半导体存储装置制造方法及图纸

在半导体存储装置中，ROM存储单元(M00)包括设置在位线(62)和接地电源布线(61)之间且具有纳米片(11)作为沟道区域的纳米片FET。ROM存储单元(M01)包括设置在位线(64)和接地电源布线(63)之间且具有纳米片(12)作为沟道区域的纳米片FET。纳米片(11)的X方向上的靠近纳米片(12)的面从栅极布线(31)露出，纳米片(12)的X方向上的靠近纳米片(11)的面从栅极布线(32)露出。露出。露出。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体存储装置


[0001]本公开涉及一种包括纳米片(纳米线)FET(Field Effect Transistor，场效应晶体管)的半导体存储装置，特别涉及一种使用纳米片FET的掩模ROM(Read Only Memory，只读存储器)的布局构造。

技术介绍

[0002]掩模ROM包括被排列成阵列状的存储单元，掩模ROM制造成如下：各存储器单元被编程为具有固定的数据状态。构成存储单元的晶体管设置在位线和VSS之间，字线与栅极相连。根据源极或漏极与位线或VSS的连接的有无，存储比特数据“1”/“0”。连接的有无例如是通过触点、过孔的有无来实现的。
[0003]LSI的基本构成要素即晶体管通过缩小栅极长度(scaling：按比例缩小)而实现了集成度的提升、工作电压的降低以及工作速度的提升。然而，近年来，出现的问题是过度地按比例缩小会引起截止电流，截止电流又会引起功耗显著增大。为解决该问题，人们已开始积极对将晶体管构造从现有的平面型改变为立体型的立体构造晶体管进行研究。纳米片(纳米线)FET作为其中之一备受瞩目。
>[0004]在非专本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体存储装置，包括在第一方向上相邻的第一ROM(Read Only Memory，只读存储器)存储单元和第二ROM存储单元，其特征在于：包括：在所述第一方向上延伸的字线；在与所述第一方向垂直的第二方向上延伸的第一位线和第二位线；以及在所述第二方向上延伸的第一接地电源布线和第二接地电源布线，所述第一ROM存储单元包括第一纳米片FET(Field Effect Transistor，场效应晶体管)，所述第一纳米片FET设置在所述第一位线和所述第一接地电源布线之间，且具有第一纳米片作为沟道区域，所述第二ROM存储单元包括第二纳米片FET，所述第二纳米片FET设置在所述第二位线和所述第二接地电源布线之间，且具有第二纳米片作为沟道区域，所述字线包括第一栅极布线和第二栅极布线，所述第一栅极布线包围所述第一纳米片的在所述第一方向以及第三方向上的外周，所述第三方向垂直于所述第一方向和所述第二方向，所述第二栅极布线包围所述第二纳米片的在所述第一方向和所述第三方向上的外周，所述第一ROM存储单元根据所述第一纳米片FET的节点与所述第一位线及所述第一接地电源布线的连接关系来存储第一数据，所述第二ROM存储单元根据所述第二纳米片FET的节点与所述第二位线及所述第二接地电源布线的连接关系来存储第二数据，所述第一纳米片和所述第二纳米片在所述第一方向上彼此相向，并且，所述第一纳米片的所述第一方向上的靠近所述第二纳米片的面从所述第一栅极布线露出，所述第二纳米片的所述第一方向上的靠近所述第一纳米片的面从所述第二栅极布线露出。2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：所述第一位线和所述第二位线、以及所述第一接地电源布线和所述第二接地电源布线在所述第一方向上以等间距布置。3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：所述字线包括栅极连接部，所述栅极连接部形成在所述第一栅极布线和所述第二栅极布线之间，且连接所述第一栅极布线和所述第二栅极布线。4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：所述第一纳米片FET由在所述第二方向上相邻布置且共享源极的两个纳米片FET构成，所述第二纳米片FET由在所述第二方向上相邻布置且共享源极的两个纳米片FET构成。5.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：所述第一纳米片和所述第二纳米片由一张片状构造或俯视时重叠的多张片状构造构成。6.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：所述第一ROM存储单元根据所述第一纳米片FET的漏极与所述第一位线的连接的有无、或者所述第一纳米片FET的源极与所述第一接地电源布线的连接的有无来存储第一数据，所述第二ROM存储单元根据所述第二纳米片FET的漏极与所述第二位线的连接的有无、或者所述第二纳米片FET的源极与所述第二接地电源布线的连接的有无来存储第二数据。
7.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：所述第一ROM存储单元根据所述第一纳米片FET的源极和漏极的连接目的地是所述第一位线和所述第一接地电源布线中的相同的线还是不同的线来存储第一数据，所述第二ROM存储单元根据所述第二纳米片FET的源极和漏极的连接目的地是所述第二位线和所述第二接地电源布线中的相同的线还是不同的线来存储第二数据。8.一种半导体存储装置，包括ROM(Read Only Memory，只读存储器)存储单元，其特征在于：包括：在第一方向上延伸的字线；在与所述第一方向垂直的第二方向上延伸的位线；以及在所述第二方向上延伸的接地电源布线，所述ROM存储单元包括：设置在所述位线和所述接地电源布线之间且具有第一纳米片作为沟道区域的第一纳米片FET；以及设置在所述位线和所述接地电源布线之间且具有第二纳米片作为沟道区域的第二纳米片FET，所述第一纳米片FET和所述第二纳米片FET在所述第一方向上相邻，所述第一纳米片FET和所述第二纳米片FET的漏极彼此连接，所述第一纳米片FET和所述第二纳米片FET的源极彼此连接，所述字线包括第一栅极布线和第二栅极布线，所述第一栅极布线包围所述第一纳米片的在所述第一方向以及第三方向上的外周，所述第三方向垂直于所述第一方向和所述第二方向，所述第二栅极布线包围所述第二纳米片的在所述第一方向和所述第三方向上的外周，所述ROM存储单元根据所述第一纳米片FET和所述第二纳米片FET的节点与所述位线及所述接地电源布线的连接关系来存储数据，所述第一纳米片和所述第二纳米片在所述第一方向上彼此相向，并且，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：酒井康充，
申请(专利权)人：株式会社索思未来，
类型：发明
国别省市：