切割芯片接合薄膜制造技术

本发明专利技术的切割芯片接合薄膜具备：在基材层上层叠有粘合剂层的切割带、以及层叠在前述切割带的粘合剂层上的芯片接合层，前述粘合剂层包含丙烯酸系聚合物，前述丙烯酸系聚合物包含15摩尔％以上的、具有碳数9以上的烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元，温度

【技术实现步骤摘要】
切割芯片接合薄膜


[0001]本专利技术涉及切割芯片接合薄膜。

技术介绍

[0002]以往，在半导体装置的制造中，为了得到芯片接合用的半导体芯片，已知使用切割芯片接合薄膜(例如专利文献1)。
[0003]前述切割芯片接合薄膜具备：在基材层上层叠有粘合剂层的切割带；以及可剥离地层叠于该切割带的粘合剂层上的芯片接合层。
[0004]并且，作为使用前述切割芯片接合薄膜来得到芯片接合用的半导体芯片(小片，die)的方法，已知采用具有如下工序的方法：半切割工序，为了通过割断处理将半导体晶圆加工成芯片(小片)而对半导体晶圆形成槽；背面研磨工序，对半切割工序后的半导体晶圆进行磨削而使厚度减薄；安装工序，将背面研磨工序后的半导体晶圆的一个面(例如与电路面处于相反侧的面)贴附于芯片接合层，从而将半导体晶圆固定于切割带；扩展工序，使半导体芯片彼此的间隔扩宽；切缝维持工序，维持半导体芯片彼此的间隔；以及，拾取工序，将芯片接合层与粘合剂层之间剥离，以贴附有芯片接合层的状态取出半导体芯片。
[0005]接下来，在前述拾取工序中以贴附于芯片接合层的状态取出的半导体芯片(以下也称为带芯片接合层的半导体芯片)会被粘接于作为被粘物的布线基板。
[0006]如上所述的半导体装置的制造方法中，前述扩展工序通常通过以下方式实施：在
‑
20℃～5℃的范围内的温度下对前述切割带进行拉伸，由此将前述芯片接合层割断而得到单片化的多个芯片接合层后(冷扩展)，在比上述温度高的温度(例如23
±
2℃)下，进一步使相邻的经单片化的芯片接合层彼此的间隔扩宽(常温扩展)。
[0007]现有技术文献
[0008]专利文献
[0009]专利文献1：日本特开2019
‑
9203号公报

