一种芯片封装及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种芯片封装及其制作方法，芯片封装包括：基板；芯片，设置在所述基板上；连接层，连接在所述基板与所述芯片之间；其中，所述连接层包括碳纳米管束框架以及填充于所述碳纳米管束框架内的微纳米金属。本发明专利技术通过采用碳纳米管束框架与微纳米金属构成的连接层来连接芯片与基板，能够保证芯片与基板之间连接强度，且能够满足芯片与基板之间的互连区域的导电导热性要求，从而能够满足大功率器件在更高的温度、更大的电流密度等更加苛刻的环境下进行服役，提高了大功率器件的可靠性。提高了大功率器件的可靠性。提高了大功率器件的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种芯片封装及其制作方法


[0001]本专利技术涉及集成电路
，尤其涉及的是一种芯片封装及其制作方法。

技术介绍

[0002]芯片与基板互连封装技术是电路集成的关键所在。在电子器件中，芯片与基板互联除了对芯片进行固定，提供机械保护之外，还起着为芯片提供电气连接以及散热通道的作用。随着以SiC(碳化硅)为代表的宽禁带半导体快速发展，大功率器件已经被广泛地应用于新能源汽车、动车、电站等多个领域。这使得这些大功率器件需要在更高的温度、更大的电流密度等更加苛刻的环境下进行服役。因此对于功率器件的可靠性提出了更高的要求。而传统的芯片
‑
基板互联方式，如导电胶，焊锡膏等已经无法满足大功率器件的使用要求。
[0003]因此，现有技术还有待于改进和发展。

技术实现思路

[0004]鉴于上述现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种芯片封装及其制作方法，以解决芯片与基板互连采用传统的芯片
‑
基板互联方式无法满足大功率器件的使用要求的问题。
[0005]本专利技术的技术方案如下：
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片封装，其特征在于，包括：基板；芯片，设置在所述基板上；连接层，连接在所述基板与所述芯片之间；其中，所述连接层包括碳纳米管束框架以及填充于所述碳纳米管束框架内的微纳米金属。2.根据权利要求1所述的芯片封装，其特征在于，所述碳纳米管束框架包括：第一碳纳米管束与第二碳纳米管束；所述第一碳纳米管束间隔设置在所述基板上；所述第二碳纳米管束间隔设置在所述芯片上；所述第二碳纳米管束插入所述第一碳纳米管束之间的间隙中以形成所述碳纳米管束框架。3.根据权利要求2所述的芯片封装，其特征在于，所述芯片包括：第一金属镀层；所述第一金属镀层设置在所述芯片的表面上；第一催化层；所述第一催化层设置在所述第一金属镀层上；其中，所述第一碳纳米管束间隔设置在所述第一催化层上。4.根据权利要求2所述的芯片封装，其特征在于，所述基板包括：第二金属镀层；所述第二金属镀层设置在所述基板的表面上；第二催化层；所述第二催化层设置在所述第二金属镀层上；其中，所述第二碳纳米管束间隔设置在所述第二催化层上。5.根据权利要求1所述的芯片封装，其特征在于，所述微纳米金属为微纳米金、微纳米银或微纳米铜中的一种；所述微纳米金属的形状为颗粒状、块体状或片状。6.根据权利要求5所述的芯片封装，其特征在于，所述微纳米金属为颗粒状，所述微纳米金属的尺寸为5
‑
5000纳米。7.一种应用于权利要求1
‑
6任一项所述的芯片封装的芯片封装制作方法，其特征在于，包括：提供...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶怀宇，李世朕，刘旭，张国旗，
申请(专利权)人：南方科技大学，
类型：发明
国别省市：