显示元件、显示装置和电子设备制造方法及图纸

一种显示元件包括：电流驱动型的发光单元；和驱动发光单元的驱动单元，其中驱动单元包括：电容单元；驱动晶体管，驱动晶体管使与由电容单元保持的电压相对应的电流流过发光单元；和写入晶体管，写入晶体管将信号电压写入电容单元，驱动晶体管和写入晶体管以被元件隔离区域分离的状态形成在半导体基板上，并且在驱动晶体管和写入晶体管隔着所述元件隔离区域彼此面对的部分中产生的电容用作电容单元的至少一部分。的至少一部分。的至少一部分。

【技术实现步骤摘要】
显示元件、显示装置和电子设备
[0001]本申请是申请日为2018年8月29日、申请号为201880059523.X、专利技术名称为“显示元件、显示装置和电子设备”的专利技术专利申请的分案申请。


[0002]本公开内容涉及显示元件、显示装置和电子设备。更具体地，本公开内容涉及一种用于需要以微米为单位的像素间距的微型显示器的显示元件、包括该显示元件的显示装置、以及包括该显示装置的电子设备。

技术介绍

[0003]已知显示元件包括电流驱动型的发光单元，并且已知显示装置包括该显示元件。例如，包括含有有机电致发光元件的发光单元的显示元件作为能够以低压直流驱动进行高亮度发光的显示元件而一直备受关注。然后，包括有机电致发光元件的显示装置不仅用于直视型显示器中，而且还用于需要以微米为单位的像素间距的微型显示器中。
[0004]为了实现以微米为单位的像素间距，在半导体基板上形成用于驱动电流驱动型的发光单元的驱动单元(例如，参见专利文献1)。驱动单元包括多个晶体管和类似元件。因此，为了隔开相邻的晶体管，在晶体管之间需要元件隔离区域。在这样的应用中，被称为浅沟槽隔离(shallow trench isolation,STI)的方法优选地能够比硅的局部氧化(LOCOS)方法更精细地形成元件隔离区域。
[0005]引用列表
[0006]专利文献
[0007]专利文献1：日本专利申请特开No.2014
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98779号公报

