一种超高阶的灰度光刻方法及其设备技术

本发明专利技术涉及一种超高阶的灰度光刻方法及其设备，包括以下步骤：步骤1：将紫外光和指引光分别通过第一准直透镜模组和第二准直透镜模；步骤2：通过二向色镜后进行合束；步骤3：通过第三准直透镜组；步骤4：通过第一分光片，将一部分光透射到第一光掩模板上；步骤5：通过第一光掩模板反射回来的光将带着第一光掩模板上面的信息，接着再通过第一分光片和第二分光片反射到第二光掩模板上；步骤6：第二光掩模板与第一光掩模板所携带的信息，经透射通过第二分光片，再通过第三分光片与照明光实现合束；步骤7：通过第四分光片，光束打到样品上，照射出光掩模板上面的信息，实现了图形的转移。本发能实现更高精度和灰度的光刻。发能实现更高精度和灰度的光刻。发能实现更高精度和灰度的光刻。

【技术实现步骤摘要】
一种超高阶的灰度光刻方法及其设备


[0001]本专利技术属于光刻机
，尤其涉及一种超高阶的灰度光刻方法及其设备。

技术介绍

[0002]光刻技术在微纳加工和当代集成电路领域是一种不可或缺的技术，常见的光刻技术包含接触式、接近式和投影式。接触式会导致掩模板的污染，接近式由于引入间隙，对于工艺水平提出了更高的要求。投影式则能够有效地避免了以上的问题，同时对于光刻图形的设计具有更高的灵活性。常见的有激光直写和DMD投影两种方式，DMD投影光刻采用的是图形拼接技术，所以在效率上有着更加明显的优势。DMD本身具有灰度的功能，如果想要用更高阶灰度功能，从单个DMD上的提升需要更高的成本和更高的技术要求。

技术实现思路

[0003]为解决上述技术问题，本专利技术的目的是提供一种超高阶的灰度光刻方法及其设备。
[0004]为实现上述目的，本专利技术采用如下技术方案：
[0005]一种超高阶的灰度光刻方法，其特征在于，包括以下步骤：
[0006]步骤1：将紫外光和指引光分别通过第一准直透镜组和第二准直透镜组进行准直处本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种超高阶的灰度光刻方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：将紫外光和指引光分别通过第一准直透镜组和第二准直透镜组进行准直处理；步骤2：通过二向色镜后进行合束，再通过聚焦透镜组聚焦在匀光模组的入射端面；步骤3：通过匀光模组出来的光是均匀的发散光，再通过第三准直透镜组，变成均匀的准直光；步骤4：通过第一分光片，将一部分光透射到第一光掩模板上；步骤5：在步骤4中通过第一光掩模板反射回来的光将带着第一光掩模板上面的信息，接着再通过第一分光片和第二分光片反射到第二光掩模板上；步骤6：第二光掩模板与第一光掩模板所携带的信息，经透射通过第二分光片，再通过第三分光片与照明光实现合束；步骤7：通过第四分光片，光束打到样品上，照射出光掩模板上面的信息，实现了图形的转移，最后，反射到相机中的光可以对样品进行时时成像观测。2.根据权利要求1所述的一种超高阶的灰度光刻方法，其特征在于：所述步骤5中第一光掩模板上面的信息为图形。3.根据权利要求1所述的一种超高阶的灰度光刻方法，其特征在于：所述步...

【专利技术属性】
技术研发人员：严振中，吴阳，
申请(专利权)人：赫智科技苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：