时序控制方法、装置、图像传感器、介质及终端制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种时序控制方法、装置、图像传感器、介质及终端，所述时序控制方法包括：依次进行的N个处理阶段；在任意一个所述处理阶段，控制所述复位晶体管进行复位，并在所述复位晶体管复位之后，对一个所述光电传输单元中的光电二极管进行曝光、复位信号读取；对曝光完成的光电二极管所在的光电传输单元的传输晶体管进行导通，并进行感光信号读取；所述N个处理阶段处理的所述光电传输单元均不同。本发明专利技术通过在任意一个处理阶段对曝光完成的光电二极管所在的光电传输单元的传输晶体管进行导通，其余传输晶体管均不导通，相比于现有技术，不仅节省了功耗，也不会在得到的图像上出现行方向异常条纹。出现行方向异常条纹。出现行方向异常条纹。

【技术实现步骤摘要】
时序控制方法、装置、图像传感器、介质及终端


[0001]本专利技术涉及集成电路设计
，尤其涉及一种时序控制方法、装置、图像传感器、介质及终端。

技术介绍

[0002]图像传感器的分辨率在不断提高，以满足目前各类成像应用的要求。目前，为了提高分辨率，只能扩充像素阵列，在阵列不断扩大的情况下，需要有效地缩减图像传感器的整体面积以保证在合理的功耗下，像素驱动信号的一致性、完整性，以确保图像质量。为此，多像素共享结构被普遍应用。而多像素共享结构在强光环境下，像素信号在共享单元中被逐个读取的过程中，非读取像素感光二极管PD由于提前饱和(在完成共享单元中1行像素单元所需的曝光时间内，其余像素单元也会饱和的光照强度下)会将多余电子溢出到浮置扩散区FD，致使当前读取的像素信号值比实际值偏小，使图像出现行方向上的异常条纹。为了实现最小曝光时间(即实现像素阵列中的1行像素单元完成的曝光的时间)也能正常分辨图像细节，目前普遍采用的像素单元控制时序需要对同单元中各个浮置扩散区FD同时进行多次复位操作，以确保非读像素不会在其他像素读取时达到饱和溢出。但是这种操作时序需要传输管驱动器同时驱动多行像素，行驱动电路的功耗、面积开销将会很大。
[0003]因此，本申请提出了一种时序控制方法、装置、图像传感器、介质及终端，以在最小曝光时间内在实现正常分辨图像细节的前提下，也能降低行驱动电路的功耗。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供了一种时序控制方法、装置、图像传感器、介质及终端，以解决现有的操作时序所带来的功耗较大的问题。
[0005]第一方面，本专利技术提供一种多像素共享单元的时序控制方法，提供多像素共享单元，所述多像素共享单元包括N个光电传输单元、复位晶体管、放大晶体管和行选晶体管，所述N为大于或等于2的整数，所述光电传输单元包括光电二极管和一个传输晶体管，所述光电二极管的阳极接地、且所述光电二极管的阴极连接所述传输晶体管的源极，所述传输晶体管的栅极用于接收第一信号，且所述N个光电传输单元中的传输晶体管的漏极连接浮置扩散区；所述复位晶体管的源极、以及所述放大晶体管的栅极连接所述浮置扩散区；所述复位晶体管的漏极连接电源，所述复位晶体管的栅极接收第二信号；所述放大晶体管的漏极连接电源，所述放大晶体管的源极连接所述行选晶体管的漏极，所述行选晶体管的栅极接收第三信号，所述行选晶体管的源极连接行输出线；包括：依次进行的N个处理阶段；在任意一个所述处理阶段，控制所述复位晶体管进行复位，并在所述复位晶体管复位之后，对一个所述光电传输单元中的光电二极管进行曝光、复位信号读取；对曝光完成的光电二极管所在的光电传输单元的传输晶体管进行导通，并进行感光信号读取；所述N个处理阶段处理的所述光电传输单元均不同。
[0006]其有益效果在于：本专利技术通过在任意一个处理阶段对曝光完成的光电二极管所在
