一种PMOS的驱动电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种PMOS的驱动电路，包括光耦合器U1、电阻R1、R2、R3、电容C1、C2、二极管D1、反向稳压管DZ1、三极管Q1、Q2和Q3，光耦合器U1包括1、2、3、4四个端口，三极管Q2采用带阻尼二极管的三极管，反向稳压管DZ1连接于光耦合器U1的1端口。本实用新型专利技术在PMOS的Vgs达到导通条件后，通过稳压管配合光耦降低输入电路的电压，减小输入电流，以极低电流维持PMOS的持续导通，实现了开关速度快，驱动电路功耗小的优点，本PMOS的驱动电路的优点在于Vgs达到导通条件后，能降低驱动电流，在保证快速开关的同时，减小了驱动电路的功耗，可用较小封装的三级管驱动POMS，电路体积小，可靠性高。可靠性高。可靠性高。

【技术实现步骤摘要】
一种PMOS的驱动电路


[0001]本技术涉及电路设计
，具体为一种PMOS的驱动电路。

技术介绍

[0002]PMOS管具速度快，内阻小等优点，作为开关器件广泛应该在各种电路中，一般PMOS的驱动电压Vgs最大为正负20V，当需要在电路正极开关超过20V的电压时，如何平衡PMOS开关速度和驱动电路的功耗是很大的难题。
[0003]目前PMOS驱动电路中，为了较快打开MOS管，会有较大的驱动电流，在Vgs达到常用的负12V导通条件后，驱动电路还持续会有较大的电流，导致电路有较大的功耗，器件也需选择使用较大封装，现有的PMOS驱动电路较为复杂，体积大，故障率高，发热较为严重。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种PMOS的驱动电路，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0005]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：
[0006]一种PMOS的驱动电路，包括光耦合器U1、电阻R1、R2、R3、电容C1、C2、二极管D1、反向稳压管DZ1、三极管Q1、Q2和Q3，所述光耦合器U1包括1、2、3、4四个端口，所述三极管Q2采用带阻尼二极管的三极管，所述反向稳压管DZ1连接于光耦合器U1的1端口，所述三极管Q2的基极、二极管D1的正极和三极管Q3的集电极均连接于光耦合器U1的2端口，电阻R1上并联有电容C1，所述三极管Q1的集电极连接有电阻R3输入端，所述电阻R3的输出端连接于光耦合器U1的3端口，三极管Q2的集电极、电容C2、电阻R2、三极管Q3的集电极以及反向稳压管DZ1均连接于电源。
[0007]作为优选，所述电阻R1的电阻为1KΩ。
[0008]作为优选，电阻R2的电阻为3KΩ。
[0009]作为优选，电阻R3的电阻为10Ω。
[0010]作为优选，所述电容C1的容值为100nF。
[0011]作为优选，电容C2的容值为100μF。
[0012]作为优选，所述电源的电压为36V。
[0013]作为优选，所述二极管D1的型号为LL4148。
[0014]与现有技术相比，本技术的有益效果是：
[0015]1、本PMOS的驱动电路中，在PMOS的Vgs达到导通条件后，通过稳压管配合光耦降低输入电路的电压，减小输入电流，以极低电流维持PMOS的持续导通，实现了开关速度快，驱动电路功耗小的优点，本PMOS的驱动电路的优点在于Vgs达到导通条件后，能降低驱动电流，在保证快速开关的同时，减小了驱动电路的功耗，可用较小封装的三级管驱动POMS，电路体积小，可靠性高。
[0016]2、本PMOS的驱动电路中，当需要Q2导通输出时，控制器输出的高电平信号从R1上
输入，Q1导通，Q3截止，Q2的Cgs寄生电容通过D1,Q1，R3快速放电，Q2迅速导通输出，DZ1为12V稳压管，当Q2的Vgs达到合适的驱动电压负12V时，DZ1反向稳压管反向击穿后,U1光耦得电导通，把输入的电压拉低，减小了输入电流，并能维持Vgs一直为负12V。R3为Q1的发射极反馈电阻，限制最大放电电流。当需要关断Q2时，控制器输出的低电平信号，Q1截止，D1截止，电源电压通过R2给Q3提供基极电流，Q3导通，Q2的Cgs寄生电容快速充电，充满电后Vgs＝0,Q2关断。
