一种高精度保护电路制造技术

本实用新型专利技术公开了过流保护领域内的一种高精度保护电路，包括调整管M0，调整管M0的漏极与输出端Vout相连，调整管M0的源级和栅极均与过流保护电路相连，过流保护电路分别与负反馈电路和折回电路相连；利用过流保护电路反应输出电流的变化，通过负反馈电路确保过流保护电路对输出电流的采样精确度，提高电路可靠性，并且由这回电路降低过流关断功耗，本实用新型专利技术可以用于过流保护。新型可以用于过流保护。新型可以用于过流保护。

【技术实现步骤摘要】
一种高精度保护电路


[0001]本技术涉及过流保护领域内的保护电路。

技术介绍

[0002]过流保护是为了把输出电流限制在一个固定范围内，在输出短路或者过载时对整个系统或者负载进行保护。但是现有技术中的保护电路往往存在一些可靠性、过流关断功耗等问题，尤其是大功率负载的情况下，压降损失更严重，并且过流发生时，电路仅仅通过调整管将电流限定在一定值内，但是仍然存在较大的功耗。

技术实现思路

[0003]本技术的目的是提供一种高精度保护电路，提高电路可靠性，有效降低过流关断功耗。
[0004]为实现上述目的，本技术提供了一种高精度保护电路，包括调整管M0，调整管M0的漏极与输出端Vout相连，调整管M0的源级和栅极均与过流保护电路相连，过流保护电路分别与负反馈电路和折回电路相连。
[0005]与现有技术相比，本技术的有益效果在于，利用过流保护电路反应输出电流的变化，通过负反馈电路确保过流保护电路对输出电流的采样精确度，提高电路可靠性，并且由这回电路降低过流关断功耗，本技术可以用于过流保护。
[0006]作为本技术的进一步改进，过流保护电路包括比较器、MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3以及电阻R0，比较器的正极与基准电压源相连，比较器的的负极分别与MOS管M3的源级和电阻R0相连，电阻R0接地，MOS管M3的漏极分别与MOS管M2的漏极以及负反馈电路相连，MOS管M2的源级分别与MOS管M1的源级和输出端Vin相连，MOS管M1的栅极与比较器的输出端相连，MOS管M1的源级与调整管M0的源级相连，调整管M0的栅极分别与MOS管M1的漏极和MOS管M2的栅极相连。
[0007]这样通过MOS管M2对通过调整管M0的电流进行取样，通过M2的漏电流反映出输出电流的变化，当输出电流增大到一定值时，M0的栅极电位拉高，进而将输出电流限定在较小的范围内，进行起到过流保护的作用。
[0008]作为本技术的进一步改进，负反馈电路包括放大器、电阻R1和电阻R2，放大器的正极与MOS管M3的漏极相连，放大器的负极分别与输出端Vout和电阻R1相连，电阻R1和电阻R2串接，电阻R2与折回电路相连，放大器的输出端与MOS管M3的栅极相连。
[0009]当输出端Vout的电压降低时，M3栅极电位升高，进而A点电位下降，反之亦然，负反馈电路使得A点电位随着输出电压的变化而变化，确保了M2对流过M0的电流的精确采样，提高过流保护的可靠性。
[0010]作为本技术的进一步改进，折回电路包括MOS管M4、MOS管M5、MOS管M6、MOS管M7 、MOS管M8、电阻R3和电阻R4；MOS管M4的源级和MOS管M5的源级均与输入端Vin相连，电阻R4连接在MOS管M4的源级和栅极之间，MOS管M5的栅极分别与MOS管M4的漏极和调整管M0的
栅极相连，MOS管M5的漏极与MOS管M6的源极相连，MOS管M6的栅极与输出端Vout相连，MOS管M6的漏极分别与MOS管M7的栅极和MOS管M8的栅极相连， MOS管M7的源级与电阻R3相连，电阻R3与电阻R2相连，MOS管M7的栅极与MOS管M8的栅极相连，MOS管M8的源级与MOS管M6的栅极相连，MOS管M8的漏极与MOS管M4的栅极相连。
[0011]这样，通过折回电路，在过流发生时，使得输出电流随着输出端厊的降低而降低，进而实现将流过M0的电流进行减小的目的，从而降低电路的功耗。
附图说明
[0012]图1为本技术电路图。
具体实施方式
[0013]下面结合附图对本技术进一步说明：
[0014]如图1所示的一种高精度保护电路，包括调整管M0，其特征在于：调整管M0的漏极与输出端Vout相连，调整管M0的源级和栅极均与过流保护电路相连，过流保护电路分别与负反馈电路和折回电路相连。