技术实现思路

[0008]本专利技术要解决的问题
[0009]随着像素间距变细，跨越元件隔离区域彼此面对的晶体管之间的距离变窄。结果，在跨越元件隔离区域面对的晶体管之间会产生电容增加。然后，可以想到的是，由于发光单元随时间的变化引起的显示图像的老化现象受到电容的影响而加剧。
[0010]因此，本公开内容的目的是提供一种在晶体管之间产生的电容不使显示图像的老化现象加剧的显示元件、包括该显示元件的显示装置、和包括该显示装置的电子设备。
[0011]问题的解决方案
[0012]用于实现上述目的的根据本公开内容的第一方面的显示元件是：
[0013]一种显示元件，包括：
[0014]电流驱动型的发光单元和驱动所述发光单元的驱动单元，其中
[0015]所述驱动单元包括电容单元、驱动晶体管和写入晶体管，所述驱动晶体管使与由所述电容单元保持的电压相对应的电流流过所述发光单元，所述写入晶体管将信号电压写入所述电容单元；
[0016]所述驱动晶体管和所述写入晶体管以被元件隔离区域分离的状态形成在半导体基板上，并且
[0017]在所述驱动晶体管和所述写入晶体管隔着所述元件隔离区域彼此面对的部分中产生的电容用作所述电容单元的至少一部分。
[0018]用于实现上述目的的根据本公开内容的第一方面的显示装置是：
[0019]一种显示装置，包括：
[0020]以二维矩阵排列的显示元件，其中
[0021]所述显示元件各自包括电流驱动型的发光单元和驱动所述发光单元的驱动单元，
[0022]所述驱动单元包括电容单元、驱动晶体管和写入晶体管，所述驱动晶体管使与由所述电容单元保持的电压相对应的电流流过所述发光单元，所述写入晶体管将信号电压写入所述电容单元；
[0023]所述驱动晶体管和所述写入晶体管以被元件隔离区域分离的状态形成在半导体基板上，并且
[0024]在所述驱动晶体管和所述写入晶体管隔着所述元件隔离区域彼此面对的部分中产生的电容用作所述电容单元的至少一部分。
[0025]用于实现上述目的的根据本公开内容的第一方面的电子设备是：
[0026]一种电子设备，包括：
[0027]显示装置，所述显示装置包括以二维矩阵排列的显示元件，其中
[0028]所述显示元件各自包括电流驱动型的发光单元和驱动所述发光单元的驱动单元，
[0029]所述驱动单元包括电容单元、驱动晶体管和写入晶体管，所述驱动晶体管使与由所述电容单元保持的电压相对应的电流流过所述发光单元，所述写入晶体管将信号电压写入所述电容单元；
[0030]所述驱动晶体管和所述写入晶体管以被元件隔离区域分离的状态形成在半导体基板上，并且
[0031]在所述驱动晶体管和所述写入晶体管隔着所述元件隔离区域彼此面对的部分中产生的电容用作所述电容单元的至少一部分。
[0032]专利技术的效果
[0033]在本公开内容的显示元件中，驱动单元包括驱动晶体管和写入晶体管，驱动晶体管使与由电容单元保持的电压相对应的电流流过发光单元，写入晶体管将信号电压写入电容单元。然后，在驱动晶体管和写入晶体管隔着元件隔离区域彼此面对的部分中产生的电容用作电容单元的至少一部分。结果，可以避免由于电流驱动型的发光单元的电压
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电流特性(VI)随时间变化的影响而引起的老化现象受到电容的影响而加剧。此外，本公开内容中描述的有利效果是示例性的，并不限于它们，并且可包括附加效果。
附图说明
[0034]图1是根据第一实施方式的显示装置的概念图。
[0035]图2是包括发光单元和驱动该发光单元的驱动单元的显示元件的等效电路图。
[0036]图3是在显示区域中包括显示元件的部分的示意性局部截面图。
[0037]图4是用于说明根据第一实施方式的驱动单元中的晶体管的布置的示意性平面
图。
[0038]图5是用于说明根据第一实施方式的驱动单元中的晶体管的截面结构的示意性截面图。
[0039]图6是用于说明参考例的驱动单元中的晶体管的布置的示意性平面图。
[0040]图7是用于说明参考例的驱动单元中的晶体管的截面结构的示意性截面图。
[0041]图8是包括有具有参考例的驱动单元的显示元件的显示装置的概念图。
[0042]图9A是用于说明流过包括有机电致发光元件的发光单元的电流与该发光单元的阳极和阴极之间的电压之间的关系的示意图。图9B是用于说明发光单元的电压
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电流特性(V
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I)随时间变化的示意图。
[0043]图10A是用于说明在包括有参考例的驱动单元的显示元件的发光期间流动的漏极电流的示意性电路图。图10B是用于说明包括有参考例的驱动单元的显示元件的操作的示意图。
[0044]图11是第一实施方式中的显示元件的等效电路图。
[0045]图12是用于说明参考例的驱动单元中的屏蔽布线的平面示意图。
[0046]图13是用于说明第一实施方式的驱动单元中的屏蔽布线的示意性平面图。
[0047]图14是用于说明第一实施方式的第一变形例的晶体管的截面结构的示意性截面图。
[0048]图15是根据第二实施方式的显示装置的概念图。
[0049]图16是用于说明根据第二实施方式的驱动单元中的晶体管的布置的示意性平面图。
[0050]图17是根据第三实施方式本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示装置，包括：发光元件；电容元件；采样晶体管，所述采样晶体管被配置为将来自数据信号线的数据信号电压提供至所述电容元件；和驱动晶体管，所述驱动晶体管被配置为根据存储在所述电容元件中的电压向所述发光元件提供驱动电流，其中所述电容元件包括第一电容和第二电容，所述第二电容与所述第一电容并联电性连接，所述电容元件的第一端电性连接至所述驱动晶体管的栅极，并且所述电容元件的第二端电性连接至第一电压线。2.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述电容元件的所述第一端直接电性连接至所述驱动晶体管的所述栅极，并且所述电容元件的所述第二端直接电性连接至所述第一电压线。3.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述驱动晶体管的第一源极/漏极区域电性连接至所述第一电压线。4.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述第一电压线被配置为向所述驱动晶体管提供恒定电压。5.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括开关晶体管，所述开关晶体管电性连接在所述驱动晶体管和所述发光元件之间。6.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：木村圭，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：