一种芯片输出电流控制电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种芯片输出电流控制电路，其包括：偏置电流输出模块，接入参考电压，用于根据所述参考电压产生输出偏置电流并输出至芯片的输出端；偏置电流输入模块，接入所述参考电压，用于根据所述参考电压产生输入偏置电流以调节所述输出端的电流；所述输出端的电流为所述输出偏置电流与所述输入偏置电流的差值电流。本实用新型专利技术根据接入的参考电压产生输出偏置电流并输出至芯片的输出端，并根据接入的参考电压产生输入偏置电流来调节所述输出端的电流，以使输出端的电流为输出偏置电流与输入偏置电流的差值电流，使得芯片通过采用差分电流输出的方式可以对芯片输出电流进行调节以保证芯片输出电流的精度要求，使得可以输出微小电流。可以输出微小电流。可以输出微小电流。

【技术实现步骤摘要】
一种芯片输出电流控制电路


[0001]本技术涉集成电路
，尤其涉及的是一种芯片输出电流控制电路。

技术介绍

[0002]集成电路芯片的内部MOS电路的工作偏置电流需要满足一定的大小，偏置电流太小则会造成一致性差或者噪声的干扰，会影响电流的稳定性。
[0003]为了让芯片输出微小电流(100nA级别)，芯片的内部电路也要工作在微小电流偏置状态(100nA级别)，此时MOS管工作在亚阈值区域。如MOS管的工作电流公式当V
GS
‑
V
t
趋近于0时，电流为无穷小，此时可以取得微小电流偏置。
[0004]实际上，MOS管的阈值电压Vt是会变化的，因为制造工艺偏差，V
t
＝V0+dV
t
，V0是器件的理想阈值电压，dV
t
是工艺偏差导致的失配阈值电压。当需要获取一个0(或接近于0)的电流值时，理想情况下V
GS
‑
V
t
＝V
GS
‑
V0＝0，即
[0005]实际上V
GS
‑
V
t
＝V
GS
‑
(V0+dV
t
)＝
‑
dV
t
，
[0006]可见dV
t
的影响很严重，即器件的工艺失配造成MOS管的偏置电流偏差很大。当MOS管设置偏置电流100nA时，实际输出电流可能为0，也可能是200nA，达不到+
‑
5％偏差的要求，由此生产的芯片输出电流也无法精确控制。
[0007]因此，现有技术还有待于改进和发展。

