一种低成熟度烃源岩最佳脱气温度确定方法技术

本发明专利技术公开了一种低成熟度烃源岩最佳脱气温度确定方法，涉及石油与天然气储层岩石预处理领域。基于制作的标准小直径岩心，开展常规80℃下的干燥处理，对干燥处理后岩心开展蒸馏水饱和下的核磁共振T2谱测试以及干燥岩心的低温氮气吸附测试；对干燥处理后标准小直径岩心分别开展马弗炉不同加热温度的48h干燥处理，进行干燥处理后的饱和蒸馏水核磁共振T2谱测试及低温氮气吸附测试；针对获取的不同加热温度下饱和蒸馏水样品的核磁共振T2谱曲线和低温氮气孔隙结构曲线，采用差值法与80℃下相应曲线进行对比，以不同加热温度下，基于核磁共振技术评价以及低温氮气吸附技术评价均表现为最小差异性变化所对应的加热温度作为低成熟度烃源岩最佳脱气温度。成熟度烃源岩最佳脱气温度。成熟度烃源岩最佳脱气温度。

【技术实现步骤摘要】
一种低成熟度烃源岩最佳脱气温度确定方法


[0001]本专利技术涉及石油与天然气预处理领域，更具体的说是涉及一种低成熟度烃源岩最佳脱气温度确定方法。

技术介绍

[0002]低成熟度烃源岩具有水分含量高和挥发份含量高的典型特点，且低成熟度烃源岩微观孔隙结构非均质性强，准确获取低成熟度烃源岩的微观孔隙结构特征，对于判断低成熟度烃源岩储层质量至关重要。低温氮气吸附以及二氧化碳吸附是确定微观孔隙结构特征的最为常用手段，在进行相关实验测试时，对样品进行合适脱气温度下的脱气处理对于最终准确获取微观孔隙结构特征最为重要。石油天然气行业标准《SY/T 6154
‑
1995》建议脱气温度100℃
‑
300℃，国家标准《GB/T 19587
‑
2017》中也未说明具体脱气温度，美国石油学会推荐的最佳脱气温度为110℃，但样品脱气时间长，且110℃无法完全脱出煤中的吸附水。已有学者研究表明，不同脱气温度下低成熟度烃源岩孔隙结构将发生不同变化，这与不同脱气温度下低成熟度烃源岩中挥发性物质的析出以及水分的挥发导致的孔隙结构动态变化密切相关。利用脱气温度对低成熟度烃源岩进行脱气处理的主要目的是为了去除低成熟度烃源岩中的自由水和吸附水，而不改变低成熟度烃源岩中挥发份物质的分布状态和含量。已有研究表明，低成熟度烃源岩脱气温度应控制在150℃以下，且不同脱气温度下样品脱气处理均采用小粒径煤样展开。小粒径煤样在制作过程中，由于人为破坏，势必增加了煤样的比表面积，其在脱气处理过程中会加大挥发分的析出，进而导致微观孔隙结构测试失真。因此，采用一定的技术方法去除低成熟度烃源岩中的水分且同时保留其中的挥发分，并尽可能的减少由于样品颗粒粒径导致的挥发分析出对于准确表征低成熟度烃源微观孔隙结构特征就显得极为重要。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本专利技术提供了一种低成熟度烃源岩最佳脱气温度确定方法。
[0004]为了实现上述目的，本专利技术采用如下技术方案：
[0005]一种低成熟度烃源岩最佳脱气温度确定方法，包括以下步骤：
[0006]S1：分别制作直径25mm、长度50mm的标准岩心若干块；
[0007]S2：将获取的标准岩心置于80℃的烘箱中烘干48h，并对烘干后低成熟度烃源岩进行干燥条件下的核磁共振T2谱测试，获取核磁共振第一T2谱曲线；
[0008]S3：将干燥后岩心采用抽真空饱和装置使用蒸馏水进行饱和，并对饱和后岩心再次进行核磁共振T2谱测试，获取饱和蒸馏水后岩心核磁共振第二T2谱曲线；
