一种晶圆的CD量测设备及相应的CD量测方法技术

本发明专利技术提供一种晶圆的CD量测设备，包括控制系统、照明系统、成像系统和图像处理系统，所述CD量测设备还包括：运动控制传输系统，配置为对待测晶圆进行运动控制传输，使得所述晶圆进行至少第一对准和第二对准；聚焦系统，所述聚焦系统固定连接所述成像系统，且所述聚焦系统设有定位分析系统，使得所述成像系统可根据定位分析结果进行聚焦。本发明专利技术还提供相应的CD量测方法。量测方法。量测方法。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆的CD量测设备及相应的CD量测方法


[0001]本专利技术属于半导体设备量测领域，更具体地涉及全自动纳米级芯片的CD量测设备。

技术介绍

[0002]在集成电路(integrated circuit；IC)制造技术中，一般先涂布光刻胶层于半导体晶圆表面，接着透过掩模对光刻胶进行曝光步骤。然后，进行曝光后烘烤步骤，以改变光刻胶的物理性质，进而利于后续处理。之后，进行显影后检查(after development inspection；ADI)，以利用度量系统检查光刻胶的关键尺寸，而判断是否符合规格。如果光刻胶符合规格，接着即蚀刻或转移图案，再剥除光刻胶。然后，在晶圆上进行蚀刻后检查(after etching inspection；AEI)。
[0003]由于缩小极大型集成电路(very
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large
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scale integration；VLSI)微型尺寸的需求日益增加。因此，微影制程必须准确控制光刻胶图案的关键尺寸(critical dimension；CD)，以免临界电压(threshol本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆的CD量测设备，包括控制系统、照明系统、成像系统和图像处理系统，可用于300纳米级别以内的光学CD量测，其特征在于，所述CD量测设备还包括：运动控制传输系统，配置为对待测晶圆进行运动控制传输，使得所述晶圆进行至少第一对准和第二对准；聚焦系统，所述聚焦系统固定连接所述成像系统，且所述聚焦系统设有定位分析系统，使得所述成像系统可根据定位分析结果进行聚焦。2.如权利要求1所述的晶圆的CD量测设备，其特征在于，所述聚焦系统还包括控制器，所述控制器配置为将所述成像系统固定到所述聚焦系统的控制器上。3.如权利要求1或2所述的晶圆的CD量测设备，其特征在于，所述聚焦系统中，所述定位分析系统配置为将定位分析结果发送到所述控制系统，从而使得所述控制系统控制所述成像系统在Z轴上进行聚焦。4.如权利要求1或2所述的晶圆的CD量测设备，其特征在于，所述聚焦系统配置为，当所述运动控制运输系统的晶圆对准到所需要求后再采用定位分析系统进行定位分析。5.如权利要求1或2所述的晶圆的CD量测设备，其特征在于，所述聚焦系统中的定位分析系统包括激光或红外线定位分析系统。6.如权利要求5所述的晶圆的CD量...

【专利技术属性】
技术研发人员：闫波，
申请(专利权)人：魅杰光电科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：