太阳能电池的导电接触结构、组件及发电系统技术方案

本发明专利技术公开了一种太阳能电池的导电接触结构、组件及发电系统，属于太阳能电池技术领域，其中，导电接触结构包括衬底；半导体区域设置在衬底的上面或里面；电极设置在半导体区域上；电极包括接触半导体区域的种子层；所述种子层为合金材料，其包括主组分及强化组分，主组分为Al，质量含量为≥70％，强化组分包括Cr、Si、Mn、Pd、Bi、Nb、Ta、Pa、V中的任意一种或多种，质量含量为≤30％。本发明专利技术通过在导电层和衬底之间增加种子层，由上述的主组分和强化组分融合形成的种子层与导电层和衬底均具有较强的结合力，且提升了太阳能电池的陷光效果。且提升了太阳能电池的陷光效果。且提升了太阳能电池的陷光效果。

【技术实现步骤摘要】
太阳能电池的导电接触结构、组件及发电系统


[0001]本专利技术涉及太阳能电池
，具体涉及一种太阳能电池的导电接触结构、组件及发电系统。

技术介绍

[0002]太阳能电池中，如图2所示，通常采用铜层100作为导电层覆盖在硅衬底200上，但铜与硅的结合力不足容易导致导电层从硅衬底上脱落，且导电层中的铜往硅衬底里面扩散会降低太阳能电池的性能。为了解决这个问题，现有技术中，通过在铜导电层和硅衬底之间增加一层种子层300，以增强铜导电层100与硅衬底200间的结合力。该种子层通常采用镍层，镍层虽增强了铜导电层与硅衬底的结合力，但增强效果并不理想，且镍层的反光效果较差，降低了太阳能电池的陷光效果。

技术实现思路

[0003]本专利技术以增强导电层与衬底之间的结合力，并提升太阳能电池的陷光效果为目的，提供了一种太阳能电池的导电接触结构、组件及发电系统。
[0004]为达此目的，本专利技术采用以下技术方案：
[0005]提供一种太阳能电池的导电接触结构，包括：
[0006]衬底；
[0007]半导体区域设本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池的导电接触结构，其特征在于，包括：衬底；半导体区域设置在所述衬底的上面或里面；电极设置在所述半导体区域上；所述电极包括接触所述半导体区域的种子层；所述电极还包括位于所述种子层上方的导电层；所述导电层为Cu导电层；所述种子层为合金材料，其包括主组分及强化组分，所述主组分Al，质量含量为≥70％，所述强化组分包括Cr、Mn、Pd、Bi、Nb、Ta、Pa、Si、V中的任意一种或多种，所述强化组分的质量含量为≤30％。2.根据权利要求1所述的太阳能电池的导电接触结构，其特征在于，所述强化组分还包括非金属成分。3.根据权利要求1所述的太阳能电池的导电接触结构，其特征在于，作为所述主组分为Al，含量为≥70％；作为所述强化组分为Cr，含量为≤30％。4.根据权利要求1所述的太阳能电池的导电接触结构，其特征在于，作为所述主组分为Al，含量为≥70％；作为所述强化组分为Mn，含量为≤30％。5.根据权利要求1所述的太阳能电池的导电接触结构，其特征在于，作为所述主组分为Al，含量为≥70％；作为所述强化组分为Pd，含量为≤30％。6.根据权利要求1所述的太阳能电池的导电接触结构，其特征在于，作为所述主组分为Al，含量为≥70％；作为所述强化组分为Bi，含量为≤30％。7.根据权利要求1所述的太阳能电池的导电接触结构，其特征在于，作为所述主组分为Al，含量为≥70％；作为所述强化组分为Nb，含量为≤30％。8.根据权利要求1所述的太阳能电池的导电接触结构，其特征在于，作为所述主组分为Al，含量为≥70％；作为所述强化组分为Ta，含量为≤30％。9.根据权利要求1所述的太阳能电池的导电接触结构，其特征在于，作为所述主组分为Al，含量为≥70％；作为所述强化组分为Pa，含量为≤30％。10.根据权利要求1所述的太阳能电池的导电接触结构，其特征在于，作为所述主组分为Al，含量为≥70％；作为所述强化组分为Si，含量为≤30％。11.根据权利要求1所述的太阳能电池的导电接触结构，其特征在于，作为所述主组分为Al，含量为≥70％；作为所述强化组分为V，含量为≤30％。12.根据权利要求1所述的太阳能电池的导电接触结构，其特征在于，所述种子层以物理气相沉积、丝网印刷、化学气相沉积、电镀、化学镀中的任意一项制备方法形成在所述衬底上。13.根据权利要求1所述的太阳能电池的导电接触结构，其特征在于，所述种子层与所述半导体区域之间形成有钝化膜；所述钝化膜上设有开口...

【专利技术属性】
技术研发人员：王永谦，许文理，张建军，洪剑波，陈刚，
申请(专利权)人：浙江爱旭太阳能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：