0002]本专利技术涉及人工晶体制备
，尤其涉及一种晶体冷却装置，具体涉及一种用于晶体拉制时的晶体冷却装置。

技术介绍

[0003]已知的，在提高晶体拉制效率方面，如何提高晶体的拉制速度是其中的关键技术之一，以多/单晶硅制备为例，多/单晶硅在整个生产过程中，直径为8mm～12mm的柱状硅棒使用量非常大，在实际生产过程中，发现柱状硅棒制备过程中出现的余料，不小心折断的硅棒，多/单晶硅生产企业在切割、破碎等工艺阶段产生的碎料等处理非常繁琐，很多企业为了图省事，直接将上述碎料丢弃或者长期堆放在仓库中，还有一些企业将上述碎料进行回收，通过直拉炉拉制成硅棒，然后通过多线切割机将硅棒切成复数根尺寸为8mm*8mm或10mm*10mm的柱状硅棒，这样不仅增加了柱状硅棒的生产成本，在切割过程中还增加了杂质引入，在降低产品质量的同时，还造成了较大的资源浪费等，那么如何将碎硅料进行再利用就成了本领域技术人员的长期技术诉求。
[0004]专利技术人通过检索发现，采用直拉法拉制硅棒的技术已经非常成熟，并在人本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于晶体拉制时的晶体冷却装置，包括上法兰（3）、下法兰（5）、晶体冷却管（7）、冷却介质通道和保温板（30），其特征是：在所述上法兰（3）与下法兰（5）之间设有复数个晶体冷却管（7），在晶体冷却管（7）的外围设有冷却介质通道，所述冷却介质通道的进口通过管道连接冷却源，冷却介质通道的出口通过管道连接冷却介质回收机构，在下法兰（5）的下面设有保温板（30）；或在下法兰（5）的下方设有冷却盘（25），在冷却盘（25）的下面设有保温板（30）形成所述的用于晶体拉制时的晶体冷却装置。2.根据权利要求1所述的用于晶体拉制时的晶体冷却装置，其特征是：所述冷却盘（25）的中部设有空腔（24），在所述空腔（24）内设有复数个固定柱（26），在每个固定柱（26）上分别设有晶体提拉孔（27），空腔（24）分别连通出水管（23）和进水管（28），所述出水管（23）和进水管（28）连通冷却介质通道。3.根据权利要求1所述的用于晶体拉制时的晶体冷却装置，其特征是：所述下法兰（5）或冷却盘（25）的下面由外向内设有至少一级向上凹陷的台阶形成阶梯面，在每级阶梯面上分别设置一圈晶体下穿孔（9）或晶体提拉孔（27）。4.根据权利要求1所述的用于晶体拉制时的晶体冷却装置，其特征是：所述保温板（30）为平板型结构，在保温板（30）上设有复数个穿孔（3001），每个穿孔（3001）分别对应下法兰（5）上的晶体下穿孔（9）或冷却盘（25）上的晶体提拉孔（27），保温板（30）的外形尺寸大于或等于下法兰（5）或冷却盘（25）的外形尺寸。5.根据权利要求1所述的用于晶体拉制时的晶体冷却装置，其特征是：所述保温板（30）为平板型结构时，在保温板（30）的上面由外向内设有至少一级向上凸起的阶梯台阶（3003），所述阶梯台阶（3003）与下法兰（5）或冷却盘（25）下面的阶梯面对应配合。6.根据权利要求1所述的用于晶体拉制时的晶体冷却装置，其特征是：所述保温板（30）的替换结构形式为在保温板（30）的中部设置向下凹陷的凹槽形成桶型结构，在保温板（30）上设有复数个穿孔（3001），每个穿孔（3001）分别对应下法兰（5）上的晶体下穿孔（9）或冷却盘（25）上的晶体提拉孔（27），所述凹槽的内缘面与下法兰（5）或冷却盘（25）的外缘面为间隙配合或过盈配合。7.根据权利要求6所述的用于晶体拉制时的晶体冷却装置，其特征是：所述下法兰（5）或冷却盘（25）的外缘面与凹槽的内缘面间隙配合时，在间隙处设有保温填充物（32）。8.根据权利要求6所述的用于晶体拉制时的晶体冷却装置，其特征是：所述保温板（30）设置为桶型结构时，在保温板（30）的上面由外向内设有至少一级向上凸起的阶梯台阶（3003），所述阶梯台阶（3003）与下法兰（5）或冷却盘（25）下面的阶梯面对应配合。9.根据权利要求1所述的用于晶体拉制时的晶体冷却装置，其特征是：所述冷却介质通道设置的第一结构为在上法兰（3）与下法兰（5）之间设置连接筒（4），在所述连接筒（4）内设有复数个晶体冷却管（7），每个晶体冷却管（7）的上端分别连接设置在上法兰（3）上的晶体上穿孔（1），每个晶体冷却管（7）的下端分别连接设置在下法兰（5）上的晶体下穿孔（9），由连接筒（4）的内缘面与上法兰（3）下端面、下法兰（5）上端面之间的空腔形成冷却介质通道，在上法兰（3）上分别设有出水口（2）和进水口（6），所述出水口（2）和进水口（6）分别形成冷却介质通道的进口和出口。10.根据权利要求1所述的用于晶体拉制时的晶体冷却装置，其特征是：所述冷却介质通道设置的第二结构为在每个晶体冷却管（7）的外围分别套接套管（13），每个套管（13）的
上端头分别连通设置在上法兰（3）中部的进水腔（11），每个套管（13）的下端头分别连通设置在下法兰（5）中部的集水腔（16），由套管（13）的内缘面与晶体冷却管（7）的外缘面之间的冷却腔（12）、进水腔（11）和集水腔（16）形成冷却介质通道，所述进水腔（11）连通进水口（6），所述集水腔（16）通过回水管（14）连接出水口（2），所述出水口（2）和进水口（6）分别形成冷却介质通道的进口和出口。11.根据权利要求1所述的用于晶体拉制时的晶体冷却装置，其特征是：所述冷却介质通道设置的第三结构为在每个晶体冷却管（7）的外...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭李梁，朱振业，
申请(专利权)人：朱振业，
类型：发明
国别省市：