阵列基板、阵列基板的制备方法及显示面板技术

本发明专利技术的实施例公开了一种阵列基板及其制备方法、显示面板，所述阵列基板具有一入光侧和一出光侧，所述阵列基板包括像素区和临近所述像素区的透光区；所述阵列基板在所述透光区具有至少一光发散单元，用于将来自所述入光侧的光线发散至所述出光侧；其中，所述光发散单元为空腔。通过在薄膜晶体管结构层中设置若干光发散单元，光发散单元具有凹透镜结构，光发散单元为空腔，由于空气的折射率低，因此光发散单元能够改变背光光率，达到扩大视角的效果。果。果。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板、阵列基板的制备方法及显示面板


[0001]本专利技术涉及显示面板领域，特别涉及一种阵列基板、阵列基板的制备方法及显示面板。

技术介绍

[0002]面对信息社会，对显示装置的需求已经不同程度地增长。近来，使用了诸如液晶显示(LCD)装置、等离子体显示面板(PDP)装置和有机发光二极管(OLED)显示装置这样的平板显示装置。在这些显示装置当中，LCD装置因其重量轻、外形薄、功耗低等优点而被广泛使用，但目前液晶显示装置制作的产品视角较窄。
[0003]有鉴于此，实有必要开发一种阵列基板及其制备方法，用以解决现有技术中显示装置视角较窄的问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术的实施例提供一种阵列基板及其制备方法，用以解决现有技术中显示装置视角较窄的问题。
[0005]为了解决上述技术问题，本专利技术的实施例公开了如下技术方案：
[0006]一方面，提供一种阵列基板，所述阵列基板具有一入光侧和一出光侧，所述阵列基板包括像素区和临近所述像素区的透光区；所述阵列基板在所述透光区具有至少一光发散单元，用于将来自所述入光侧的光线发散至所述出光侧；其中，所述光发散单元为空腔。
[0007]除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，所述空腔内均匀分布压强为一个大气压的空气介质。
[0008]除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，所述光发散单元具有凹透镜结构。
[0009]除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，所述空腔包括一靠近所述入光侧的入光面和一远离所述入光侧的出光面，所述入光面朝向所述出光侧凹陷，所述出光面朝向所述出光侧凹陷。入射光线自所述入光面入射、经过空气介质的折射后自所述出光面出射。
[0010]除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，所述阵列基板包括：薄膜晶体管结构层，从所述像素区延伸至所述透光区，所述薄膜晶体管结构层在所述像素区内栅极、源极和漏极，所述薄膜晶体管结构层在所述透光区内设有至少一凹槽；间隔层，设于所述薄膜晶体管结构层上，从所述像素区延伸至所述透光区，所述间隔层在靠近所述薄膜晶体管结构层的一侧形成至少一凸块，所述凸块对应所述凹槽且朝向所述凹槽凸出；其中，所述凸块与所述凹槽共同限定所述空腔，所述空腔的入光面为所述凹槽的槽底面，所述空腔的出光面为所述凸块的凸表面。
[0011]除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，所述凸块与所述凹槽的形状相匹配；所述凸块与所述凹槽均为曲面。所述凹槽与所述凸块均呈半圆球状；所谓的“半
圆球状”并非严格限定为半圆球，实际上可以小于或等于半圆球。
[0012]除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，所述薄膜晶体管结构层包括：衬底层，从所述像素区延伸至所述透光区；遮光层，设于所述像素区的所述衬底层上；缓冲层，设于所述遮光层上，从所述像素区延伸至所述透光区；有源层，设于所述像素区的所述缓冲层上；栅极绝缘层，设于所述有源层上，从所述像素区延伸至所述透光区；栅极层，设于所述像素区的所述栅极绝缘层上；介电层，设于所述栅极层上，从所述像素区延伸至所述透光区；以及源漏极层，设于所述介电层上，且连接至所述有源层；其中，所述凹槽设于所述介电层上；其中，所述间隔层设于所述介电层和所述源漏极层上；其中，所述凹槽朝向所述间隔层；所述凸块朝向所述介电层。
[0013]在其他实施例中，所述光发散单元也可以设于所述薄膜晶体管结构层中的其他膜层之中，例如可以在所述栅极绝缘层的所述透光区内设有凹槽，所述介电层在靠近所述栅极绝缘层的一侧形成至少一凸块，所述光发散单元设于所述栅极绝缘层和所述介电层之间。
[0014]除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，所述空腔还包括间隙单元，所述间隙单元围绕所述入光面和所述出光面的至少一部分周围表面，所述间隙单元形成于所述间隔层中。
[0015]除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，所述间隔层的材料采用氧化硅或氮化硅中的一种或几种。
[0016]除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，所述间隙单元的宽度范围为5nm
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50nm，所述间隙单元的高度范围为1μm
‑
5μm。
[0017]除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，所述阵列基板还包括平坦层，设于所述间隔层上；公共电极层，设于所述平坦层上；钝化层，设于公共电极层上；像素电极层，设于所述钝化层上，且与所述源漏极相接。