[0009]S4：将第一T2谱曲线和第二T2谱曲线，采用差值法，获取低成熟度烃源岩初始孔隙分布的核磁共振第三T2谱曲线；
[0010]S5：将S3中的饱和蒸馏水岩心置于80℃的烘箱中烘干48h，采用实验室标准筛分法制作60
‑
80目的颗粒煤样，将制作好的颗粒煤样置于低温氮气吸附实验脱气站中开展室温
条件下的脱气处理，脱气处理时间2h，随后对脱气处理后样品开展低温氮气吸附测试，获取低温氮气吸附/脱附测试曲线以及孔径表征曲线；
[0011]S6：取出一块80℃的烘箱中烘干48h后的标准岩心，置于马弗炉中，设置马弗炉加热温度为90℃，在马弗炉中加热48h，并对加热后标准岩心开展加热后饱和蒸馏水后核磁共振T2谱测试，获取核磁共振第四T2谱曲线，并将第四T2谱曲线与第一T2谱曲线进行差值计算获取90℃下低成熟度烃源岩孔隙分布的核磁共振第五T2谱曲线，将第五T2谱曲线和第三T2谱曲线进行差值计算；
[0012]S7：对S6获取的马弗炉加热温度为90℃下的饱和蒸馏水岩心，采用S5相同的样品处理方法，获取马弗炉加热温度为90℃下的低温氮气吸附/脱附测试曲线以及孔径表征曲线；
[0013]S8：将S2获取的干燥岩心置于马弗炉中，分别采用不同的加热温度(100℃、110℃、120℃、130℃、140℃、140℃和150℃)，在马弗炉中加热48h，并对加热后标准岩心开展加热后饱和蒸馏水后核磁共振T2谱测试，并将获取的不同加热温度下核磁共振曲线与第一T2谱曲线进行差值计算，并将差值后获取的核磁共振曲线和第三T2谱曲线进行差值计算，以差值法获取的最小差异性变化所对应的加热温度作为基于核磁共振技术评价下烃源岩最佳脱气温度；
[0014]S9：对S8获取的不同加热温度下标准岩心，采用S5相同的样品处理方法，获取不同马弗炉加热温度下的低温氮气吸附/脱附测试曲线以及孔径表征曲线；
[0015]S10：将不同加热温度下获取的低温氮气吸附/脱附曲线和孔径表征曲线与80℃下低温氮气吸附/脱附测试曲线以及孔径表征曲线进行差值法处理，以差值法获取的最小差异性变化所对应的加热温度作为低温氮气吸附技术评价下烃源岩最佳脱气温度；
[0016]S11：综合上述步骤，将基于核磁共振技术评价以及低温氮气吸附技术评价下均表现为最小差异性变化所对应的加热温度作为低成熟度烃源岩最佳脱气温度。
[0017]可选的，制作标准岩心若干块在同一块全直径岩心上获取。
[0018]可选的，S4中的差值计算公式如下：
[0019]T
2(80p)
＝T
2(sat)
‑
T
2(80d)
ꢀꢀ
(1)
[0020]式中，T
2(sat)
为马弗炉加热温度80℃核磁共振横向弛豫时间下饱和蒸馏水样品的振幅强度；T
2(80d)
为马弗炉加热温度80℃核磁共振横向弛豫时间下干燥样品的振幅强度；T
2(80p)
为马弗炉加热温度80℃核磁共振横向弛豫时间下样品孔隙分布的振幅强度。可选的，S8和S10中以差值法获取的最小差异性变化所对应的加热温度作为烃源岩最佳脱气温度，计算公式如下：
[0021]D
v(i)
＝100*(P
v(i)
‑
P
v(80)
)/P
v(80)
ꢀꢀ
(2)
[0022]式中，D
v(i)
为不同马弗炉加热温度下核磁共振孔隙表征参数差异性或不同马弗炉加热温度下低温氮气吸附孔隙表征参数差异性；P
