一种片式ZnO压敏电阻器用内电极银浆制备方法技术

本发明专利技术提供一种片式ZnO压敏电阻器用内电极银浆制备方法，将表面改性的球状银粉，片状银粉，高分子树脂，分散剂与有机溶剂混匀，制备得到内电极银浆；表面改性的球状银粉为在银粉原粉表面包覆纳米金属氧化物，比表面积为0.5

【技术实现步骤摘要】
一种片式ZnO压敏电阻器用内电极银浆制备方法


[0001]本专利技术属于电子元件制备
，尤其是涉及一种片式ZnO压敏电阻器用内电极银浆制备方法。

技术介绍

[0002]片式压敏电阻器(VARISTOR)是压敏电阻器的一种.它是用氧化锌非线性电阻元件作为核心而制成的电冲击保护器件。氧化锌非线性电阻元件是以氧化锌(zn0)为主体材料，添加多种其他微量元素，用陶瓷工艺制成的化合物半导体元件。现代集成电路规模和速度的提高，对电子元件要求越来越严格。如小型化、高性能化、薄型化、轻型化、电容的大容量化、电阻的抗高浪涌能力等。多层片式压敏电阻器是由多个分立压敏电阻器并联构成的，具有体积小，通流容量大，表面安装性好和易实现低压化等优点。作为一种小型化、高性能抑制浪涌元件，迄今被广泛应用于IC保护、CMOS、MOSFET器件保护以及汽车电子线路保护等各个领域。
[0003]ZnO系是一种比较理想的片式元件材料，多用于片式压敏电阻器，多层片式陶瓷配方常规用ZnO
‑
Bi2O3
‑
Sb2O3系统配方。一般使用银钯浆料作为内电极。高端产品绝大部分使用杜邦、福禄、昭和等国外厂家。其主要性能指标为共烧匹配性良好、较好的抗浪涌能力，较高的导电性能。ZnO系片式压敏电阻生片中一般含铋，容易与银钯浆中的钯反应，造成产品缺陷；现有纯银浆料会产生银迁移现象，降低了产品使用性能；纯银银浆耐烧性差，高温会出现飞银现象，不适合烧结温度较高的生瓷片。并且银钯浆料电阻率较大，抑制了高性能产品的发展，且银钯浆料价格昂贵、不利于企业成本控制。

