一种锂电池保护板MOS失效检测技术制造技术

本发明专利技术涉及锂电池保护板技术领域，且公开了一种锂电池保护板MOS失效检测技术，包括失效检测电路，所述电路主要由两个隔离电源、限流电阻和光耦电路构成；其中Q1为放电MOS，Q2为充电MOS；Q1的1脚为G极，接放电MOS开启控制信号DSG，当DSG输出为高电平时，Q1导通，当DSG信号为低电平时，Q1断开，Q1的3脚为MOS管S极接电池总负B

【技术实现步骤摘要】
一种锂电池保护板MOS失效检测技术


[0001]本专利技术涉及锂电池保护板
，具体为一种锂电池保护板MOS失效检测技术。

技术介绍

[0002]锂电池相比铅酸电池具有循环寿命高，体积小，能量密度高等优点。随着锂电池在两轮换电领域的逐渐普及，将逐渐替代铅酸电池。而锂电池由于其自身化学物理特性，使用过程中不能过充过放，所以必须通过锂电池保护板对其进行充放电保护。锂电池对充放电保护的方法就是通过保护板的保护芯片监控锂电池单体电压和充放电电流，当监控值超过设定阈值时，保护芯片会发送控制电平关闭充电MOS和放电MOS管，从而切断电流通路，达到禁止锂电池组充电或者放电的目的，实现对锂电池非正常状态下的保护。
[0003]保护板上的MOS失效，一种是不能正常开启，这种情况下不能正常充放电，但是不会导致安全事故发生；另外一种情况是不能正常关闭，则有可能导致严重安全事故。如果是充电MOS不能关闭，则可能导致电池过充，出现电池损坏，起火。如果是放电MOS不能关闭，则可能导致过放，电池损坏，特别是外部短路的情况下由于不能关断放电MOS，则可能因大电流引本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种锂电池保护板MOS失效检测技术，包括失效检测电路，其特征在于：所述电路主要由两个隔离电源、限流电阻和光耦电路构成；其中Q1为放电MOS，Q2为充电MOS；Q1的1脚为G极，接放电MOS开启控制信号DSG，当DSG输出为高电平时，Q1导通，当DSG信号为低电平时，Q1断开，Q1的3脚为MOS管S极接电池总负B
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；Q2的1脚为G极，接充电MOS开启控制信号CHG，当CHG输出为高电平时，Q2导通，当CHG信号为低电平时，Q2断开，Q2的3脚为MOS管S极接外部负载或者充电器的负极P
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；两个隔离电源U1，U2的左端接保护板5V电源VDD_5V和地GND，右端输出隔离5V电源ISO_5V1和ISO_5V2，分别具有隔离地ISO_GND1和ISO_GND2；当欲检测放电MOS开启是否失效时，可以置DSG信号为高电平，这时候理论上Q1应该导通；电流从ISO_5V2经过光耦D2和电阻R2再到P
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，经过Q2流至D，再通过Q1的DS极流至B
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，最后回流至ISO_GND2；由于光耦D2的1，2脚有电流流过，其3，4脚也会导通有电流流过，则第4脚电压信号DISCHG_MOS_DET从高电平3.3V变成低电平；该信号通过主控MCU进行检测，如果检测到低电平则判断为放电MOS开启未失效，如果检测到高电平则判断为放电MOS开启失效；当欲检测放电MOS关断是否失效时，可以置DSG信号为低电平，这时候理论上Q1应该断开；假设电流从ISO_5V2经过光耦D2和电阻R2再到P
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，经过Q2流至D，到Q1时由于Q1的DS间断路，电流无法回流至ISO_GND2；光耦D2的1，2脚没有电流流过，则3，4脚截止，则第4脚电压信号DISCHG_MOS_DET应保持为高电平3.3V；该信号通过主控MCU进行检测，如果检测到高电平则判断为放电MOS关断未失效，如果...

【专利技术属性】
技术研发人员：周小君，钱龙，鲍伟，
申请(专利权)人：江苏华友能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：