技术实现思路

[0010]专利技术要解决的问题
[0011]另一方面，前述扩展工序中，在实施冷扩展时，有时前述粘合剂层会产生破裂。
[0012]这样，如果在实施冷扩展时前述粘合剂层产生破裂，则在通过常温扩展来进一步扩宽经单片化的芯片接合层彼此的间隔时，有如下的担心：夹着破裂而相对的芯片接合层彼此的间隔变得比配置在未产生破裂的前述粘合剂层上的芯片接合层彼此的间隔更宽。即，在前述扩展工序后，有经单片化的芯片接合层彼此的间隔的不均匀性变大的担心。
[0013]这样，经单片化的芯片接合层彼此的间隔的不均匀性变大时，在前述拾取工序中，会变得难以拾取带芯片接合层的半导体芯片，故不优选。
[0014]然而，在前述扩展工序中，关于抑制前述粘合剂层产生破裂，很难说进行了充分的研究。
[0015]因此，本专利技术的课题在于，提供在扩展工序中能够抑制粘合剂层产生破裂的切割芯片接合薄膜。
[0016]用于解决问题的方案
[0017]本专利技术的切割芯片接合薄膜具备：
[0018]在基材层上层叠有粘合剂层的切割带、以及
[0019]层叠在前述切割带的粘合剂层上的芯片接合层，
[0020]前述粘合剂层包含丙烯酸系聚合物，
[0021]前述丙烯酸系聚合物包含15摩尔％以上的、具有碳数9以上的烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元，
[0022]温度
‑
15℃下的前述粘合剂层的剪切储能模量为10MPa以上，
[0023]使用FOX式算出的前述丙烯酸系聚合物的玻璃化转变温度为
‑
47℃以上且5℃以下。
[0024]前述切割芯片接合薄膜中，优选的是，
[0025]前述切割带的厚度为50μm以上且250μm以下。
[0026]前述切割芯片接合薄膜中，优选的是，
[0027]前述切割带的25％拉伸强度为2N/10mm以上且50N/10mm以下。
[0028]前述切割芯片接合薄膜中，优选的是，
[0029]前述基材层与前述粘合剂层的180
°
剥离强度在常温下为1.0N/20mm以上。
[0030]前述切割芯片接合薄膜中，优选的是，
[0031]前述丙烯酸系聚合物包含：具有碳数9以上的烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元、以及含羟基的(甲基)丙烯酸酯的结构单元，
[0032]且包含小于40摩尔％的前述含羟基的(甲基)丙烯酸酯。
[0033]前述切割芯片接合薄膜中，优选的是，
[0034]前述切割带在温度
‑
15℃下以拉伸速度1000mm/min拉伸200％时，前述粘合剂层不产生破裂。
[0035]前述切割芯片接合薄膜中，优选的是，
[0036]其用于切割半导体晶圆。
附图说明
[0037]图1为示出本专利技术的一个实施方式的切割芯片接合薄膜的构成的截面图。
[0038]图2A为示意性示出半导体集成电路的制造方法中的半切割加工的状况的截面图。
[0039]图2B为示意性示出半导体集成电路的制造方法中的半切割加工的状况的截面图。
[0040]图2C为示意性示出半导体集成电路的制造方法中的背面研磨加工的状况的截面图。
[0041]图2D为示意性示出半导体集成电路的制造方法中的背面研磨加工的状况的截面图。
[0042]图3A为示意性示出半导体集成电路的制造方法中的安装工序的状况的截面图。
[0043]图3B为示意性示出半导体集成电路的制造方法中的安装工序的状况的截面图。
[0044]图4A为示意性示出半导体集成电路的制造方法中的低温下的扩展工序的状况的
截面图。
[0045]图4B为示意性示出半导体集成电路的制造方法中的低温下的扩展工序的状况的截面图。
[0046]图4C为示意性示出半导体集成电路的制造方法中的低温下的扩展工序的状况的截面图。
[0047]图5A为示意性示出半导体集成电路的制造方法中的常温下的扩展工序的状况的截面图。
[0048]图5B为示意性示出半导体集成电路的制造方法中的常温下的扩展工序的状况的截面图。
[0049]图6为示意性示出半导体集成电路的制造方法中的切缝维持工序的状况的截面图。
[0050]图7为示意性示出半导体集成电路的制造方法中的拾取工序的状况的截面图。
[0051]图8为用于说明破裂和切缝宽度的观察部位的图。
[0052]附图标记说明
[0053]1基材层
[0054]2粘合剂层
[0055]3芯片接合层
[0056]10切割带
[0057]20切割芯片接合薄膜
[0058]C中心部的区域
[0059]EP1～EP8端缘附近的区域
[0060]G背面研磨带
[0061]H保持工具
[0062]J吸附夹具
[0063]L1～L8假想线段
[0064]P销构件
[0065]R切割环
[0066]S供试品
[0067]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种切割芯片接合薄膜，其具备：在基材层上层叠有粘合剂层的切割带、以及层叠在所述切割带的粘合剂层上的芯片接合层，所述粘合剂层包含丙烯酸系聚合物，所述丙烯酸系聚合物包含15摩尔％以上的、具有碳数9以上的烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元，温度
‑
15℃下的所述粘合剂层的剪切储能模量为10MPa以下，使用FOX式算出的所述丙烯酸系聚合物的玻璃化转变温度为
‑
47℃以上且5℃以下。2.根据权利要求1所述的切割芯片接合薄膜，其中，所述切割带的厚度为50μm以上且250μm以下。3.根据权利要求1或2所述的切割芯片接合薄膜，其中，所述切割带的25％拉伸强度为2N/10mm以上且50N/10...

【专利技术属性】
技术研发人员：杉村敏正，角野雅俊，福井章洋，中浦宏，吉田直子，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：