v(i)
为不同马弗炉加热温度i下核磁共振孔隙表征参数差异性或不同马弗炉加热温度i下低温氮气吸附孔隙表征参数；P
v(80)
为马弗炉加热温度80℃下核磁共振孔隙表征参数差异性或马弗炉加热温度80℃下低温氮气吸附孔隙表征参数。
[0023]经由上述的技术方案可知，与现有技术相比，本专利技术公开提供了一种低成熟度烃源岩最佳脱气温度确定方法，具有以下有益效果：
[0024]1、本专利技术避免了直接采用颗粒煤样进行脱气温度处理时造成的表面积增加导致的孔隙结构参数测试失真现象，其获取的孔径表征参数相较于传统低温氮气吸附有明显提升；
[0025]2、本专利技术采用核磁共振技术和低温氮气吸附相本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低成熟度烃源岩最佳脱气温度确定方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：分别制作直径25mm、长度50mm的标准岩心若干块；S2：将获取的标准岩心置于80℃的烘箱中烘干48h，并对烘干后低成熟度烃源岩进行干燥条件下的核磁共振T2谱测试，获取核磁共振第一T2谱曲线；S3：将干燥后岩心采用抽真空饱和装置使用蒸馏水进行饱和，并对饱和后岩心再次进行核磁共振T2谱测试，获取饱和蒸馏水后岩心核磁共振第二T2谱曲线；S4：将第一T2谱曲线和第二T2谱曲线，采用差值法，获取低成熟度烃源岩初始孔隙分布的核磁共振第三T2谱曲线；S5：将S3中的饱和蒸馏水岩心置于80℃的烘箱中烘干48h，采用实验室标准筛分法制作60
‑
80目的颗粒煤样，将制作好的颗粒煤样置于低温氮气吸附实验脱气站中开展室温条件下的脱气处理，脱气处理时间2h，随后对脱气处理后样品开展低温氮气吸附测试，获取低温氮气吸附/脱附测试曲线以及孔径表征曲线；S6：取出一块80℃的烘箱中烘干48h后的标准岩心，置于马弗炉中，设置马弗炉加热温度为90℃，在马弗炉中加热48h，并对加热后标准岩心开展加热后饱和蒸馏水后核磁共振T2谱测试，获取核磁共振第四T2谱曲线，并将第四T2谱曲线与第一T2谱曲线进行差值计算获取90℃下低成熟度烃源岩孔隙分布的核磁共振第五T2谱曲线，将第五T2谱曲线和第三T2谱曲线进行差值计算；S7：对S6获取的马弗炉加热温度为90℃下的饱和蒸馏水岩心，采用S5相同的样品处理方法，获取马弗炉加热温度为90℃下的低温氮气吸附/脱附测试曲线以及孔径表征曲线；S8：将S2获取的干燥岩心置于马弗炉中，分别采用不同的加热温度，在马弗炉中加热48h，并对加热后标准岩心开展加热后饱和蒸馏水后核磁共振T2谱测试，并将获取的不同加热温度下核磁共振曲线与第一T2谱曲线进行差值计算，并将差值后获取的核磁共振曲线和第三T2谱曲线进行差值计算，以差值法获取的最小差异性变化所对应的加热温度作为基于核磁共振技术评价下烃源岩最佳脱气温度；S9：对S8获取的不同加热温度下标准岩心，采用S5相同的样品处理方法，获取不同马弗炉加热温度下的低温氮气吸附/脱附测试曲线以及孔径表征曲线；S10：将不同加热温度下获取的低温氮气吸附/脱附曲线和孔径表征曲线与80℃下低温氮气吸附/脱附测试曲线以及孔径表...

【专利技术属性】
技术研发人员：李腾，高辉，王琛，程志林，
申请(专利权)人：西安石油大学，
类型：发明
国别省市：