技术实现思路

[0008]鉴于上述现有技术的不足，本技术的目的在于提供一种芯片输出电流控制电路，以解决现有芯片输出电流控制电路因MOS管的制造工艺偏差导致芯片输出电流无法精确控制的问题。
[0009]本技术的技术方案如下：
[0010]一种芯片输出电流控制电路，其包括：
[0011]偏置电流输出模块，接入参考电压，用于根据所述参考电压产生输出偏置电流并输出至芯片的输出端；
[0012]偏置电流输入模块，接入所述参考电压，用于根据所述参考电压产生输入偏置电流以调节所述输出端的电流；
[0013]其中，所述输出端的电流为所述输出偏置电流与所述输入偏置电流的差值电流。
[0014]本技术的进一步设置，所述偏置电流输出模块包括：第一可调电流输出单元与第一MOS管；
[0015]所述第一可调电流输出单元接入所述参考电压，并根据所述参考电压产生第一可调电流；
[0016]所述第一MOS管的栅极与所述第一可调电流输出单元连接，所述第一MOS管的漏极
连接所述输出端，所述第一MOS管的源极接入电源，所述第一MOS管用于根据所述第一可调电流输出所述输出偏置电流至所述输出端。
[0017]本技术的进一步设置，所述第一可调电流输出单元包括：第一运算放大器、第二MOS管与第一电阻；其中，
[0018]所述第一运算放大器的反相输入端接入所述参考电压，所述第一运算放大器的同相输入端与所述第一电阻的一端连接，所述第一运算放大器的输出端与所述第二MOS管的栅极连接；
[0019]所述第二MOS管的栅极还与所述第一MOS管的栅极连接，所述第二MOS管的漏极与所述第一电阻的一端连接，所述第二MOS管的源极接入电源；
[0020]所述第一电阻的另一端接地。
[0021]本技术的进一步设置，所述第一MOS管与所述第二MOS管构成电流镜结构，所述第一MOS管成比例的复制所述第二MOS管的电流。
[0022]本技术的进一步设置，所述偏置电流输入模块包括：第二可调电流输出单元、第三MOS管与输入偏置电流单元；其中，
[0023]所述第二可调电流输出单元接入所述参考电压，并根据所述参考电压产生第二可调电流；
[0024]所述第三MOS管的栅极与所述第二可调电流输出单元连接，所述第三MOS管的漏极与所述输入偏置电流单元连接，所述第三MOS管的源极接入电源，所述第三MOS管用于根据所述第二可调电流产生一输出电流至所述输入偏置电流单元；
[0025]所述输入偏置电流单元与所述第三MOS管的漏极连接，用于将所述输出电流转化为所述输入偏置电流。
[0026]本技术的进一步设置，所述第二可调电流输出单元包括：第二运算放大器、第四MOS管与第二电阻；其中，
[0027]所述第二运算放大器的反相输入端接入所述参考电压，所述第二运算放大器的同相输入端与所述第二电阻的一端连接，所述第二运算放大器的输出端与所述第四MOS管的栅极连接；
[0028]所述第四MOS管的栅极还与所述第三MOS管的栅极连接，所述第四MOS管的漏极与所述第二电阻的一端连接，所述第四MOS管的源极接入电源；
[0029]所述第二电阻的另一端接地。
[0030]本技术的进一步设置，所述输入偏置电流单元包括：第五MOS管与第六MOS管；其中，
[0031]所述第五MOS管的栅极与所述第六MOS管的栅极连接，所述第五MOS管的漏极与所述第三MOS管的漏极连接，所述第五MOS管的源极接地；其中，所述第五MOS管的漏极与栅极连接；
[0032]所述第六MOS管的漏极与所述输出端连接，所述第六MOS管的源极接地。
[0033]本技术的进一步设置，所述第三MOS管与所述第四MOS管构成电流镜结构，所述第三MOS管成比例的复制所述第四MOS管的电流。
[0034]本技术的进一步设置，所述第五MOS管与所述第六MOS管构成电流镜结构，所述第六MOS管成比例的复制所述第五MOS管的电流。
[0035]本技术所提供的一种芯片输出电流控制电路，其包括：偏置电流输出模块，接入参考电压，用于根据所述参考电压产生输出偏置电流并输出至芯片的输出端；偏置电流输入模块，接入所述参考电压，用于根据所述参考电压产生输入偏置电流以调节所述输出端的电流；其中，所述输出端的电流为所述输出偏置电流与所述输入偏置电流的差值电流。本技术根据接入的参考电压产生输出偏置电流并输出至芯片的输出端，并根据接入的参考电压产生输入偏置电流来调节所述输出端的电流，以使所述输出端的电流为所述输出偏置电流与所述输入偏置电流的差值电流，即芯片通过采用差分电流输出的的方式可以对芯片输出电流进行调节以保证芯片输出电流的精度要求，使得可以输出微小电流。
附图说明
[0036]为了更清楚的说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
[00本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片输出电流控制电路，其特征在于，包括：偏置电流输出模块，接入参考电压，用于根据所述参考电压产生输出偏置电流并输出至芯片的输出端；偏置电流输入模块，接入所述参考电压，用于根据所述参考电压产生输入偏置电流以调节所述输出端的电流；其中，所述输出端的电流为所述输出偏置电流与所述输入偏置电流的差值电流。2.根据权利要求1所述的芯片输出电流控制电路，其特征在于，所述偏置电流输出模块包括：第一可调电流输出单元与第一MOS管；所述第一可调电流输出单元接入所述参考电压，并根据所述参考电压产生第一可调电流；所述第一MOS管的栅极与所述第一可调电流输出单元连接，所述第一MOS管的漏极连接所述输出端，所述第一MOS管的源极接入电源，所述第一MOS管用于根据所述第一可调电流输出所述输出偏置电流至所述输出端。3.根据权利要求2所述的芯片输出电流控制电路，其特征在于，所述第一可调电流输出单元包括：第一运算放大器、第二MOS管与第一电阻；其中，所述第一运算放大器的反相输入端接入所述参考电压，所述第一运算放大器的同相输入端与所述第一电阻的一端连接，所述第一运算放大器的输出端与所述第二MOS管的栅极连接；所述第二MOS管的栅极还与所述第一MOS管的栅极连接，所述第二MOS管的漏极与所述第一电阻的一端连接，所述第二MOS管的源极接入电源；所述第一电阻的另一端接地。4.根据权利要求3所述的芯片输出电流控制电路，其特征在于，所述第一MOS管与所述第二MOS管构成电流镜结构，所述第一MOS管成比例的复制所述第二MOS管的电流。5.根据权利要求1所述的芯片输出电流控制电路，其特征在于，所述偏置电流输入模块包括：第二可调电流输出单元、第三MOS管与输入偏置电流单元；其中，所述第二可调电流输出单元接入所述参考电压，...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚瑞琨，纪静文，
申请(专利权)人：深圳君略科技有限公司，
类型：新型
国别省市：