一种应用于平面型功率器件的封装结构的封装方法技术

本发明专利技术公开了一种应用于平面型功率器件的封装结构的封装方法，属于半导体封装技术领域。其采用芯片的正面的芯片下金属凸块倒装至立体金属框架的刻蚀面上，通过芯片下金属凸块、立体金属框架的折转实现芯片与PCB直接互联，精减了封装结构，避免了传统打线工艺，降低了封装电阻，增加了电流承载能力；同时缩短了芯片与外界互联距离，增强了芯片的导电效果；其芯片背面露出，直接焊接到PCB上进行散热，提升了封装散热能力，提高了芯片高速运行时的稳定性，提升了产品的品质；另外，立体金属框架的金属引脚呈凹弧形柱状，增强了金属引脚和塑封材料之间的结合力，达到了增加产品可靠性的目的。的。的。

【技术实现步骤摘要】
一种应用于平面型功率器件的封装结构的封装方法


[0001]本专利技术涉及一种应用于平面型功率器件的封装结构的封装方法，属于半导体封装


技术介绍

[0002]随着5G行业、消费类电子和新能源汽车行业的发展，例如5G基站的功耗提升，5G基站功耗为4G的两倍，为了降低功耗需求，需要增加对芯片的低损耗、高热稳定性要求，同时这也对封装类型的导通电阻低、发热量低和散热快有更高的要求。
[0003]传统焊线式封装均是采用打线的封装形式，键合线电阻R
w
较大，从而会增大整个封装的导通电阻，最终影响产品的电流承载能力。

技术实现思路

[0004]为了克服现有技术的不足，本专利技术提供一种应用于平面型功率器件的封装结构的封装方法，使得采用此种封装方式的芯片实现低导通电阻、承载大电流、散热性能优异，且封装结构简单。
[0005]本专利技术的技术方案：本专利技术提供了一种应用于平面型功率器件的封装结构的封装方法，其工艺方法如下：步骤一、准备来料的晶圆，晶圆上有排列整齐的横向与纵向交叉的切割道Ⅰ，切割道Ⅰ将晶圆本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种应用于平面型功率器件的封装结构的封装方法，其工艺方法如下：步骤一、准备来料的晶圆（100），晶圆（100）上有排列整齐的横向与纵向交叉的切割道Ⅰ（110），切割道Ⅰ（110）将晶圆（100）预分成复数颗芯片（10），每一芯片（10）的正面设有若干个芯片下金属凸块（11）、背面设有散热层（30），所述芯片下金属凸块（11）的一端对应芯片（10）的电极、另一端设置焊接层（12）；步骤二、采用切割工艺沿切割道Ⅰ（110）形成复数颗独立的芯片（10）；步骤三、准备立体金属框架条（200），其背面的刻蚀面作为作业面，所述立体金属框架条（200）通过半刻蚀工艺对立体金属框架条（200）的背面进行刻蚀，将多余的金属材料去除，在立体金属框架条（200）的背面上阵列排布复数个镂空图案Ⅰ（221）和镂空图案Ⅱ（222）和对位点（250），并形成刻蚀面，并设计有横向切割道Ⅲ（210）和纵向切割道Ⅲ（230），所述对位点（250）设置在立体金属框架条（200）的上下左右的四个侧边，镂空图案Ⅰ（221）和镂空图案Ⅱ（222）平行交错分布于立体金属框架条（200）的中央，均呈等长的长方形，且镂空图案Ⅰ（221）的宽度大于镂空图案Ⅱ（222）的宽度；所述镂空图案Ⅰ（221）将立体金属框架条（200）分割成复数个块状的金属框架本体，镂空图案Ⅱ（222）平行镂空图案Ⅰ（221）进一步将金属框架本体分割成复数个条状的金属框架支撑条（21），镂空图案Ⅱ（222）将金属框架本体分成若干个金属框架支撑条（21）；所述金属框架支撑条（21）的刻蚀面的两端上形成金属引脚（22），所述金属引脚（22）位于镂空图案Ⅰ（221）和镂空图案Ⅱ（222）的长边内侧；所述纵向切割道Ⅲ（230）平行镂空图案Ⅰ（221）的长度方向切割镂空图案Ⅰ（221），所述横向切割道Ⅲ（210）设置在立体金属框架条（200）的上下两侧边，并穿过镂空图案Ⅰ（221）和镂空图案Ⅱ（222）的上下两端，将金属框架支撑条（21）一一从立体金属框架条（200）上预切割下来；所述金属框架支撑条（21）的刻蚀面与其上的金属引脚（22）共同构成型腔（26）；步骤四、依次将芯片（10）的正面倒装放入立体金属框架条（200）的型腔（26）内，通过对位点（250）对位，其芯片下金属凸块（11）通过焊接层（12）与金属框架支撑条（21）对应固连，实现芯片（10）的电路导通；步骤五、通过薄膜辅助塑封单面成型工艺将塑封材料（90）熔融后通过压力将立体金属框架条（200）和芯片（10）包覆，并填充镂空图案Ⅰ（221）和镂空图案Ⅱ（222），镂空图案Ⅰ（221）和镂空图案Ⅱ（222）起到对塑封材料（90）导流的作用，形成导流通道；步骤六、通过研磨工艺暴露出立体金属框架条（200）的金属引脚的上表面（223）...

【专利技术属性】
技术研发人员：张黎，
申请(专利权)人：浙江禾芯集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：