碳化硅晶片检查装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及检测设备技术领域，公开了一种碳化硅晶片检查装置，包括箱体(10)、设置于所述箱体(10)内的光源(60)以及设置于所述光源(60)上方的晶片架(40)，所述晶片架(40)设置有能够放置晶片的晶片放置位(41)，所述光源(60)发出的光能够透过所述晶片放置位(41)照射到晶片底面。通过上述技术方案，晶片可放置于晶片放置位后再开启光源对晶片进行检测，防止手持或通过工具长时间夹持晶片对其造成的损伤，减少对晶片的污染，同时，光源可根据需求发出不同波长的光线以针对不同类型的晶片或者晶片的不同特性进行检测，减少对晶片的转移。移。移。

【技术实现步骤摘要】
碳化硅晶片检查装置


[0001]本技术涉及检测设备
，具体地涉及一种碳化硅晶片检查装置。

技术介绍

[0002]碳化硅(SiC)是第三代化合物半导体材料。半导体产业的基石是芯片，制作芯片的核心材料按照历史进程分为：第一代半导体材料(大部分为目前广泛使用的高纯度硅)，第二代化合物半导体材料(砷化镓、磷化铟)，第三代化合物半导体材料(碳化硅、氮化镓)。碳化硅因其优越的物理性能：高禁带宽度(对应高击穿电场和高功率密度)、高电导率、高热导率，将是未来最被广泛使用的制作半导体芯片的基础材料。
[0003]目前比较突出的问题就是，依然不能以一个规范化的程序连续稳定的制造出大块的高质量单晶。主要原因是不能完全消除各种因素造成的结构缺陷，比如裂纹、包裹物、平面六方空洞以及异晶型(多型体)等，因为这些缺陷的存在使得其优良特性难以发挥。所以研究这些缺陷，并能在生长过程中进行有效的控制，对于提高SiC晶体质量是非常重要的。故SiC研究的重点依然是分析缺陷形成原因和途径并能准确简单快捷的表征出缺陷，从而减少甚至消除缺陷，提高SiC单晶质量上。
[0004]为研究上述缺陷，通常需要将碳化硅晶体切片，磨抛后进行精确表征，因为碳化硅晶体切片硬而脆，且要求不能有脏污，所以对其测试时需要在保证洁净的前提下，尽量减少移动保证防止损坏。
[0005]现有检测方法主要为通过强光以及紫外光进行照射样品时进行目视检测，每片晶片单独先强光灯下观察裂纹，崩边，包裹物和平面六方空洞再放回晶片盒，对于半绝缘型碳化硅需要再移动到紫外灯下观察多型体；既耗时又增加晶片移动带来损坏风险。

