微型发光二极管显示面板制造技术

技术编号:35828903 阅读:15 留言:0更新日期:2022-12-03 13:57
本发明专利技术提供一种微型发光二极管显示面板。微型发光二极管显示面板包括多个像素结构。所述多个像素结构各包括至少一子像素。各个子像素包括第一微型发光芯片以及第二微型发光芯片。第一微型发光芯片具有第一发光面积,并依据第一操作电流区间发出对应于第一亮度区间的光。第二微型发光芯片具有小于第一发光面积的第二发光面积,并依据第二操作电流区间发出对应于第二亮度区间的光。第二亮度区间的灰阶值低于第一亮度区间的灰阶值。第一微型发光芯片以及第二微型发光芯片具有相同的发光颜色。第二微型发光芯片比第一微型发光芯片具有较小的亮度对电流曲线斜率。小的亮度对电流曲线斜率。小的亮度对电流曲线斜率。

【技术实现步骤摘要】
微型发光二极管显示面板


[0001]本专利技术涉及一种显示面板,尤其涉及一种微型发光二极管显示面板。

技术介绍

[0002]随着光电技术的演进,固态光源(如发光二极管)已广泛应用于各领域,例如道路照明、大型户外广告牌、交通号志灯等。近期更发展出一种微型发光二极管(Micro LED)显示面板,其以微型发光二极管作为显示面板中的子像素,使得每一个子像素都可以单独驱动发光。将这些可主动发光的微型发光二极管所发出的光束组合成图像的显示面板即为微型发光二极管显示面板。相较于非主动发光的显示面板,可主动发光的微型发光二极管显示面板具有较高的亮度、对比度、色彩饱和度等优点,因此在显示器的应用上备受期待。
[0003]此外,相较于有机发光二极管(OLED),微型发光二极管具有较高的寿命、可靠度以及较低的可稳定发光电流。因此,微型发光二极管可改善OLED以PWM低频调光来因应高电流发光时所造成的视觉闪频现象。
[0004]然而,由于微型发光二极管在尺寸微缩时伴随的一些技术问题,例如制程中的许多因素所造成微型发光二极管在结构上产生不同程度的缺陷,仍使得每个芯片的发光效能不一致。在一般的显示亮度下,发光效能不一致的问题可以藉由调整这些芯片的操作电流加以解决。然而当亮度需求极低时,微型发光二极管被设定在极低电流下操作,仍可能出现发光不稳定的现象。从显示面板的视觉体验而言,即是整体亮度不均匀的问题。因此,如何使微型发光二极管显示面板在极低电流下具备较高的亮度均匀性,是本领域技术人员的研究重点之一。

技术实现思路
/>[0005]本专利技术提供一种微型发光二极管显示面板,能够在低显示亮度下提高发光均匀性。
[0006]本专利技术的微型发光二极管显示面板包括多个像素结构。所述多个像素结构各包括至少一子像素。所述至少一子像素用以发出多个亮度区间的光。各所述至少一子像素包括第一微型发光芯片以及第二微型发光芯片。第一微型发光芯片具有第一发光面积,并依据第一操作电流区间发出对应于第一亮度区间的光。第二微型发光芯片具有小于第一发光面积的第二发光面积,并依据第二操作电流区间发出对应于第二亮度区间的光,且第二亮度区间的灰阶值低于第一亮度区间的灰阶值。第一微型发光芯片以及第二微型发光芯片具有相同的发光颜色,且当两者发光时,第二微型发光芯片比第一微型发光芯片具有较小的亮度对电流曲线斜率。
[0007]基于上述,微型发光二极管显示面板的子像素包括第一微型发光芯片以及第二微型发光芯片,且第一微型发光芯片的第一发光面积大于第二微型发光芯片的第二发光面积。如此一来,基于设定的灰阶值或亮度值,微型发光二极管显示面板的子像素能够利用第一微型发光芯片以及第二微型发光芯片提供不同亮度区间的光,从而提高微型发光二极管
显示面板的发光均匀性。
[0008]为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合所附附图作详细说明如下。
附图说明
[0009]图1是依据本专利技术一实施例所示出的微型发光二极管显示面板的示意图;
[0010]图2是依据本专利技术一实施例所示出的操作电流、亮度与线性区的关系示意图;
[0011]图3是依据本专利技术一实施例所示出的操作电流与亮度的关系示意图;
[0012]图4是依据图3所示出的操作电流与亮度对电流曲线斜率的关系示意图;
[0013]图5是依据本专利技术一实施例所示出的电流密度与外部量子效率的关系示意图;
[0014]图6是依据本专利技术一实施例所示出的子像素的示意图;
[0015]图7是依据本专利技术再一实施例所示出的子像素的示意图;
[0016]图8是依据本专利技术另一实施例所示出的微型发光二极管显示面板的示意图。
[0017]附图标记说明
[0018]100、200:微型发光二极管显示面板
[0019]A1、A2、A2

