大功率抗干扰直流继电器电路制造技术

技术编号:35710170 阅读:17 留言:0更新日期:2022-11-23 15:10
本实用新型专利技术提供一种大功率抗干扰直流继电器电路,包括:直流电源正极端;直流电源负极端;第一电容;第一稳压二极管;第一控制电路,包括第一稳压二极管及第一MOS管;第二控制电路,包括第二MOS管,第二MOS管的G极与第一MOS管的D极连接,D极输出与继电器线圈的一端连接,线圈的另一端接入直流电源正极端。第一控制电路在接入交流输入时,第一MOS管一直处于导通状态,使得第二MOS管关断,继电器不产生响应和动作;在接入直流输入时第二MOS管延时导通,继电器线圈得电,驱动继电器的触点动作。本实用新型专利技术的大功率抗干扰直流继电器电路在交流输入时输出节点可靠不动作且继电器不响应,直流输入时的有效动作时间和动作电压满足测试和使用要求。试和使用要求。试和使用要求。

【技术实现步骤摘要】
大功率抗干扰直流继电器电路


[0001]本技术涉及继电器
,具体而言涉及一种大功率抗干扰直流继电器电路。

技术介绍

[0002]常规的中间继电器是实现控制方与被控制方之间的控制策略的主要器件,其主要由四部分构成,分别是线圈、磁路、恢复弹簧和触点。磁路由铁芯、铁扼和衔铁构成,为线圈产生的磁通建立磁路通道。线圈通电,动铁芯在电磁力作用下动作吸合,带动动触点动作,使常闭触点分开,常开触点闭合;线圈断电,动铁芯在弹簧的作用下带动动触点复位。
[0003]在实际应用过程中,以直接继电器为例,其额定电压范围例如220VDC、125VDC、110VDC、48VDC以及24VDC,要求交流输入时继电器不动作,启动功率大于5W,动作时间在10

35ms范围内,传统的继电器电路设计中,在继电器的线圈上并联一电容电路、串联分压电阻,如图1所示,交流输入时,继电器线圈被电容电路断路,继电器不动作,而在直流电输入时,电容进行充电,为了实现动作时间要求需要选用合适的电容,但在测试过程中发现在同样的电容设计在不同的继电器中,充电时间较长而且不一致,导致动作时间不能保证,会出现比较大的波动和不稳定性。
[0004]现有技术文献:CN108288565A 一种抗干扰继电器电路。

