【技术实现步骤摘要】
适用于宽电源电压范围的快速切换字线驱动电路
[0001]本专利技术涉及非易失存储器
,尤其涉及一种适用于宽电源电压范围的快速切换字线驱动电路。
技术介绍
[0002]半导体存储器主要分为易失性存储器和非易失性存储器,而最主流的非易失性存储器就是Flash闪速存储器,闪存又分为NOR Flash和NAND Flash,相比于主流的NAND FLASH,NOR Flash虽然有容量密度小、写入和擦除速度慢且价格高等缺点,但因其具备更快的读取速度、更强的可靠性和更长的使用寿命所以难以被市场淘汰,尤其因为近年来5G、物联网、蓝牙耳机、AMOLED屏幕和智能汽车等领域的快速发展,NOR Flash再一次受到重视。
[0003]NOR Flash存储器的写入和擦除操作都需要在NOR Flash存储单元的控制栅极和漏极施加偏压,使得电子能够注入或者抽出浮栅;而读操作是在控制栅极施加电压,可以通过沟道的开关状态作为判断“0”和“1”数据值的依据;在控制栅上施加的偏压叫做字线电压,在漏极施加的偏压叫做位线电压。
[000 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种适用于宽电源电压范围的快速切换字线驱动电路,其特征在于,包括工作模式和待机模式两种模式;所述的工作模式下的电路包括:工作模式电荷泵功率级、动态频率调制稳压电路、电源电压检测模块、快速切换预充模块、超低功耗电压基准源、电平移位电路1、电平移位电路2、电平传输电路、PMOS高压器件M1;工作模式电荷泵功率级,包括三级交叉耦合电荷泵和一级门控交叉耦合电荷泵,用于产生高压;动态频率调制稳压电路,依次包括压控振荡器、非交叠时钟产生电路模块、误差放大器EA以及电阻分压器R1、R2,用于将电荷泵产生的高压在所有的PVT下稳定且低纹波地输出;电源电压检测模块,依次包括电阻分压器R3、R4,比较器COM1,两级整流反相器和NMOS器件M2,用于检测输入电源电压并产生信号CP_ON和CP_OFF;快速切换预充模块,依次包括传输门,缓冲器buffer,RC延时电路,三个反相器和与非门,用于在待机模式恢复到工作模式的瞬间将采样点VFB_ACT预充到基准电压VREF;超低功耗电压基准源,为误差放大器EA和比较器COM1提供基准电压VREF;电平移位电路1,用于将电源电压检测模块产生的信号CP_ON和CP_OFF转换成高电平为Vwl的电压信号CP_ON_HV和CP_ON_LHV,来控制门控交叉耦合电荷泵和电平传输电路的通断;电平移位电路2,用于将使能信号ACT_EN和ACT_EN_L信号转换成高电平为Vwl的电压信号ACT_EN_HV和ACT_EN_LHV,ACT_EN_LHV信号来控制PMOS高压器件M1的通断;电平传输电路,受信号CP_ON_HV控制,用于传输前三级交叉耦合电荷泵的输出电压;PMOS高压器件M1,作为开关管受信号ACT_EN_LHV控制,用于通断电阻R1、R2支路的电流;所述的待机模式下的电路包括:待机模式电荷泵功率级、SKIP调制稳压电路、超低功耗电压基准源;待机模式电荷泵功率级,包括DICKSON电荷泵,用于产生高压;SKIP调制稳压电路,依次包括电流饥饿型振荡器、非交叠时钟产生电路、比较器COM2、减法计数器、整流反相器、或非...
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