技术实现思路

[0006]本技术的目的是为了克服现有技术存在的晶片检查不便，易造成晶片损伤的问题，提供一种碳化硅晶片检查装置
[0007]为了实现上述目的，本技术一方面提供一种碳化硅晶片检查装置，包括箱体、设置于所述箱体内的光源以及设置于所述光源上方的晶片架，所述晶片架设置有能够放置晶片的晶片放置位，所述光源发出的光能够透过所述晶片放置位照射到晶片底面。
[0008]可选地，所述光源包括白光光源、紫外光源以及控制组件，所述控制组件分别与白光光源以及紫外光源通信连接并能够控制其开启以及关闭。
[0009]可选地，所述晶片架设置有多个所述晶片放置位，多个所述晶片放置位呈阵列状排列。
[0010]可选地，所述光源包括多个白光光源，所述白光光源与所述晶片放置位一一对应设置。
[0011]可选地，所述紫外光源设置有多个并呈阵列状排列。
[0012]可选地，所述光源与所述晶片架之间设置有直下式导光板。
[0013]可选地，所述晶片放置位包括透光孔以及沿所述透光孔周向设置的多个支撑片，所述支撑片包括水平设置的支撑面以及设置于所述支撑面外侧的倾斜的导向面，所述导向面与所述支撑面之间呈钝角夹角。
[0014]可选地，所述碳化硅晶片检查装置还包括紫外防护板，所述紫外防护板设置于所述晶片架上方，所述紫外防护板能够减弱穿透的光线中的紫外光照射强度。
[0015]可选地，所述箱体上设置有多个限位孔，所述晶片架底部设置有多个与所述限位孔相匹配的限位柱，所述限位柱与所述限位孔位置对应设置。
[0016]可选地，所述晶片架与所述导光板之间间距为1
‑
3mm。
[0017]通过上述技术方案，晶片可放置于晶片放置位后再开启光源对晶片进行检测，防止手持或通过工具长时间夹持晶片对其造成的损伤，减少对晶片的污染，同时，光源可根据需求发出不同波长的光线以针对不同类型的晶片或者晶片的不同特性进行检测，减少对晶片的转移。
附图说明
[0018]图1是本技术所述的碳化硅晶片检查装置一种实施方式的爆炸图；
[0019]图2是本技术所述的光源的一种实施方式的结构示意图；
[0020]图3是本技术所述的晶片架的一种实施方式的结构示意图；
[0021]图4是本技术所述的支撑片的一种实施方式的结构示意图。
[0022]附图标记说明
[0023]10
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箱体，20
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导光板，30
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控制组件，40
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晶片架，41
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晶片放置位，411
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透光孔，412
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支撑片，4121
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支撑面，4122
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导向面，50
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紫外防护板，60
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光源，61
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白光光源，62
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紫外光源。
具体实施方式
[0024]以下结合附图对本技术的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本技术，并不用于限制本技术。
[0025]在本技术中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”、“下”、“顶”、“底”通常是指装置或设备处于使用状态下的方位。需要说明的是，这仅是为了便于描述本技术，不应理解为对本技术的限制。
[0026]此外，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不应理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。
[0027]在本技术中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
[0028]本技术一方面提供一种碳化硅晶片检查装置，包括箱体10、设置于所述箱体10内的光源60以及设置于所述光源60上方的晶片架40，所述晶片架40设置有能够放置晶片的晶片放置位41，所述光源60发出的光能够透过所述晶片放置位41照射到晶片底面。
[0029]通过上述技术方案，晶片可放置于晶片放置位41后再开启光源60对晶片进行检测，为防止手持或通过工具长时间夹持晶片对其造成的损伤，减少对晶片的污染，同时，光源60可根据需求发出不同波长的光线以针对不同类型的晶片或者晶片的不同特性进行检测，减少对晶片的转移。
[0030]通常来说，碳化硅单晶片晶型按导电类型可以分两类一类是导电衬底，一类是半绝缘型衬底；按晶型常见为4H
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SiC和6H
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SiC。分辨晶型快捷有效的表征方法为目视按颜色分辨，导电型6H
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SiC和导电型4H
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SiC可在白色光或者自然光下表现出不同的颜色，因此可根据颜色不同对不同的导电型晶片进行分辨；而半绝缘碳化硅在白色光下为无色透明状态因此不能根据颜色进行分辨，那么，针对这种无色半绝缘碳化硅辨别晶型主要通过紫外灯照射的方式进行分辨，在紫外光线下半绝缘碳化硅的不同晶型的亮暗程度不同，因此可据此分辨异晶型的分布。
[0031]因此，光源60可包括能够发出多种不同光线的装置，例如能够发出紫外光的紫外灯，或者普通的白色光灯，灯的种类可为白炽灯、LED灯等形式，其中LED灯体积小、发光能力强、耗能少且不本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅晶片检查装置，其特征在于，包括箱体(10)、设置于所述箱体(10)内的光源(60)以及设置于所述光源(60)上方的晶片架(40)，所述晶片架(40)设置有能够放置晶片的晶片放置位(41)，所述光源(60)发出的光能够透过所述晶片放置位(41)照射到晶片底面；所述光源(60)包括白光光源(61)、紫外光源(62)以及控制组件(30)，所述控制组件(30)分别与白光光源(61)以及紫外光源(62)通信连接并能够控制其开启以及关闭。2.根据权利要求1所述的碳化硅晶片检查装置，其特征在于，所述晶片架(40)设置有多个所述晶片放置位(41)，多个所述晶片放置位(41)呈阵列状排列。3.根据权利要求2所述的碳化硅晶片检查装置，其特征在于，所述光源(60)包括多个白光光源(61)，所述白光光源(61)与所述晶片放置位(41)一一对应设置。4.根据权利要求1所述的碳化硅晶片检查装置，其特征在于，所述紫外光源(62)设置有多个并呈阵列状排列。5.根据权利要求1所述的碳化硅晶片检查装置，其特征在于，所述光源(60)与所述晶片架...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘素娟，刘振洲，鲍慧强，刘雪梅，叶欣怡，王增泽，杨帅，李宪宾，赵然，
申请(专利权)人：北京汇琨新材料有限公司，
类型：新型
国别省市：