【技术实现步骤摘要】
用于无线功率接收器的装置、控制电路及自适应控制方法
[0001]本专利技术涉及通信装置,并且在特定实施例中,涉及无线功率传输系统的接收器中的通信装置。
技术介绍
[0002]随着技术的进一步发展,无线功率传输已成为一种高效且方便的机制,用于为基于电池的移动设备(例如移动电话、平板电脑、数码相机、MP3播放器等)供电或充电。无线功率传输系统通常包括初级侧发射器和次级侧接收器。初级侧发射器与次级侧接收器磁耦合。该磁耦合可以实现为松耦合变压器,该变压器具有形成在初级侧发射器中的初级侧线圈和形成在次级侧接收器中的次级侧线圈。
[0003]初级侧发射器可以包括功率转换单元,诸如功率转换器的初级侧。功率转换单元耦合到电源并且能够将电能转换为无线功率信号。次级侧接收器能够通过松耦合变压器接收无线功率信号并将接收到的无线功率信号转换为适合负载的电能。
[0004]在无线功率传输系统中,可以基于次级侧接收器处的操作参数来生成各种控制信号。控制信号可以从次级侧接收器传送到初级侧发射器。特别地,控制信号可以使用合适的调制方案以调制信号的形式从接收线圈传送到发射线圈。幅移键控(ASK)是无线功率传输系统接收器中广泛使用的调制方案。ASK是通过调制无线功率传输系统中模拟信号的波幅来实现的。信息通过模拟信号的波幅变化传递。采用模拟传感设备来检测控制信号,该控制信号可以被包括在施加到传输线圈的电流和/或电压中。可以采用初级侧发射器处的解调器对模拟传感设备检测到的信号进行解调,并将解调信号馈送到发射器控制器,以便更好地控制发射器的操 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于无线功率接收器的装置,包括:接收线圈;整流器,具有第一输入和第二输入,所述第一输入耦合到所述接收线圈的第一端,所述第二输入通过谐振电容器耦合到所述接收线圈的第二端,所述整流器被配置为将交流电压转换成用于耦合到所述装置的负载的直流电压;第一电容器和第一开关网络,串联连接在所述第一输入和地之间;和第二电容器和第二开关网络,串联连接在所述第二输入和地之间,所述第一开关网络和所述第二开关网络中的每个开关网络包括至少两个并联连接的场效应晶体管(FET),其中所述第一开关网络和所述第二开关网络被配置为调节耦合到所述接收线圈的阻抗,所述阻抗与所述装置使用的幅移键控(ASK)调制相关。2.如权利要求1所述的装置,其中:所述第一开关网络和所述第二开关网络中的每个开关网络包括四个FET;当所述第一开关网络和所述第二开关网络中的每个开关网络中的所述四个FET均导通时,第一阻抗耦合到所述接收线圈,所述第一阻抗与所述ASK调制的高状态相关;和当所述第一开关网络和所述第二开关网络中的每个开关网络中的所述四个FET中的两个FET导通,并且所述第一开关网络和所述第二开关网络中的每个开关网络中的所述四个FET中的另外两个FET断开时,第二阻抗耦合到所述接收线圈,所述第二阻抗与所述ASK调制的低状态相关。3.如权利要求1所述的装置,还包括:第三电容器和第三开关网络,串联连接在所述第一输入和地之间;和第四电容器和第四开关网络,串联连接在所述第二输入和地之间,其中:所述第一开关网络、所述第二开关网络、所述第三开关网络和所述第四开关网络中的每个网络包括两个并联连接的FET;当所述第一开关网络、所述第二开关网络、所述第三开关网络和所述第四开关网络中的每个开关网络中的两个FET导通时,第一阻抗耦合到所述接收线圈,所述第一阻抗与所述ASK调制的高状态相关;和当所述第一开关网络和所述第三开关网络中的每个开关网络中的所述两个FET导通,所述第二开关网络和所述第四开关网络中的每个开关网络中的一个FET导通,并且所述第二开关网络和所述第四开关网络中的每个开关网络中的另一个FET断开时,第二阻抗耦合到所述接收线圈,所述第二阻抗与所述ASK调制的低状态相关。4.如权利要求1所述的装置,其中:所述第一开关网络包括均以欧姆模式工作的第一FET和第二FET;所述第二开关网络包括均以欧姆模式工作的第三FET和第四FET;当所述第一FET、所述第二FET、所述第三FET和所述第四FET由栅
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源电压的第一配置控制时,第一阻抗耦合到所述接收线圈,所述第一阻抗与所述ASK调制的高状态相关;以及当所述第一FET、所述第二FET、所述第三FET和所述第四FET由栅
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源电压的第二配置控制时,第二阻抗耦合到所述接收线圈,所述第二阻抗与所述ASK调制的低状态相关。5.如权利要求1所述的装置,其中:所述第一开关网络包括第一FET和第二FET,所述第二FET工作在欧姆模式;
所述第二开关网络包括第三FET和第四FET,所述第四FET工作在欧姆模式;当所述第一FET和所述第三FET导通,并且所述第二FET和所述第四FET由栅
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源电压的第一配置控制时,第一阻抗耦合到所述接收线圈,所述第一阻抗与所述ASK调制的高状态相关;和当所述第一FET和所述第三FET导通,并且所述第二FET和所述第四FET由栅
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源电压的第二配置控制时,第二阻抗耦合到所述接收线圈,所述第二阻抗与所示ASK调制的低状态相关。6.根据权利要求1所述的装置,其中,所述装置包括在无线功率传输系统中,以及其中,所述无线功率传输系统还包括发射器,所述发射器的发射线圈磁耦合于所述接收线圈。7.根据权利要求6所述的装置,其中,根据所述整流器的第一输出端和第二输出端之间的电压测量值来调节所述阻抗。8.根据权利要求6所述的装置,其中,根据来自所述发射器的反馈来调节所述阻抗。9.一种自适应控制方法,包括:将串联连接的第一电容器和第一开关网络耦合于整流器的第一输入和地之间,所述第一输入耦合于接收线圈的第一端,所述整流器被配置为将交流电压转换成直流电压以用于耦合到无线功率传输系统的接收器的负载,所述无线功率传输系统还包括发射器,所述发射器的发射线圈磁耦合于所述接收线圈;将串联连接的第二电容器和第二开关网络耦合于所述整流器的第二输入和地之间,所述第二输入通过谐振电容器耦合到所述接收线圈的第二端,所述第一电容器和所述第二电容器位于控制电路的外部;通过所述控制电路配置所述第一开关网络和所述第二开关网络以将耦合到所述接收线圈的阻抗从第一阻抗切换到第二阻抗,所述第一阻抗与所述无线功率传输系统的所述接收器使用的幅移键控(ASK)调制的高状态相关,所述第二阻抗与所述ASK调制的低状态相关;以及通过所述控制电路动态调节所述第一开关网络和所述第二开关网络的配置以改变所述第一阻抗和所述第二阻抗中的至少一个。10.根据权利要求9所述的方法,其中所述第一开关网络和所述第二开关网络中的每个开关网络包括并联连接的四个场效应晶体管(FET),并且其中所述方法还包括:导通所述第一开关网络和所述第二开关网络中的每个开关网络中的四个FET以将所述第一...
【专利技术属性】
技术研发人员:宋益圭,李俊荣,吕焕杰,
申请(专利权)人:伏达半导体合肥有限公司,
类型:发明
国别省市:
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