【技术实现步骤摘要】
一种光电化学机械抛光装置及材料高效去除调整方法
[0001]本专利技术涉及晶片超精密加工领域,特别涉及一种光电化学机械抛光装置及材料高效去除调整方法。
技术介绍
[0002]第三代半导体材料,氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)因其具有禁带宽度大,被广泛应用于高性能器件,GaN的应用依赖于其原子级粗糙度的表面加工质量。
[0003]化学机械抛光作为目前唯一可以实现全局平坦化的加工方式,氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)抛光的加工,虽然能够保证较好的表面质量,但由于晶体材料硬度大、化学惰性强,造成了晶体材料去除率极低。除此之外,中国专利技术专利CN201811537196.2《一种半导体晶片光电化学机械抛光加工装置》提出了一种光电化学机械抛光,虽然能够提高氮化镓(GaN)的材料去除率,但是晶片化学氧化速度与机械去除速度难以协调控制,无法实现晶片材料去除的最大化。
[0004]因此,如何实现第三代半导体氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)的高质高效加工,是目前第三代半导体氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)广泛应用的急需解决的问题。
技术实现思路
[0005]针对上述问题,本专利技术要提供一种光电化学机械抛光装置及材料高效去除调整方法,能够实现晶片材料去除的最大化。
[0006]为了实现上述目的,本专利技术的技术方案如下:
[0007]一种光电化学机械抛光装置,包括底座、工作台、水槽、龙门单元、抛光盘单元、工作主轴单元;所述抛光盘单元安装在龙门单元上,位于工作主轴单元上方;所述工 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种光电化学机械抛光装置,其特征在于:包括底座(1)、工作台(2)、水槽(42)、龙门单元(44)、抛光盘单元(45)、工作主轴单元(46);所述抛光盘单元(45)安装在龙门单元(44)上,位于工作主轴单元(46)上方;所述工作主轴单元(46)有两套,按左右方向并排安装在工作台(2)上,两套工作主轴单元(46)的真空吸盘(27)中心距离L小于抛光盘(19)的直径D减去2倍晶片(41)的直径d,即L<D
‑
2d;工作时,两套工作主轴分别吸附一片晶片(41),抛光盘(19)对晶片(41)施加压力,并左右移动,左右移动距离S<D
‑
L
‑
d;所述抛光盘单元(45)包括直线模组底座(11)、导轨II(12)、气缸(13)、气缸安装板(14)、浮动头(15)、滑台II(16)、加载板(17)、中空转台I(18)、抛光盘(19)、抛光盘防护罩(20)、导电滑环(21)、绝缘垫(22)、绝缘套(23)、紫外光灯(24)、抛光垫(25)、滑块II(26)、电化学工作站(38)、上位机(39)和比例阀(40);所述气缸(13)通过浮动头(15)与滑台II(16)固定连接,所述导电滑环(21)穿过加载板(17)、中空转台I(18)的中孔固定在抛光盘(19)顶部;所述抛光盘防护罩(20)固定在加载板(17)上,并且抛光盘防护罩(20)开有矩形孔,紫外光灯(24)固定在抛光盘防护罩(20)的矩形孔正上方;所述工作主轴单元(46)包括真空吸盘(27)、转接盘I(28)、压力传感器(29)、转接盘II(30)、气浮平台(31)、挡柱(32)、转接盘III(33)、中空转台II(34)、气电滑环(35)、旋转固定架(36)、固定架(37)和挡板(43);所述气浮平台(31)浮动部分通过转接盘II(30)与压力传感器(29)固定连接,压力传感器(29)通过转接盘I(28)与真空吸盘(27)固定连接;所述真空吸盘(27)的导电端子与气电滑环(35)连接,气电滑环(35)引出导线与电化学工作站(38)的工作电极连接作为阳极,压力传感器(29)经过气电滑环(35)与上位机(39)连接;所述气浮平台(31)浮动部分侧面具有挡柱(32),气浮平台(31)固定部分侧面具有限位孔,挡柱(32)在限位孔里,限位孔的尺寸大于挡柱(32)的尺寸;所述绝缘垫(22)完全覆盖中空转台I(18)转子连接面,绝缘套(23)隔绝连接中空转台I(18)的转子的螺栓与抛光盘(19),抛光盘(19)与导电滑环(21)连接,导电滑环(21)引出导线与电化学工作站(38)对电极连接作为阴极;导电多孔薄片与导电柱连接,导电柱贯穿真空吸盘(27)在真空吸盘(27)底部引出导电接线端子连接导线,导线与气电滑环(35)连接,气电滑环(35)引出导线与电化学工作站(38)工作电极连接作为阳极,电化学工作站(38)与上位机(39)连接;在加工时,真空吸盘(27)吸附晶片(41),抛光盘(19)在气缸(13)作用下进行压力加载,电流由电化学工作站(38)阳极流向气电滑环(35)、气电滑环(35)流向导电柱、导电柱流向真空吸盘(27...
【专利技术属性】
技术研发人员:康仁科,朱祥龙,张高振,董志刚,鲍岩,
申请(专利权)人:大连理工大学,
类型:发明
国别省市:
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