技术实现思路

[0004]为解决上述技术问题，本专利技术提供一种片式ZnO压敏电阻器用内电极银浆制备方法。
[0005]本专利技术采用的技术方案是：一种片式ZnO压敏电阻器用内电极银浆制备方法，将表面改性的球状银粉，片状银粉，高分子树脂，分散剂与有机溶剂混匀，制备得到内电极银浆；
[0006]其中，表面改性的球状银粉70％
‑
90％，片状银粉5
‑
20％，高分子树脂1％
‑
5％，分散剂0.1％
‑
3％，余量为有机溶剂。
[0007]优选地，表面改性的球状银粉为在银粉原粉表面包覆纳米金属氧化物，纳米金属氧化物添加量为银粉含量的0.2％
‑
2％。
[0008]优选地，纳米金属氧化物为纳米二氧化硅、纳米氧化铝、纳米氧化锌、纳米二氧化钛和纳米氧化锆中的一种或多种的组合。
[0009]优选地，银粉原粉为粒径为1.5
‑
5um，比表面积0.2
‑
1m2/g，振实密度4
‑
6g/ml的单晶型球形银粉。
[0010]优选地，将纳米金属氧化物加入到乙醇中，再加入到纳米金属氧化物含量1
‑
5％的分散剂，搅拌；加入银粉原粉，搅拌后得到表面改性的球状银粉。
[0011]优选地，片状银粉比表面积为0.5
‑
2m2/g，振实密度为4
‑
5g/ml。
[0012]优选地，高分子树脂为丙烯酸树脂，PVB树脂和乙基纤维素中的一种或多种的组合；
[0013]有机溶剂为丁基卡必醇、丁基卡必醇醋酸酯、松油醇、醇酯十二、二乙二醇二乙醚和尼龙酸甲酯中的一种或多种的组合；
[0014]分散剂为聚乙烯蜡、丙烯酸酯类和磷酸酯类中的一种或多种的组合。
[0015]优选地，还包括添加剂，添加剂为防沉降触变剂和/或消泡剂；
[0016]防沉降触变剂为氢化蓖麻油、聚脲、聚酰胺蜡和聚氨酯中的一种或多种的组合。
[0017]片式ZnO压敏电阻器用内电极银浆制备方法制备得到的内电极银浆。
[0018]包含内电极银浆的片式ZnO压敏电阻器。
[0019]本专利技术具有的优点和积极效果是：采用了表面特殊改性的银粉来制作ZnO片式压敏电阻器用银电极浆料，提高了银的耐烧性，降低烧结后的电阻率；不再添加钯，有效解决了银钯浆中钯易与铋反应的现象，同时也可以进一步降低烧结后的电阻率，提高产品性能；同时也降低了使用银钯浆带来的高成本。
附图说明
[0020]图1是银粉改性前后热分析曲线对比。
具体实施方式
[0021]下面结合附图对本专利技术的实施例做出说明。
[0022]本专利技术公开一种片式ZnO压敏电阻器用内电极银浆制备方法，为解决银钯浆料电阻率高、易于生片中铋元素反应和价格高的缺陷，以及纯银浆料耐烧性差，易产生银迁移的缺陷，本专利技术采用了表面特殊改性的银粉来制作ZnO片式压敏电阻器用银电极浆料，提高了银的耐烧性，降低烧结后的电阻率，提高产品性能。将表面改性的球状银粉，片状银粉，高分子树脂、分散剂与有机溶剂混匀，制备得到内电极银浆；其中，表面改性的球状银粉70％
‑
90％，片状银粉5
‑
20％，高分子树脂1％
‑
5％，分散剂0.1％
‑
3％，余量为有机溶剂。
[0023]表面改性的球状银粉为在银粉原粉表面包覆纳米金属氧化物，纳米金属氧化物添加量为银粉含量的0.2％
‑
2％，优选为0.5％
‑
1％，纳米金属氧化物为纳米二氧化硅、纳米氧化铝、纳米氧化锌、纳米二氧化钛和纳米氧化锆中的一种或多种的组合；银粉原粉为粒径为1.5
‑
5um，比表面积0.2
‑
1m2/g，振实密度4
‑
6g/ml的单晶型球形银粉。具体制备过程为：取一定量上述一种纳米氧化物，将其加入到足量的乙醇中，加入氧化物含量1％
‑
5％的分散剂，充分搅拌；再加入银粉原粉，在搅拌机下搅拌，搅拌后得到表面改性的球状银粉；通过控制搅拌时间，可得到不同包覆程度的改性银粉；表面改性的球状银粉比表面积为0.5
‑
2.5m2/g，振实密度4
‑
6g/ml。
[0024]银浆中使用的片状银粉比表面积为0.5
‑
2m2/g，振实密度为4
‑
5g/ml；高分子树脂为丙烯酸树脂，PVB树脂和乙基纤维素中的一种或多种的组合；有机溶剂为丁基卡必醇、丁基卡必醇醋酸酯、松油醇、醇酯十二、二乙二醇二乙醚和尼龙酸甲酯中的一种或多种的组合；分散剂为聚乙烯蜡、丙烯酸酯类和磷酸酯类中的一种或多种的组合。本专利技术中涉及两步操作，首先制备有机载体，将高分子树脂与添加剂混合到溶剂中后制得有机载体；然后再制
备内浆，将表面改性的球状银粉、片状银粉、有机载体和添加剂混合到溶剂中，制备得到内浆；两步操作中，可使用相同或不同种类的有机溶剂，并且可使用相同或不同种类的添加剂。例如，其中添加剂可以包括分散剂，分散剂及溶剂会分成两部分，一部分在制备载体的时候加，一部分会在制备內浆的时候加，两个步骤中的分散剂和溶剂可采用相同类型或不同类型；本专利技术某些实施例中，使用分散剂的种类可能本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种片式ZnO压敏电阻器用内电极银浆制备方法，其特征在于：将表面改性的球状银粉，片状银粉，高分子树脂，分散剂与有机溶剂混匀，制备得到内电极银浆；其中，表面改性的球状银粉70％
‑
90％，片状银粉5
‑
20％，高分子树脂1％
‑
5％，分散剂0.1％
‑
3％，余量为有机溶剂。2.根据权利要求1所述的片式ZnO压敏电阻器用内电极银浆制备方法，其特征在于：表面改性的球状银粉为在银粉原粉表面包覆纳米金属氧化物，纳米金属氧化物添加量为银粉含量的0.2％
‑
2％。3.根据权利要求2所述的片式ZnO压敏电阻器用内电极银浆制备方法，其特征在于：所述纳米金属氧化物为纳米二氧化硅、纳米氧化铝、纳米氧化锌、纳米二氧化钛和纳米氧化锆中的一种或多种的组合。4.根据权利要求2所述的片式ZnO压敏电阻器用内电极银浆制备方法，其特征在于：所述银粉原粉为粒径为1.5
‑
5um，比表面积0.2
‑
1m2/g，振实密度4
‑
6g/ml的单晶型球形银粉。5.根据权利要求2
‑
4中任一所述的片式...

【专利技术属性】
技术研发人员：傅尧，张伟铭，王中男，郑京，江志坚，李罗峰，
申请(专利权)人：浙江旭达电子有限公司，
类型：发明
国别省市：