、A2”、A3:发光面积
[0020]CE1、CE2:EQE曲线
[0021]CR1、CR2、CR3:操作电流区间
[0022]CV1、CV2、CV3:曲线
[0023]LR1、LR2、LR3:线性区间
[0024]DR1、DR2:电流密度区间
[0025]DV1、DV2:基准值
[0026]IR1、IR2、IR3:亮度区间
[0027]LL1、LL2:电连接结构
[0028]P1、P2:像素结构
[0029]SG1、SG2:区段
[0030]SL1、SL2:亮度对电流曲线斜率
[0031]SP1、SP2、SP3:子像素
[0032]UC1、UC1

1、UC1

2、CU1

3:第一微型发光芯片
[0033]UC2、UC2

1、UC2

2、CU2

3:第二微型发光芯片
[0034]UC3:第三微型发光芯片
具体实施方式
[0035]本专利技术的部分实施例接下来将会配合附图来详细描述,以下的描述所引用的组件符号,当不同附图出现相同的组件符号将视为相同或相似的组件。这些实施例只是本专利技术的一部分,并未揭示所有本专利技术的可实施方式。更确切的说,这些实施例只是本专利技术的权利要求中的范例。
[0036]在附图中,各附图示出的是特定实施例中所使用的方法、结构或材料的通常性特征。然而,这些附图不应被解释为界定或限制由这些实施例所涵盖的范围或性质。举例来
说,为了清楚起见,各膜层、区域或结构的相对尺寸、厚度及位置可能缩小或放大。
[0037]本说明书或权利要求中提及的“第一”、“第二”等用语仅用以命名不同组件或区别不同实施例或范围,而并非用来限制组件数量上的上限或下限,也并非用以限定组件的制造顺序或设置顺序。
[0038]请参考图1与图2。图1是依据本专利技术一实施例所示出的微型发光二极管显示面板的示意图,图2是依据本专利技术一实施例所示出的操作电流、亮度与线性区的关系示意图。在本实施例中,微型发光二极管显示面板100至少包括像素结构P1。像素结构P1至少包括子像素SP1。像素结构P1被操作以发出多个亮度区间的光。
[0039]在本实施例中,子像素SP1包括第一微型发光芯片UC1以及第二微型发光芯片UC2。第一微型发光芯片UC1以及第二微型发光芯片UC2分别是微型发光二极管(Micro LED)芯片。第一微型发光芯片UC1具有发光面积A1。第一微型发光芯片UC1可依据图2中的第一操作电流区间CR1发出对应于第一亮度区间IR1的光。第二微型发光芯片UC2具有发光面积A2,且发光面积A2小于发光面积A1。第二微型发光芯片UC2可依据第二操作电流区间CR2发出对应于第二亮度区间IR2的光。第一微型发光芯片UC1以及第二微型发光芯片UC2具有相同的发光颜色。
[0040]如图2所示,在本实施例中,第一亮度区间IR1不同于第二亮度区间IR2,也就是两个亮度区本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微型发光二极管显示面板,其特征在于,所述微型发光二极管显示面板包括:多个像素结构,各包括至少一子像素,所述至少一子像素用以发出多个亮度区间的光,其中各所述至少一子像素包括:第一微型发光芯片,具有第一发光面积,经配置以依据一第一操作电流区间发出对应于第一亮度区间的光;以及第二微型发光芯片,具有小于所述第一发光面积的第二发光面积,经配置以依据一第二操作电流区间发出对应于第二亮度区间的光,且所述第二亮度区间的灰阶值低于所述第一亮度区间的灰阶值;其中所述第一微型发光芯片以及所述第二微型发光芯片具有相同的发光颜色;并且其中当发光时,所述第二微型发光芯片比所述第一微型发光芯片具有较小的亮度对电流曲线斜率。2.根据权利要求1所述的微型发光二极管显示面板,其特征在于,所述第一微型发光芯片在发光时的具有第一操作电流密度,所述第二微型发光芯片在发光时具有第二操作电流密度,且第二操作电流密度小于第一操作电流密度。3.根据权利要求2所述的微型发光二极管显示面板,其特征在于,所述第二微型发光芯片在发光时的外部量子效率低于所述第一微型发光芯片在发光时的外部量子效率。4.根据权利要求1所述的微型发光二极管显示面板,其特征在于:所述第一微型发光芯片在所述第一操作电流区间内的操作电流与亮度呈现线性正比关系;并且所述第二微型发光芯片在所述第二操作电流区间内的操作电流与亮度呈现线性正比关系。5.根据权利要求1所述的微型发光二极管显示面板,其特...

【专利技术属性】
技术研发人员:杨翔甯朱永祺林昶荣彭钰雅
申请(专利权)人:錼创显示科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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