一种微系统薄膜平坦化方法技术方案

本发明专利技术公开了一种微系统薄膜平坦化方法，其中微系统薄膜平坦化方法包括：在图形化薄膜上沉积硼磷硅玻璃层；然后，对硼磷硅玻璃层进行快速热退火和退火处理；最后，抛光退火处理后的硼磷硅玻璃层，至硼磷硅玻璃层达到预设厚度。通过退火处理可有效的使硼磷硅玻璃回流，降低阶梯差；同时，使掺杂的硼(B)和磷(P)可以在不同的界面得到修复，形成均匀的浓度；在进行抛光处理时，由于牺牲层的稳定性更高，阶梯差更小，就可提高抛光速度降低抛光量，使得牺牲层薄膜的厚度、平坦度及稳定性得到有效控制；同时，也可节省大量的CMP耗材，比如抛光垫、抛光液、修整器等等，并且产出更高，经济效益十分明显。分明显。分明显。

【技术实现步骤摘要】
一种微系统薄膜平坦化方法


[0001]本专利技术涉及微系统
，尤其涉及一种微系统薄膜平坦化方法。

技术介绍

[0002]电容式麦克风一般通过声波作用于电容的薄膜，由于薄膜的振动导致上下极板之间的间距的改变，从而改变电容的大小，进而获得对应的检测电信号；其中电容间形成的上下基板的距离(牺牲层的厚度)和表面的平坦度(牺牲层的表面平整度)对于检测信号的灵敏度尤为重要。现有技术中制作该电容式麦克风的方法如下，对标准硅片进行热氧化形成二氧化硅薄膜；然后在二氧化硅薄膜上上先后淀积氮化硅，多晶硅，氮化硅形成图形化薄膜；接着，淀积两层平坦层，并对平坦层进行化学机械平坦化处理(chemical
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mechanical planarization，CMP)得到牺牲层；接着形成上下电极；最后释放牺牲层后可形成电容结构。在对两次积淀平坦层进行抛光处理的过程中，由于需要去除的厚度高达2
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3um，远远超过IC(Integrated Circuit，集成电路)薄膜工艺厚度的二氧化硅，且要保证剩余二氧化硅的厚度在要求厚度范围之内。不本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微系统薄膜平坦化方法，其特征在于，包括：提供形成有图形化薄膜的半导体衬底；在所述图形化薄膜上沉积硼磷硅玻璃层；对所述硼磷硅玻璃层进行快速热退火和退火处理；抛光退火处理后的硼磷硅玻璃层，至所述硼磷硅玻璃层达到预设厚度。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述图形化薄膜上沉积硼磷硅玻璃层，包括：在所述图形化薄膜上沉积厚度为2um
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3.5um的第一硼磷硅玻璃层；在所述第一硼磷硅玻璃层上沉积厚度为2um
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3.5um第二硼磷硅玻璃层。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述硼磷硅玻璃层进行快速热退火和退火处理，包括：在加热温度为800℃～850℃的条件下进行快速热退火处理，并持续5s
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10s；热退火处理后在氮气环境下进行退火处理。4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述退火处理的时长不小于20秒。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述抛光退火处理后的硼磷硅玻璃层，...

【专利技术属性】
技术研发人员：周国安，罗大杰，
申请(专利权)人：赛莱克斯微系统科技北京有限公司，
类型：发明
国别省市：