【技术实现步骤摘要】
微发射功率的微波探测装置
[0001]本技术涉及微波探测领域，特别涉及基于多普勒效应原理的一种微发射功率的微波探测装置。
技术介绍
[0002]随着物联网技术的发展，人工智能、智能家居、以及智能安防技术对于环境探测，特别是对于人的存在、移动以及微动的动作特征的探测准确性的需求越来越高，只有获取足够稳定的探测结果，才能够为智能终端设备提供准确的判断依据。其中基于多普勒效应原理的微波探测技术作为人与物，物与物之间相联的重要枢纽在行为探测和存在探测技术中具有独特的优势，其能够在不侵犯人隐私的情况下，探测出活动物体，比如人的动作特征、移动特征、以及微动特征，甚至是人的心跳和呼吸特征信息，因而具有广泛的应用前景。具体地，相应微波探测器被一激励信号馈电而发射对应所述激励信号的频率一微波波束至所述目标空间，进而于所述目标空间形成一探测区域，和接收所述微波波束被所述探测区域内的相应物体反射形成的一反射回波而传输对应所述反射回波频率的一回波信号至一混频检波单元，其中所述混频检波单元混频所述激励信号和所述回波信号而输出对应于所述激励信号和所述回...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.微发射功率的微波探测装置，其特征在于，包括：一差分馈电电路，其中所述差分馈电电路被设置在被供电状态输出相差大于90
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的激励信号；一发射天线，其中所述发射天线被设置为双端馈电式差分天线，对应所述发射天线包括一参考地和两条形振子，其中以两所述条形振子的接入激励信号的两端分别为两所述条形振子的馈电端，两所述条形振子自两所述馈电端在所述参考地的同一侧向空间延伸并分别具有大于等于3/16且小于等于5/16波长电长度，其中两所述条形振子分别具有一耦合段，其中以所述耦合段的靠近其所属的所述条形振子的所述馈电端的一端为所述耦合段的近端，两所述耦合段自所述近端在相向方向延伸，以基于两所述耦合段自所述近端在相向方向延伸的结构形态，在于两所述条形振子的两所述馈电端接入具有相位差的激励信号的状态形成两所述耦合段之间的耦合，形成趋于线极化的极化形态，其中所述发射天线于两所述馈电端被馈电连接于所述差分馈电电路，以于两所述馈电端接入相差大于90
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的激励信号而于所述发射天线的线极化方向实现对所述发射天线的差分馈电；一接收天线，其中所述接收天线具有趋于线极化的极化方向并在接收所述发射天线发射的微波波束被相应物体反射形成的反射回波后，以趋于180
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的相差输出呈平衡差分信号形态的相应回波信号，则所述回波信号包含对应于所述微波波束被相应物体反射形成的反射回波的信号，且环境中的电磁干扰在所述回波信号中以共模干扰形态存在而能够在平衡差分信号形态的所述回波信号的接收与传输过程中被抑制；以及一混频电路，其中所述混频电路被电性连接于所述差分馈电电路和所述接收天线，以接入所述激励信号和平衡差分信号形态的所述回波信号并输出对应于所述激励信号和所述回波信号之间频率/相位差异的单端信号形态的多普勒中频信号。2.根据权利要求1所述的微发射功率的微波探测装置，其中所述双端馈电式差分天线的两所述耦合段自所述近端在错位相向方向延伸，并具有大于等于λ/256且小于等于λ/6的错位距离，即其中一所述耦合段上的任一点至另一所述耦合段的距离大于等于λ/256且小于等于λ/6，其中λ为与所述激励信号的频率相对应的波长参数。3.根据权利要求2所述的微波探测装置，其中两所述条形振子的两所述耦合段自所述近端以相互平行的错位方向相向延伸。4.根据权利要求3所述的微波探测装置，其中条形振子以被承载于电路板的微带线形态被设置。5.根据权利要求1至4中任一所述的微发射功率的微波探测装置，其中所述接收天线以所述双端馈电式差分天线被设置，以基于两所述条形振子的两所述耦合段自所述近端在相向方向延伸而能够相互耦合形成共同的谐振频点的结构特性，形成两所述条形振子呈在趋于线极化的极化方向被反相布置的结构状态，从而在以所述双端馈电式差分天线作接收天线时，于两所述馈电端直接输出呈平衡差分信号形态的所述回波信号。6.根据权利要求5所述的微发射功率的微波探测装置，其中所述接收天线基于共用所述发射天线的结构形态与所述发射天线以收发合一形式被一体设置，对应于两所述馈电端直接输出呈平衡差分信号形态的所述回波信号，和通过于两所述条形振子的两所述馈电端接入相差大于90
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的激励信号的状态，于所述发射天线的趋于线极化的极化方向实现对所述发射天线的差分馈电，如此以形成收发合一形式的所述发射天线和所述接收天线的一体
结构。7.根据权利要求5所述的微发射功率的微波探测装置，其中所述差分馈电电路具有被设置为MOS管或三极管的一三极电路处理器，一电感，一第一电阻，一第二电阻，一第三电阻，一第一电容，一第二电容，一振荡电容以及适于接入相应电源的一电源连接端，其中所述三极电路处理器具有与三极管的集电极或MOS管的漏极相对应的第一连接端，和与三极管的基极或MOS管的栅极相对应的第二连接端，以及与三极管的发射极或MOS管的源极相对应的第三连接端，其中所述第二电阻的一端被电性连接于所述三极电路处理器的所述第一连接端，所述第二电阻的另一端经所述电感与所述电源连接端相连，和经所述第一电容被接地，其中所述第三电阻的一端被电性连接于所述三极电路处理器的所述第三连接端，所述第三电阻的另一端被接地，其中所述振荡电容的一端被电性连接于所述三极电路处理器的所述第二连接端，所述振荡电容的另一端被接地，其中所述第一电阻的一端被电性连接于所述三极电路处理器的所述第二连接端，所述第一电阻的另一端被电性连接于所述电感与所述第二电阻之间，其中所述第二电容的两端分别被电性连接于所述三极电路处理器的所述第一连接端...
【专利技术属性】
技术研发人员：邹高迪，孙毅，邹新，邹明志，
申请(专利权)人：深圳迈睿智能科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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