的光电传输单元的传输晶体管进行导通，其余传输晶体管均不导通，相比于现有技术，不仅节省了功耗，还可以保证每个所述光电传输单元中的光电二极管在读取过程中，受到来自其余所述光电传输单元上溢出的漏电影响是一致的，所以也不会在得到的图像上出现行方向异常条纹。
[0007]可选地，所述在任意一个所述处理阶段，控制所述复位晶体管进行复位，并在所述复位晶体管复位之后，对一个所述光电传输单元中的光电二极管进行曝光、复位信号读取；对曝光完成的光电二极管所在的光电传输单元的传输晶体管进行导通，并进行感光信号读取，包括：所述处理阶段包括复位控制阶段、曝光控制阶段、复位信号读取控制阶段、感光信号读取阶段；进入任意一个所述处理阶段的复位控制阶段，给予所述第二信号高电位，使得所述复位晶体管进行复位；给予所述第二信号低电位，进入当前所述处理阶段的曝光控制阶段，对当前处理阶段所对应的光电传输单元的光电二极管进行曝光；进入当前处理阶段的复位信号读取控制阶段，对当前处理阶段所对应的光电传输单元的光电二极管进行复位信号读取；控制当前所述处理阶段所对应的传输晶体管所接收到的所述第一信号为高电位、以及控制其余处理阶段的传输晶体管所接收到的所述第二信号为低电位，使得当前所述处理阶段所对应的传输晶体管导通、所述其余处理阶段的传输晶体管不导通；进入当前处理阶段的感光信号读出阶段，对当前处理阶段所对应的光电传输单元的光电二极管进行感光信号读取。
[0008]第二方面，本专利技术提供一种多像素共享单元的时序控制装置，提供多像素共享单元，所述多像素共享单元包括N个光电传输单元、复位晶体管、放大晶体管和行选晶体管，所述N为大于或等于2的整数，所述光电传输单元包括光电二极管和一个传输晶体管，所述光电二极管的阳极接地、且所述光电二极管的阴极连接所述传输晶体管的源极，所述传输晶体管的栅极用于接收第一信号，且所述N个光电传输单元中的传输晶体管的漏极连接浮置扩散区；所述复位晶体管的源极、以及所述放大晶体管的栅极连接所述浮置扩散区；所述复位晶体管的漏极连接电源，所述复位晶体管的栅极接收第二信号；所述放大晶体管的漏极连接电源，所述放大晶体管的源极连接所述行选晶体管的漏极，所述行选晶体管的栅极接收第三信号，所述行选晶体管的源极连接行输出线；包括：控制模块；所述控制模块用于控制N个处理阶段依次进行，且还用于在任意一个所述处理阶段，控制所述复位晶体管进行复位，并在所述复位晶体管复位之后，对一个所述光电传输单元中的光电二极管进行曝光、复位信号读取；对曝光完成的光电二极管所在的光电传输单元的传输晶体管进行导通，并进行感光信号读取；所述N个处理阶段处理的所述光电传输单元均不同。
[0009]可选地，所述控制模块包括复位控制单元、曝光控制单元、导通控制单元、读取控制单元，所述读取控制单元包括第一读取子单元和第二读取子单元；所述处理阶段包括复位控制阶段、曝光控制阶段、复位信号读取控制阶段、感光信号读取阶段；所述复位控制单元用于进入任意一个所述处理阶段的复位控制阶段，给予所述第二信号高电位，使得所述复位晶体管进行复位；所述曝光控制单元用于给予所述第二信号低电位，进入当前所述处理阶段的曝光控制阶段，对当前处理阶段所对应的光电传输单元的光电二极管进行曝光；所述第一读取子单元用于进入当前处理阶段的复位信号读取控制阶段，对当前处理阶段所对应的光电传输单元的光电二极管进行复位信号读取；所述导通控制单元用于控制当前所述处理阶段所对应的传输晶体管所接收到的所述第一信号为高电位、以及控制其余处理阶
段的传输晶体管所接收到的所述第二信号为低电位，使得当前所述处理阶段所对应的传输晶体管导通、所述其余处理阶段的传输晶体管不导通；所述第二子读取单元用于进入当前处理阶段的感光信号读出阶段，对当前处理阶段所对应的光电传输单元的光电二极管进行感光信号读取。