[0015]过流保护电路包括比较器、MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3以及电阻R0，比较器的正极与基准电压源相连，比较器的的负极分别与MOS管M3的源级和电阻R0相连，电阻R0接地，MOS管M3的漏极分别与MOS管M2的漏极以及负反馈电路相连，MOS管M2的源级分别与MOS管M1的源级和输出端Vin相连，MOS管M1的栅极与比较器的输出端相连，MOS管M1的源级与调整管M0的源级相连，调整管M0的栅极分别与MOS管M1的漏极和MOS管M2的栅极相连。
[0016]负反馈电路包括放大器、电阻R1和电阻R2，放大器的正极与MOS管M3的漏极相连，放大器的负极分别与输出端Vout和电阻R1相连，电阻R1和电阻R2串接，电阻R2与折回电路相连，放大器的输出端与MOS管M3的栅极相连。
[0017]折回电路包括MOS管M4、MOS管M5、MOS管M6、MOS管M7 、MOS管M8、电阻R3和电阻R4；MOS管M4的源级和MOS管M5的源级均与输入端Vin相连，电阻R4连接在MOS管M4的源级和栅极之间，MOS管M5的栅极分别与MOS管M4的漏极和调整管M0的栅极相连，MOS管M5的漏极与MOS管M6的源极相连，MOS管M6的栅极与输出端Vout相连，MOS管M6的漏极分别与MOS管M7的栅极和MOS管M8的栅极相连， MOS管M7的源级与电阻R3相连，电阻R3与电阻R2相连，MOS管M7的栅极与MOS管M8的栅极相连，MOS管M8的源级与MOS管M6的栅极相连，MOS管M8的漏极与MOS管M4的栅极相连。
[0018]本技术中，MOS管M2对通过调整管M0的电流进行取样，因此MOS管M2的漏电流反映了输出电流的变化，其中在正常状态下电阻R0上的压降要小于基准电压源的基准电压，比较器输出高电平，MOS管M1，截止，调整管M0的栅极电位由输出电压决定，当输出的电流达到一定值时，R0上的压降要大于基准电压，则比较器输出低电平，MOS管M1导通，把调整管M0的栅极电位拉高，从而将输出电流限定在较小的值，实现过流保护的目的。
[0019]为了确保MOS管M2能够对输出电流的精确取样，增加放大器、电阻R1和电阻R2组成负反馈电路，当输出端Vout的电压降低时，MOS管M3的栅极电位升高，进而A点电位下降，反之亦然，负反馈电路使得A电电位随着输出电压的变化而变化，确保了MOS管M2对流过M0的电流的精确采样，提高过流保护的可靠性。
[0020]为了降低电路的功耗，增加了MOS管M4、MOS管M5、MOS管M6、MOS管M7 、MOS管M8、电阻R3和电阻R4组成的折回电路，由MOS管M5对流过调整管M0的电流进行取样，同时为了确保精度，需要将MOS管M6尽量做大；在正常状态下，MOS管M8的栅极电压要小于MOS管M8的源级电压，此时MOS管M8截止，该支路电流为零，这样MOS管M4也截止；当发生过流时，过流保护电路先工作，在输出端的输出电压降到一定值时，MOS管M8的栅极电压要大于MOS管M8的源级电压，此时MOS管M8导通，这样电阻R4的压降使得MOS管M本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高精度保护电路，包括调整管M0，其特征在于：调整管M0的漏极与输出端Vout相连，调整管M0的源级和栅极均与过流保护电路相连，过流保护电路分别与负反馈电路和折回电路相连。2.根据权利要求1所述的一种高精度保护电路，其特征在于：过流保护电路包括比较器、MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3以及电阻R0，比较器的正极与基准电压源相连，比较器的负极分别与MOS管M3的源级和电阻R0相连，电阻R0接地，MOS管M3的漏极分别与MOS管M2的漏极以及负反馈电路相连，MOS管M2的源级分别与MOS管M1的源级和输出端Vin相连，MOS管M1的栅极与比较器的输出端相连，MOS管M1的源级与调整管M0的源级相连，调整管M0的栅极分别与MOS管M1的漏极和MOS管M2的栅极相连。3.根据权利要求2所述的一种高精度保护电路，其特征在于：负反馈电路包括放大器、电阻R1和电阻R2，放大器的正极与MOS管M3的漏极相连，放大...

【专利技术属性】
技术研发人员：葛家军，赵顺元，
申请(专利权)人：宝应隆之昌电气机械有限公司，
类型：新型
国别省市：