[0018]除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，所述凹槽的槽底面的直径范围为1μm
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30μm，所述空腔的深度范围为0.1
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2μm。
[0019]除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，所述入光侧为所述薄膜晶体管结构层远离所述间隔层的一侧；所述出光侧为所述间隔层远离所述薄膜晶体管结构层的一侧。
[0020]除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，当所述光发散单元的数量为两个及以上时，每个所述光发散单元间隔阵列排布。
[0021]另一方面，本实施例还提供一种制备方法，用以制备本专利技术涉及的所述阵列基板，所述阵列基板包括若干阵列排布的像素区和所述像素区之间的透光区，所述阵列基板具有一入光侧和一出光侧，所述制备方法包括以下步骤：制备一薄膜晶体管结构层；所述薄膜晶体管结构层从所述像素区延伸至所述透光区，所述薄膜晶体管结构层在所述像素区内设有栅极、源极和漏极，所述薄膜晶体管结构层在所述透光区内形成至少一凹槽；制备一间隔层于所述薄膜晶体管结构层上；所述间隔层从所述像素区延伸至所述透光区，所述间隔层在邻近所述薄膜晶体管结构层的一侧形成至少一凸块，所述凸块对应所述凹槽且朝向所述凹槽凸出；其中，所述凸块与所述凹槽共同限定一空腔，所述空腔的入光面为所述凹槽的槽底面，所述空腔的出光面为所述凸块的凸表面；所述空腔为光发散单元，用于将来自所述入光
侧的光线发散至所述出光侧。
[0022]除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，所述的制备一薄膜晶体管结构层的步骤包括：提供一衬底层；在所述衬底层上依次制备遮光层、缓冲层、有源层、栅极绝缘层、栅极层、以及介电层；在所述介电层上制备过孔、以及所述凹槽；其中所述过孔位于所述像素区，所述凹槽位于所述透光区；沉积一金属层于所述介电层上、所述过孔中以及所述凹槽中；图案化所述金属层形成源漏极层和至少一填充单元，所述源漏极层位于所述像素区且穿过所述过孔连接至所述有源层，所述填充单元位于所述凹槽中，且所述填充单元远离所述凹槽的一侧形成一填充槽；制备间隔层于所述填充单元和所述源漏极层上；在所述间隔层朝向所述填充单元的一侧形成至少一沉积于所述填充槽中的凸块；移除所述凹槽内的所述填充单元，使得所述凹槽和所述凸块共同限定所述空腔；所述空腔包括一靠近所述入光侧的入光面和一远离所述入光侧的出光面，所述入光面朝向所述出光侧凹陷，所述出光面朝向所述出光侧凹陷。
[0023]除了上述公开的一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板具有一入光侧和一出光侧，所述阵列基板包括像素区和临近所述像素区的透光区；所述阵列基板在所述透光区具有至少一光发散单元，用于将来自所述入光侧的光线发散至所述出光侧；其中，所述光发散单元为空腔。2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述光发散单元具有凹透镜结构。3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述空腔包括一靠近所述入光侧的入光面和一远离所述入光侧的出光面，所述入光面朝向所述出光侧凹陷，所述出光面朝向所述出光侧凹陷。4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：薄膜晶体管结构层，从所述像素区延伸至所述透光区，所述薄膜晶体管结构层在所述像素区内具有栅极、源极和漏极，所述薄膜晶体管结构层在所述透光区内设有至少一凹槽；间隔层，设于所述薄膜晶体管结构层上，从所述像素区延伸至所述透光区，所述间隔层在靠近所述薄膜晶体管结构层的一侧形成至少一凸块，所述凸块对应所述凹槽且朝向所述凹槽凸出；其中，所述凸块与所述凹槽共同限定所述空腔，所述空腔的入光面为所述凹槽的槽底面，所述空腔的出光面为所述凸块的凸表面。5.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述凸块与所述凹槽的形状相匹配；所述凸块与所述凹槽均为曲面。6.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管结构层包括：衬底层，从所述像素区延伸至所述透光区；遮光层，设于所述像素区的所述衬底层上；缓冲层，设于所述遮光层上，从所述像素区延伸至所述透光区；有源层，设于所述像素区的所述缓冲层上；栅极绝缘层，设于所述有源层上，从所述像素区延伸至所述透光区；栅极层，设于所述像素区的所述栅极绝缘层上；介电层，设于所述栅极层上，从所述像素区延伸至所述透光区；以及源漏极层，设于所述介电层上，且连接至所述有源层；其中，所述凹槽设于所述介电层上；其中，所述间隔层设于所述介电层和所述源漏极层上；其中，所述凹槽朝向所述间隔层；所述凸块朝向所述介电层。7.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述空腔还包括间隙单元，所述间隙单元围绕所述入光面和所述出光面的至少一部分周围表面，所述间隙单元形成于所述间隔层中。8.一种阵列基板的制备方法，所述阵列基板具有一入光侧和一出光侧，所述阵列基板包括像素区和临近所述像素区的透光...

【专利技术属性】
技术研发人员：艾飞，宋德伟，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：