一种光刻装置及其制备方法、应用方法制造方法及图纸

本申请实施例公开了一种光刻装置及其制备方法、应用方法，光刻装置包括光源，光源出射刻蚀光；偏转结构，设于光源的出光面一侧，包括行列分布的偏转单元，每一偏转单元可独立控制其对应的刻蚀光的透过率；扩散结构，设于偏转结构远离光源的一侧，扩散结构用以对通过偏转结构后的刻蚀光进行扩散处理；驱动结构，用以驱动偏转单元的偏转方向。本实施例的有益效果在于，本实施例的一种光刻装置及其制备方法、应用方法以现有液晶显示面板为主体，在去除其内部彩色滤光单元后将其制备形成光刻装置，通过光源出射刻蚀光，通过阵列基板和彩膜基板驱动液晶层偏转实现刻蚀光的图案化，从而可以快速形成不同的刻蚀图案，无限制使用次数。无限制使用次数。无限制使用次数。

【技术实现步骤摘要】
一种光刻装置及其制备方法、应用方法


[0001]本申请涉及刻蚀领域，具体涉及一种光刻装置及其制备方法、应用方法。

技术介绍

[0002]目前光罩制程需要使用掩膜或菲林，不同刻蚀图案需要更换相对应的掩膜，从而增加掩膜加工费用与时间。无掩膜激光直写光刻机具有速度慢价格高的缺点。

技术实现思路

[0003]本申请实施例提供一种光刻装置及其制备方法、应用方法，可以解决现有技术中光刻装置无法变换刻蚀图案的技术问题。
[0004]本申请实施例提供一种光刻装置，包括光源，包括一出光面，所述光源自所述出光面出射刻蚀光；偏转结构，设于光源的所述出光面一侧，包括行列分布的偏转单元，每一偏转单元可独立控制其对应的刻蚀光的透过率；扩散结构，设于所述偏转结构远离所述光源的一侧，所述扩散结构用以对通过所述偏转结构后的所述刻蚀光进行扩散处理；驱动结构，用以驱动所述偏转单元的偏转方向。
[0005]可选的，在本申请的一些实施例中，所述偏转结构远离所述光源的一侧设有遮光结构，所述遮光结构设有若干透光孔，所述透光孔在所述出光面上的投影与所述偏转单元在所述出光面上的投影重合。
[0006]可选的，在本申请的一些实施例中，同一行的所述偏转单元的两个端部延伸至相邻行的两个偏转单元之间。
[0007]相应的，本申请实施例还提供了一种光刻装置的制备方法，包括以下制备步骤：
[0008]提供一液晶显示面板，包括叠层设置的光源、阵列基板、液晶层以及彩膜基板，其中，所述光源包括一出光面，所述光源自所述出光面一侧出射刻蚀光，所述阵列基板和所述彩膜基板控制所述液晶层内的液晶分子偏转，所述阵列基板和所述彩膜基板内设有若干行列分布的彩色滤光单元以及围绕所述彩色滤光单元的遮光结构；
[0009]去除所述彩色滤光单元形成透光孔；
[0010]在所述彩膜基板靠近所述液晶层的一侧制备扩散结构，所述扩散结构用以对通过所述液晶层的刻蚀光进行扩散处理。
[0011]可选的，在本申请的一些实施例中，所述扩散结构包括若干间隔设置的凹槽，所述凹槽的开口朝向所述液晶层，所述凹槽的底面为弧形面。
[0012]可选的，在本申请的一些实施例中，所述液晶层朝向所述光源的一侧设有第一偏光片，所述液晶层远离所述光源的一侧设有第二偏光片。
[0013]可选的，在本申请的一些实施例中，所述凹槽沿第一方向间隔排列，所述第一方向垂直于所述的第二偏光片的偏光轴。
[0014]可选的，在本申请的一些实施例中，所述凹槽与所述透光孔一一对应。
[0015]相应的，本申请实施例还提供了一种光刻装置的应用方法，包括以下步骤：
[0016]提供所述光刻装置；
[0017]将所述光刻装置置于待刻蚀基板的上方，其中，所述光刻装置的出光面朝向所述待刻蚀基板；
[0018]所述待刻蚀基板朝向所述出光面的一侧表面预设有待刻蚀区域，所述驱动结构驱动对应所述待刻蚀区域的偏转单元偏转，使得所述光源出射的所述刻蚀光照射在所述待刻蚀区域，并刻蚀所述待刻蚀区域的基板材料。
[0019]可选的，在本申请的一些实施例中，定义所述待刻蚀基板上预设有N个待刻蚀区域，其中每一待刻蚀区域的待刻蚀厚度分别为H1、H2
…
Hn，n为大于2的自然数，通过驱动结构分别驱动对应的偏转单元偏转，使刻蚀光的透过率分别为a、b
…
、x，并且满足a：b
…
：x＝H1：H2
…
：Hn。
[0020]本实施例的有益效果在于，本实施例的一种光刻装置及其制备方法、应用方法以现有液晶显示面板为主体，在去除其内部彩色滤光单元后将其制备形成光刻装置，通过光源出射刻蚀光，通过阵列基板和彩膜基板驱动液晶层偏转实现刻蚀光的图案化，从而可以快速形成不同的刻蚀图案，无限制使用次数，通过扩散结构消除遮光结构的阴影，避免刻蚀出现“凸点”。通过控制偏转结构即液晶分子的偏转实现不同厚度的同步刻蚀，无需分布刻蚀，节省刻蚀时间。
