一种双SIM卡移动电话制造技术

本实用新型专利技术公开了一种双ＳＩＭ卡移动电话。技术要点是在ＳＩＭ卡联接器旁并装一个在ＳＩＭ卡联接器；在Ｐ型场效应开关管旁并装一个Ｐ型场效应开关管；在ＳＩＭ卡联接器、Ｐ型场效应开关管与外部联接的信号线，即ＳＩＭ－ＶＣＣ、ＳＩＭ－ＲＳＴ、ＳＩＭ－ＣＬＫ、ＳＩＭ－ＤＡＴ和ＶＤＩＧ之间串接一个高速电子转换开关；由ＣＰＵ发出的信号，通过高速电子转换开关，实现双卡和双电源的转换。该产品能降低手机使用费用，消除网络盲区，减少因忘交费而被停机的尴尬。（*该技术在2010年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种双ＳＩＭ卡移动电话，包括射频电路，逻辑／音频电路，接口电路和键盘扫描电路，并通过逻辑／音频电路中的中央处理器ＣＰＵ和ＳＩＭ卡电路，对输入、输出的信号进行识别和处理，其特征在于所述的移动电话在ＳＩＭ卡联接器旁还并装了一个ＳＩＭ卡联接器；在Ｐ型场效应开关管旁还并装了一个Ｐ型场效应开关管；在ＳＩＭ卡联接器、Ｐ型场效应开关管与外部联接的信号线，即ＳＩＭ－ＶＣＣ、ＳＩＭ－ＲＳＴ、ＳＩＭ－ＣＬＫ、ＳＩＭ－ＤＡＴ和ＶＤＩＧ之间串接一个高速电子转换开关；由ＣＰＵ发出的信号，通过高速电子转换开关，实现双卡和双电源的转换。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：沈卓礼，沈芳泽，
申请(专利权)人：沈卓礼，
类型：实用新型
国别省市：53[中国|云南]