比较器制造技术

本公开的实施例提供一种比较器，包括：两个第一电流源、两个第二电流源、第一电压跟随电路、第二电压跟随电路、第一压差控制电路、第二压差控制电路，其中，第一电压跟随电路的输出端连接第二压差控制电路的输出端；第二电压跟随电路的输出端连接第一压差控制电路的输出端。本公开的实施例以交叉耦合结构为核心，通过直流输入电压的正反馈来决定比较结果，解决了现有高压比较器其内部MOS管都需使用高压MOS管，占用芯片面积大、消耗静态电流多，同时输出电压偏向高压上轨或者下轨，不方便下级电路处理的问题。路处理的问题。路处理的问题。

【技术实现步骤摘要】
比较器


[0001]本公开的实施例涉及集成电路
，具体地，涉及比较器。

技术介绍

[0002]随着半导体技术的发展，比较器广泛应用于几乎所有的行业当中。如图1所示，为现有常用的一种比较器100的电路图，其中，VP和VN分别表示为比较器的电源端和虚拟地端。(V+)和(V
‑
)分别代表正向输入电压和负向输入电压，当V+和(V
‑
)的电压差较高时，为了防止晶体管烧坏，需要将电路中的MOS管都设置为高压管(MOS管的耐压大于5.5V)，另外，现有的比较器的电路结构会导致输出的压差也比较大，即输出压差会偏向高压上轨(VP)或者下轨(VN)。
[0003]从上述分析可以看到，现有的应用于高压的比较器内部MOS管都需使用高压MOS管，这样会产生占用芯片面积大、消耗静态电流多的问题；另外，输出电压偏向高压上轨或者下轨，使输出摆幅较大，不方便下级电路处理。

技术实现思路

[0004]本文中描述的实施例提供了一种比较器，为了解决现有的应用于高压的比较器，占用芯片面积大、消耗静态电流多、输出摆幅较大，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种比较器，其特征在于，所述比较器包括：两个第一电流源、两个第二电流源、第一电压跟随电路、第二电压跟随电路、第一压差控制电路、第二压差控制电路，其中，所述第一电压跟随电路，被配置为接收第一输入电压，还用于跟随第一输入电压，得到第一跟随电压，所述第一电压跟随电路的输出端通过第一个第二电流源后与接地端连接，所述第一电压跟随电路的输出端还连接所述第二压差控制电路的输出端；所述第二电压跟随电路，被配置为接收第二输入电压，还用于跟随第二输入电压，得到第二跟随电压，所述第二电压跟随电路的输出端通过第二个第二电流源后与接地端连接，所述第二电压跟随电路的输出端还连接所述第一压差控制电路的输出端；所述第一压差控制电路，被配置为控制第一跟随电压与第二跟随电压的压差，所述第一压差控制电路通过第一个第一电流源接收所述第一输入电压，所述第一压差控制电路与所述第一电压跟随电路相连；所述第二压差控制电路，被配置为控制第一跟随电压与第二跟随电压的压差，所述第二压差控制电路通过第二个第一电流源接收所述第二输入电压，所述第二压差控制电路与所述第二电压跟随电路相连。2.根据权利要求1所述的比较器，其特征在于，所述第一电压跟随电路包括第一高压晶体管，所述第一高压晶体管的第一极与所述第一输入电压的输入端连接；所述第一高压晶体管的第二极为所述第一电压跟随电路的输出端，输出第一跟随电压；所述第一高压晶体管的控制极分别连接所述第一压差控制电路中第一低压晶体管的第一极、所述第一低压晶体管的控制极。3.根据权利要求2所述的比较器，其特征在于，所述第二电压跟随电路包括第二高压晶体管，所述第二高压晶体管的第一极与所述第二输入电压的输入端连接；所述第二高压晶体管的第二极为所述第二电压跟随电路的输出端，输出第二跟随电压；所述第二高压晶体管的控制极分别连接所述第二压差控制电路中第四低压晶体管的第一极、所述第四低压晶体管的控制极。4.根据权利要求3所述的比较器，其特征在于，所述第一压差控制电路包括：所述第一低压晶体管、第一压差控制模块，所述第一低压晶体管的第一极为所述第一压差控制电路的输入端，所述第一低压晶体管的第二极与所述第一压差控制模块连接；所述第一压差控制模块，被配置为由n1个低压晶体管串联组成，所述第一压差控制模块的输出端作为所述第一压差控制电路的输出端，其中，n1大于或等于1。5.根据权利要求4所述的比较器，其特征在于，所述第二压差控制电路包括：所述第四低压晶体管、第二压差控制模块，所述第四低压晶体管的第二极为所述第二压差控制电路的输入端，所述第四低压晶体管的第二极与所述第二压差控制模块连接；所述第二压差控制模块，被配置为由n2个低压晶体管串联组成，所述第二压差控制模块的输出端作为所述第二压差控制电路的输出端，其中，n2大于或等于1。6.根据权利要求5所述的比较器，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：李伯轩，于翔，
申请(专利权)人：骏盈半导体上海有限公司，
类型：发明
国别省市：