附图说明
[0017]图1是本技术的电路原理示意图。
具体实施方式
[0018]下面将结合本技术实施例，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0019]实施例1
[0020]一种PMOS的驱动电路，如图1所示，包括光耦合器U1、电阻R1、R2、R3、电容C1、C2、二极管D1、反向稳压管DZ1、三极管Q1、Q2和Q3，光耦合器U1包括1、2、3、4四个端口，三极管Q2采用带阻尼二极管的三极管，反向稳压管DZ1连接于光耦合器U1的1端口，三极管Q2的基极、二极管D1的正极和三极管Q3的集电极均连接于光耦合器U1的2端口，电阻R1上并联有电容C1，三极管Q1的集电极连接有电阻R3输入端，电阻R3的输出端连接于光耦合器U1的3端口，三极管Q2的集电极、电容C2、电阻R2、三极管Q3的集电极以及反向稳压管DZ1均连接于电源，在PMOS的Vgs达到导通条件后，通过稳压管配合光耦降低输入电路的电压，减小输入电流，以极低电流维持PMOS的持续导通，实现了开关速度快，驱动电路功耗小的优点，本PMOS的驱动电路的优点在于Vgs达到导通条件后，能降低驱动电流，在保证快速开关的同时，减小了驱动电路的功耗，可用较小封装的三级管驱动POMS，电路体积小，可靠性高。
[0021]进一步的，电阻R1的电阻为1KΩ，电阻R2的电阻为3KΩ，电阻R3的电阻为10Ω。
[0022]具体的，电容C1的容值为100nF，电容C2的容值为100μF。
[0023]此外，电源的电压为36V，二极管D1的型号为LL4148。
[0024]本技术的PMOS的驱动电路的工作原理：当需要Q2导通输出时，控制器输出的高电平信号从R1上输入，Q1导通，Q3截止，Q2的Cgs寄生电容通过D1,Q1，R3快速放电，Q2迅速导通输出.DZ1为12V稳压管，当Q2的Vgs达到合适的驱动电压负12V时，DZ1反向稳压管反向击穿后,U1光耦得电导通，把输入的电压拉低，减小了输入电流，并能维持Vgs一直为负12V。R3为Q1的发射极反馈电阻，限制最大放电电流。当需要关断Q2时，控制器输出的低电平信号，Q1截止，D1截止，电源电压通过R2给Q3提供基极电流，Q3导通，Q2的Cgs寄生电容快速充电，充满电后Vgs＝0,Q2关断。
[0025]以上显示和描述了本技术的基本原理、主要特征和本技术的优点。本行业的技术人员应该了解，本技术不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的仅为本技术的优选例，并不用来限制本技术，在不脱离本技术精神和范围
的前提下，本技术还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本技术范围内。本技术要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种PMOS的驱动电路，其特征在于：包括光耦合器U1、电阻R1、R2、R3、电容C1、C2、二极管D1、反向稳压管DZ1、三极管Q1、Q2和Q3，所述光耦合器U1包括1、2、3、4四个端口，所述三极管Q2采用带阻尼二极管的三极管，所述反向稳压管DZ1连接于光耦合器U1的1端口，所述三极管Q2的基极、二极管D1的正极和三极管Q3的集电极均连接于光耦合器U1的2端口，电阻R1上并联有电容C1，所述三极管Q1的集电极连接有电阻R3输入端，所述电阻R3的输出端连接于光耦合器U1的3端口，三极管Q2的集电极、电容C2、电阻R2、三极管Q3的集电极以及反向稳压管DZ1均连接于电源。2.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴剑敏，许汉武，
申请(专利权)人：厦门力和行自动化有限公司，
类型：新型
国别省市：