一种提高MTP编程能力的工艺方法技术

本发明专利技术提供一种提高MTP编程能力的工艺方法，包括：提供具有MTP单元区域和NMOS区域的衬底，在衬底表面形成栅极；采用第一掩膜层覆盖所述NMOS区域，对MTP单元区域进行离子注入，形成MTP注入区和MTP源漏区，去除第一掩膜层；在所述栅极的两侧形成侧墙；采用第二掩膜层覆盖所述MTP单元区域，对NMOS区域进行离子注入，形成LDD斜打注入区和NMOS源漏区。本发明专利技术的工艺方法仅采用了两次掩膜，进行两次光刻，使工艺流程相对简化，成本降低，并且在LDD斜打注入时对MTP单元区域进行了掩膜保护，避免LDD斜打注入对MTP单元编程能力的影响，保证MTP单元的编程能力在较高水平。程能力在较高水平。程能力在较高水平。

【技术实现步骤摘要】
一种提高MTP编程能力的工艺方法


[0001]本专利技术属于半导体
，特别是涉及一种提高MTP编程能力的工艺方法。

技术介绍

[0002]多次可编程存储器(Multi
‑
Time Program Memory，MTP)，相比于单次可编程存储器(one time program memory，OTP)来说，具有可多次进行数据的存入、读取、抹除等动作，且存入的数据在断电后也不会消失的优点，已逐渐成为个人电脑、电子设备、移动存储等领域所广泛采用的一种存储器器件。
[0003]现有技术中，常规的制作MTP的流程如下：1)提供具有MTP单元区域和NMOS区域的衬底，在衬底上形成栅极(Gate)；2)用掩膜覆盖MTP单元区域，仅对NMOS进行注入形成NLDD(N型轻掺杂漏区)；3)用掩膜覆盖NMOS区域，仅对MTP单元区域进行注入，形成MTP注入区；4)在所述栅极的两侧制作侧墙；5)对NMOS区域和MTP单元区域同时进行注入，形成源漏注入区。
[0004]考虑到以上方法复杂，技术人员对该流程进行了简化，减版的工艺如下本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提高MTP编程能力的工艺方法，其特征在于，所述工艺方法至少包括：1)提供具有MTP单元区域和NMOS区域的衬底，在所述衬底表面形成栅极；2)采用第一掩膜层覆盖所述NMOS区域，对所述MTP单元区域进行离子注入，形成MTP注入区和MTP源漏区，去除所述第一掩膜层；3)在所述栅极的两侧形成侧墙；4)采用第二掩膜层覆盖所述MTP单元区域，对所述NMOS区域进行离子注入，形成LDD斜打注入区和NMOS源漏区。2.根据权利要求1所述的提高MTP编程能力的工艺方法，其特征在于：所述步骤2)中，先在步骤1)获得的结构表面形成全覆盖的第一掩膜层，然后采用光刻和显影技术，图形化所述第一掩膜层，使所述第一掩膜层仅覆盖所述NMOS区域，暴露出所述MTP单元区域以对所述MTP单元区域进行离子注入。3.根据权利要求1所述的提高MTP编程能力的工艺方法，其特征在于：所述步骤4)中，先在步骤3)获得的结构表面形成全覆盖的第...

【专利技术属性】
技术研发人员：王乐平，隋建国，郑书红，尤鸿朴，康轶瑶，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：