技术实现思路

[0005]本技术目的在于提供一种大功率抗干扰直流继电器电路,可实现交流输入不动作且继电器不响应的需求,同时满足启动功率、动作电压控制以及动作时间要求,实现优异的抗干扰效果。
[0006]根据本技术的目的的第一方面提出一种大功率抗干扰直流继电器电路,包括:
[0007]直流电源正极端;
[0008]直流电源负极端;
[0009]第一电容,一端与直流电源正极端连接,另一端经由第一电阻 ,并通过第一稳压二极管连接到与直流电源负极端;第一稳压二极管的正极与所述直流电源负极端连接,第一稳压二极管的负极端与第一电阻连接;
[0010]第一控制电路,包括前述的第一稳压二极管以及第一MOS管,第一MOS管的G极连接在第一稳压二极管的负极与第一电容之间,第一MOS管的S极接直流电源负极端;
[0011]第二控制电路,包括第二MOS管,第二MOS管的G极与第一MOS管的D极连接,第二MOS管的S极接直流电源负极端;并且,第二MOS管的D极经由第五电阻与继电器的线圈的一端连接,线圈的另一端经由第一二极管接入直流电源正极端;第一二极管的正极与直流电源正极端连接;
[0012]其中,所述第一控制电路,被设置成在直流电源正极端与直流电源负极端之间接
入交流输入时,第一MOS管一直处于导通状态,使得所述第二MOS管关断,继电器不产生响应和动作;
[0013]所述第二控制电路,被设置成在直流电源正极端与直流电源负极端之间接入直流输入时,经由第一电容进行充电,第一电容的充电电流经过第一稳压二极管使得第一MOS管导通,并且等第一电容充满电后第二MOS管开始导通,继电器KM的线圈得电,驱动继电器的触点动作。
[0014]优选地,所述第一稳压二极管的负极端经由一第二电阻连接至第一MOS管的G极,第一MOS管的S极接直流电源负极端;所述第二电阻与第一MOS管的G极之间还并联一第三电阻,第三电阻的另一端接直流电源负极端;
[0015]第一MOS管的D极串联一第四电阻并且经过所述第一二极管,接入直流电源正极端。
[0016]优选地,所述第一稳压二极管的负极端与直流电源负极端之间还并联一第一调节电容。
[0017]优选地,所述第二控制电路还包括第二稳压二极管、第六电阻和第七电阻;
[0018]所述第一MOS管的D极串联第六电阻后接入第二MOS管的G极;所述第一MOS管的D极与第六电阻之间并联第二稳压二极管,第二稳压二极管的正极接入直流电源负极端,第二稳压二极管的负极端接第一MOS管的D极;
[0019]所述第六电阻与第二MOS管的G极之间并联第七电阻,第七电阻的另一端接直流电源负极端;
[0020]第二MOS管的S极接直流电源负极端。
[0021]优选地,所述第二控制电路还包括第二调节电容,一端接入直流电源负极端,另一端接入第一MOS管的D极。
[0022]优选地,所述继电器的线圈两端还分别并联第二二极管以及第三调节电容,分别并联在第一二极管的负极与第五电阻之间。
[0023]优选地,第一MOS管与第二MOS管均为N型MOS管。
[0024]应当理解,前述构思以及在下面更加详细地描述的额外构思的所有组合只要在这样的构思不相互矛盾的情况下都可以被视为本公开的技术主题的一部分。另外,所要求保护的主题的所有组合都被视为本公开的技术主题的一部分。
[0025]结合附图从下面的描述中可以更加全面地理解本技术教导的前述和其他方面、实施例和特征。本技术的其他附加方面例如示例性实施方式的特征和/或有益效果将在下面的描述中显见,或通过根据本技术教导的具体实施方式的实践中得知。
附图说明
[0026]附图不意在按比例绘制。在附图中,在各个图中示出的每个相同或近似相同的组成部分可以用相同的标号表示。为了清晰起见,在每个图中,并非每个组成部分均被标记。现在,将通过例子并参考附图来描述本技术的各个方面的实施例,其中:
[0027]图1是现有技术中抗干扰继电器的原理图。
[0028]图2是本技术示例性实施例的抗干扰直流继电器电路的原理图。
具体实施方式
[0029]为了更了解本技术的
技术实现思路
,特举具体实施例并配合所附图式说明如下。
[0030]在本公开中参照附图来描述本技术的各方面,附图中示出了许多说明的实施例。本公开的实施例不必定意在包括本技术的所有方面。应当理解,上面介绍的多种构思和实施例,以及下面更加详细地描述的那些构思和实施方式可以以很多方式中任意一种来实施,这是因为本技术所公开的构思和实施例并不限于任何实施方式。另外,本技术公开的一些方面可以单独使用,或者与本技术公开的其他方面的任何适当组合来使用。
[0031]结合图2所示的本技术的示例性实施例的大功率抗干扰直流继电器电路,以额定电压为220VDC的大功率直流中间继电器为例,包括直流电源正极端110和直流电源负极端120。
[0032]结合图1所示,第一电容C1,一端与直流电源正极端110连接,另一端经由第一电阻 R1,并通过第一稳压二极管VD1连接到与直流电源负极端120;第一稳压二极管VD1的正极与直流电源负极端120连接,第一稳压二极管VD1的负极端与第一电阻 R1连接。
[0033]第一控制电路130,包括前述的第一稳压二极管VD1以及第一MOS管Q1,第一MOS管Q1的G极连接在第一稳压二极管VD1的负极与第一电容C1之间,第一MOS管Q1的S极接直流电源负极端120。
[0034]第二控制电路140,包括第二MOS本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种大功率抗干扰直流继电器电路,其特征在于,包括:直流电源正极端(110);直流电源负极端(120);第一电容(C1),一端与直流电源正极端(110)连接,另一端经由第一电阻( R1),并通过第一稳压二极管(VD1)连接到与直流电源负极端(120);第一稳压二极管(VD1)的正极与所述直流电源负极端(120)连接,第一稳压二极管(VD1)的负极端与第一电阻(R1)连接;第一控制电路(130),包括前述的第一稳压二极管(VD1)以及第一MOS管(Q1),第一MOS管(Q1)的G极连接在第一稳压二极管(VD1)的负极与第一电容(C1)之间,第一MOS管(Q1)的S极接直流电源负极端(120);第二控制电路(140),包括第二MOS管(Q2),第二MOS管(Q2)的G极与第一MOS管(Q1)的D极连接,第二MOS管(Q2)的S极接直流电源负极端(120);并且,第二MOS管(Q2)的D极经由第五电阻(R5)与继电器(KM)的线圈的一端连接,线圈的另一端经由第一二极管(D1)接入直流电源正极端(110);其中,所述第一控制电路(130),被设置成在直流电源正极端(110)与直流电源负极端(120)之间接入交流输入时,第一MOS管(Q1)一直处于导通状态,使得所述第二MOS管(Q2)关断,继电器(KM)不产生响应和动作;所述第二控制电路(140),被设置成在直流电源正极端(110)与直流电源负极端(120)之间接入直流输入时,经由第一电容(C1)进行充电,第一电容(C1)的充电电流经过第一稳压二极管(VD1)使得第一MOS管(Q1)导通,并且等第一电容(C1)充满电后第二MOS管(Q2)开始导通,继电器(KM)的线圈得电,驱动继电器(KM)的触点动作。2.根据权利要求1所述的大功率抗干扰直流继电器电路,其特征在于,所述第一稳压二极管(VD1)的负极端经由一第二电阻(R2)连接至第一MOS管(Q1)的G极,第一MOS管(Q1)的S极接直流电源负极端(120);所述第二电阻(R2)与第一MOS管(Q1)的G极之间还并联一第三电阻(R3)...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘永理李薇倪娜顾家和
申请(专利权)人:南京华用电气有限公司
类型:新型
国别省市:

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