半导体集成电路制造技术

本发明专利技术提供一种半导体集成电路，其利用现有的晶体管的动作，使用在半导体集成电路内形成的电阻，低成本且高精度地判定电流。电流驱动电路具有根据控制信号从电压线汲取电流的第1晶体管，作为电压线的电压的变化输出数据。检测向电压线供给的电流的电流检测电路具有：第1电阻元件及第2电阻元件，其与电压线连接的电阻值彼此相同；第2晶体管，其与第1电阻元件连接，为第1晶体管的尺寸的N分之一，且由栅极接收控制信号；电流源，其与第2电阻元件连接，且流过向电压线供给的所期望的电流的N分之一的基准电流；以及比较器，其通过比较第1电阻元件的电压与第2电阻元件的电压，来判定是否向所述电压线供给了所述所期望的电流。所述电压线供给了所述所期望的电流。所述电压线供给了所述所期望的电流。

【技术实现步骤摘要】
半导体集成电路


[0001]本专利技术涉及半导体集成电路。

技术介绍

[0002]提出了一种异常监视电路，其通过将由基准电压电路生成的基准电压与基于由基准电流电路生成的基准电流而生成的阈值电压进行比较，来监视基准电压是否正常(例如，参照专利文献1)。
[0003]另外，已知有利用将火灾探测器等从机与接收机等主机连接的电源供给线，由主机检测来自从机的传输电流的方法。例如，主机基于在没有传输电流流过的空闲定时流过的负载电流来生成基准电压，通过比较器对所生成的基准电压和基于传输电流生成的电压进行比较，来检测传输电流(例如，参照专利文献2、3)。
[0004]专利文献1：日本特开2015
‑
207201号公报
[0005]专利文献2：国际公开第2010/038480号
[0006]专利文献3：国际公开第2010/038476号