附图说明
[0021]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0022]图1是本申请实施例提供的光刻装置工作状态的结构示意图；
[0023]图2是本申请实施例提供的光刻装置的结构示意图；
[0024]图3是本申请实施例提供的偏转结构的平面示意图；
[0025]图4是本申请实施例提供的偏转结构和扩散结构的示意图；
[0026]图5是本申请实施例提供的待刻蚀基板刻蚀完成后的平面图；
[0027]图6是本申请实施例提供的光刻装置的制备方法的流程图；
[0028]图7是本申请实施例提供的液晶显示面板的结构示意图；
[0029]图8是本申请实施例提供的去除彩色滤光单元后的结构示意图；
[0030]图9是本申请实施例提供的扩散结构制备完成后的结构示意图；
[0031]图10是本申请实施例提供的光刻装置的应用方法的流程图；
[0032]图11是本申请实施例提供的N个待刻蚀区域的刻蚀厚度与刻蚀光透过率对应关系图。
[0033]附图标记说明：
[0034]光刻装置1；
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光源100；
[0035]偏转结构200；
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驱动结构300；
[0036]扩散结构400；
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待刻蚀基板2；
[0037]出光面101；
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偏转单元210；
[0038]阵列基板201；
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液晶层202；
[0039]彩膜基板203；
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第一偏光片204；
[0040]第二偏光片205；
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遮光结构220；
[0041]扩散结构400；
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凹槽410；
[0042]液晶显示面板3；
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彩色滤光单元20；
[0043]透光孔21。
具体实施方式
[0044]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光刻装置，其特征在于，包括光源，包括一出光面，所述光源自所述出光面出射刻蚀光；偏转结构，设于光源的所述出光面一侧，包括行列分布的偏转单元，每一偏转单元可独立控制其对应的刻蚀光的透过率；扩散结构，设于所述偏转结构远离所述光源的一侧，所述扩散结构用以对通过所述偏转结构后的所述刻蚀光进行扩散处理；驱动结构，用以驱动所述偏转单元的偏转方向。2.根据权利要求1所述的光刻装置，其特征在于，所述偏转结构远离所述光源的一侧设有遮光结构，所述遮光结构设有若干透光孔，所述透光孔在所述出光面上的投影与所述偏转单元在所述出光面上的投影重合。3.根据权利要求1所述的光刻装置，其特征在于，同一行的所述偏转单元的两个端部延伸至相邻行的两个偏转单元之间。4.一种光刻装置的制备方法，其特征在于，包括以下制备步骤：提供一液晶显示面板，包括叠层设置的光源、阵列基板、液晶层以及彩膜基板，其中，所述光源包括一出光面，所述光源自所述出光面一侧出射刻蚀光，所述阵列基板和所述彩膜基板控制所述液晶层内的液晶分子偏转，所述阵列基板和所述彩膜基板内设有若干行列分布的彩色滤光单元以及围绕所述彩色滤光单元的遮光结构；去除所述彩色滤光单元形成透光孔；在所述彩膜基板靠近所述液晶层的一侧制备扩散结构，所述扩散结构用以对通过所述液晶层的刻蚀光进行扩散处理。5.根据权利要求4所述的光刻装置的制备方法，其特征在于，所述扩散结构包括若干间隔设置的凹槽，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢吉华，
申请(专利权)人：广州华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：