[0010]第三方面，本专利技术提供一种CMOS图像传感器，包括：至少一个多像素共享单元构成的像素阵列、至少一个如第二方面中任一项所述的多像素共享单元的时序控制装置、模数转换器模块、基准源、时序控制模块、译码驱动模块、输出信号处理模块；所述多像素共享单元包括N个光电传输单元、复位晶体管、放大晶体管和本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多像素共享单元的时序控制方法，提供多像素共享单元，所述多像素共享单元包括N个光电传输单元、复位晶体管、放大晶体管和行选晶体管，所述N为大于或等于2的整数，所述光电传输单元包括光电二极管和一个传输晶体管，所述光电二极管的阳极接地、且所述光电二极管的阴极连接所述传输晶体管的源极，所述传输晶体管的栅极用于接收第一信号，且所述N个光电传输单元中的传输晶体管的漏极连接浮置扩散区；所述复位晶体管的源极、以及所述放大晶体管的栅极连接所述浮置扩散区；所述复位晶体管的漏极连接电源，所述复位晶体管的栅极接收第二信号；所述放大晶体管的漏极连接电源，所述放大晶体管的源极连接所述行选晶体管的漏极，所述行选晶体管的栅极接收第三信号，所述行选晶体管的源极连接行输出线；其特征在于，包括：依次进行的N个处理阶段；在任意一个所述处理阶段，控制所述复位晶体管进行复位，并在所述复位晶体管复位之后，对一个所述光电传输单元中的光电二极管进行曝光、复位信号读取；对曝光完成的光电二极管所在的光电传输单元的传输晶体管进行导通，并进行感光信号读取；所述N个处理阶段处理的所述光电传输单元均不同。2.根据权利要求1所述的多像素共享单元的时序控制方法，其特征在于，所述在任意一个所述处理阶段，控制所述复位晶体管进行复位，并在所述复位晶体管复位之后，对一个所述光电传输单元中的光电二极管进行曝光、复位信号读取；对曝光完成的光电二极管所在的光电传输单元的传输晶体管进行导通，并进行感光信号读取，包括：所述处理阶段包括复位控制阶段、曝光控制阶段、复位信号读取控制阶段、感光信号读取阶段；进入任意一个所述处理阶段的复位控制阶段，给予所述第二信号高电位，使得所述复位晶体管进行复位；给予所述第二信号低电位，进入当前所述处理阶段的曝光控制阶段，对当前处理阶段所对应的光电传输单元的光电二极管进行曝光；进入当前处理阶段的复位信号读取控制阶段，对当前处理阶段所对应的光电传输单元的光电二极管进行复位信号读取；控制当前所述处理阶段所对应的传输晶体管所接收到的所述第一信号为高电位、以及控制其余处理阶段的传输晶体管所接收到的所述第二信号为低电位，使得当前所述处理阶段所对应的传输晶体管导通、所述其余处理阶段的传输晶体管不导通；进入当前处理阶段的感光信号读出阶段，对当前处理阶段所对应的光电传输单元的光电二极管进行感光信号读取。3.一种多像素共享单元的时序控制装置，提供多像素共享单元，所述多像素共享单元包括N个光电传输单元、复位晶体管、放大晶体管和行选晶体管，所述N为大于或等于2的整数，所述光电传输单元包括光电二极管和一个传输晶体管，所述光电二极管的阳极接地、且所述光电二极管的阴极连接所述传输晶体管的源极，所述传输晶体管的栅极用于接收第一信号，且所述N个光电传输单元中的传输晶体管的漏极连接浮置扩散区；所述复位晶体管的源极、以及所述放大晶体管的栅极连接所述浮置扩散区；所述复位晶体管的漏极连接电源，所述复位晶体管的栅极接收第二信号；所述放大晶体管的漏极连
接电源，所述放大晶体管的源极连接所述行选晶体管的漏极，所述行选晶体管的栅极接收第三信号，所述行选晶体管的源极连接行输出线；其特征在于，包括：控制模块；所述控制模块用于控制N个处理阶段依次进行，且还用于在任意一个所述处理阶段，控制所述复位晶体管进行复位，并在所述复位晶体管复位之后，对一个所述光电传输单元中的光电二极管进行曝光、复位信号读取；对曝光完成的光电二极管所在的光电传输单元的传输晶体管进行导通，并进行感光信号读...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡化，
申请(专利权)人：成都微光集电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：