技术实现思路

[0007]然而，例如利用电阻将电流转换为电压并将转换后的电压与基准电压进行比较来判定向负荷电路供给的电源电流等电流是否充分。在半导体集成电路内形成电压转换用的电阻的情况下，由于半导体制造工艺的变动而电阻值产生偏差，因此与基准电压的比较的精度降低。在使用分流电阻等外置部件的情况下，电阻的偏差变少，与基准电压的比较的精度提高。然而，在使用外置部件的情况下，成本增加，可靠性降低。
[0008]所公开的技术的目的在于，利用半导体集成电路内的现有的晶体管的动作，并使用在半导体集成电路内形成的电阻以低成本且高精度判定电流。<br/>[0009]为了解决上述技术问题，本专利技术的一个方式的半导体集成电路具有电流驱动电路和电流检测电路，所述电流驱动电路具有根据由栅极接收的控制信号而从供给电压的电压线汲取电流的第1晶体管，并输出数据作为所述电压线的电压的变化，所述电流检测电路检测向所述电压线供给的电流，所述电流检测电路具有：第1电阻元件和第2电阻元件，其一端分别与所述电压线连接，且电阻值彼此相同；第2晶体管，其与所述第1电阻元件的另一端连接，晶体管尺寸为所述第1晶体管的尺寸的N分之一，由栅极接收所述控制信号；电流源，其与所述第2电阻元件的另一端连接，流过向所述电压线供给的所期望电流的N分之一的基准电流；以及比较器，其通过将在第1输入处接收的所述第1电阻元件的另一端的电压与在第2输入处接收的所述第2电阻元件的另一端的电压进行比较，来判定是否向所述电压线供给了所述所期望的电流。
[0010]利用半导体集成电路内的现有的晶体管的动作，并且使用在半导体集成电路内形成的电阻，能够以低成本且高精度判定电流。
附图说明
[0011]图1是表示本专利技术的半导体集成电路的第一实施方式的电路图。
[0012]图2是表示图1的半导体集成电路的动作的一例的波形图。
[0013]图3是表示本专利技术的半导体集成电路的第二实施方式的电路图。
[0014]符号说明
[0015]10 电流驱动电路
[0016]12 基准电压生成电路
[0017]20、30 电流检测电路
[0018]40 调节器
[0019]42 基准电压生成电路
[0020]100、102 半导体集成电路
[0021]110 发送电路
[0022]120 控制部
[0023]200 电流负荷电路
[0024]ACTH、ACTL 激活信号
[0025]AMP1、AMP2 放大器
[0026]AOUT1、AOUT2 控制信号
[0027]BUF 缓冲部
[0028]CMP 比较结果信号
[0029]CMP1、CMP2 比较器
[0030]CS1、CS2 电流源
[0031]DATA 数据
[0032]DIV1、DIV2 分压电压
[0033]IREF 基准电流
[0034]IV11、IV12 反相器
[0035]NM11、NM12、NM13、NM14 n 沟道晶体管
[0036]PM21、PM22 p 沟道晶体管
[0037]R11、R12、R13、R14、R15 电阻元件
[0038]R21、R22、R23、R24 电阻元件
[0039]SIO 串行输入输出端子
[0040]Va、Vb 电压
[0041]VIN 输入电压线
[0042]VOUT 输出电压线
[0043]VREF 基准电压。
具体实施方式
[0044]以下，参照附图对实施方式进行说明。以下，对传递电压的电压线、端子及节点使用与电压名或电流名相同的符号，对传递信号的信号线、端子及节点使用与信号名相同的符号。在各附图中，对相同的结构部分标注相同的符号，有时省略重复的说明。
[0045](半导体集成电路的第一实施方式)
[0046]图1是表示本专利技术的半导体集成电路的第一实施方式的电路图。图1所示的半导体集成电路100具有发送电路110和控制部120。发送电路110具有电流驱动电路10和电流检测电路20。例如，半导体集成电路100具有如下功能：通过经由电源线VCC从未图示的主机供给的电源电压VCC进行动作，利用电源线VCC的电压的变化向主机发送数据DATA等信息。利用因从电源线VCC汲取电流而降低的电源电压VCC与不从电源线VCC汲取电流时的电源电压VCC的电位差，将数据DATA等信息发送给主机。即，半导体集成电路100输出数据作为电源线VCC的电压的变化。电源线VCC是电压线的一例。
[0047]电流驱动电路10具有电阻元件R11、R12、反相器(inverter)IV11、IV12、n沟道晶体管NM11、NM12、NM13、基准电压生成电路12以及放大器AMP1。电流检测电路20具有电阻元件R13、R14、n沟道晶体管NM14、电流源CS1及比较器CMP1。n沟道晶体管NM13是第一晶体管的一例，n沟道晶体管NM14是第二晶体管的一例。电阻元件R13是第一电阻元件的一例，电阻元件R14是第二电阻元件的一例。以下，也将n沟道晶体管简称为晶体管。此外，n沟道晶体管NM11、NM12是开关的一例。也可代替n沟道晶体管NM11、NM12而分别设置在控制端子接收到高电平时导通(ON)的开关。此外，也可以代替n沟道晶体管NM11、NM12而设置电阻值根据控制端子接受的电压而变化的可变电阻元件。
[0048]在电流驱动电路10中，反相器IV11输出使数据DATA的逻辑反相而得到的激活信号ACTH。反相器IV12输出将激活信号ACTH的逻辑反相而得到的激活信号ACTL。激活信号ACTH被输出到放大器AMP1，激活信号ACTL被供给至晶体管NM12的栅极。
[0049]在通过电流驱动电路10从电源线VCC引入电流时，激活信号ACTH、ACTL与数据DATA的低电平对应地分别被设定为高电平、低电平。在不从电源线VCC引入电流时，激活信号ACTH、ACTL与数据DATA的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体集成电路，其具有电流驱动电路和电流检测电路，所述电流驱动电路具有根据由栅极接收的控制信号而从被供给电压的电压线汲取电流的第1晶体管，并输出数据作为所述电压线的电压的变化，所述电流检测电路检测向所述电压线供给的电流，其特征在于，所述电流检测电路具有：第1电阻元件和第2电阻元件，其一端分别与所述电压线连接，且电阻值彼此相同；第2晶体管，其与所述第1电阻元件的另一端连接，晶体管尺寸为所述第1晶体管的尺寸的N分之一，由栅极接收所述控制信号；电流源，其与所述第2电阻元件的另一端连接，流过向所述电压线供给的所期望电流的N分之一的基准电流；以及比较器，其通过将在第1输入处接收的所述第1电阻元件的另一端的电压与在第2输入处接收的所述第2电阻元件的另一端的电压进行比较，来判定是否向所述电压线供给了所述所期望的电流。2.根据权利要求1所述的半导体集成电路，其特征在于，所述电流驱动电路还具有：分压电路，其对所述电压线的电压进行分压而生成分压电压；基准电压生成电路，其生成与在所述电压线为与低电平值的所述数据对应的电压时所述分压电路生成的分压电压相同的值作为基准电压；以及放大器，其对所述分压电压和所述基准电压进行差动放大，生成向所述第1晶体管的栅极供给的所述控制信号。3.根据权利要求2所述的半导体集成电路，其特征在于，所述半导体集成电路具有在不向所述电压线输出低电平值的所述数据时，停止所述分压电路、所述放大器以及所述电流...

【专利技术属性】
技术研发人员：濑川智贵，
申请(专利权)人：三美电机株式会社，
类型：发明
国别省市：