AR膜及其制备方法和应用技术

本发明专利技术涉及镀膜技术领域，公开了一种AR膜及其制备方法和应用。该AR膜包括依次层叠的Al2O3层、第一Nb2O5层、第一SiO2层、第二Nb2O5层、第二SiO2层、ZrO2层。本发明专利技术提供的AR膜摩擦前后的透过率变化值较小，表明本发明专利技术提供的AR膜具有优异的耐摩擦性能。同时，本发明专利技术提供的AR膜百格测试重复3次撕3M胶带后膜层无脱落或仅有小面积脱落，表明本发明专利技术提供的AR膜与基材之间具有较强的附着力。间具有较强的附着力。间具有较强的附着力。

【技术实现步骤摘要】
AR膜及其制备方法和应用


[0001]本专利技术涉及镀膜
，具体地，涉及一种AR膜及其制备方法和应用。

技术介绍

[0002]AR抗反射增透膜，是一种表面光学镀层，其通过提高玻璃(屏幕)透光率，降低玻璃(屏幕)反射率达到增透目的，主要利用光的干涉原理，使膜的前表面与后表面反射的光发生干涉来实现。
[0003]目前，能够作为膜层材料比较多，一般采用真空蒸发镀的方法或磁控溅射镀的方法将高低折射率的材料交叉堆叠得到膜层。
[0004]因AR膜具有抗反射以及增透性能，人们常把它应用于显示器件保护屏如LCD电视、PDP电视、手提电脑、台式电脑显示屏高档仪表面板、触摸屏、相框玻璃，车载盖板等提高透射率降低反射率的产品上。
[0005]目前，随着市场对于AR产品的需求量激增，对AR产品的要求也越来越高，在供应的过程中，AR膜也反馈出不同的问题。虽然膜层材料的选择比较多，然而，目前市场AR膜层的结构设计比较单一，还存在AR膜易从基材上部分脱落，触控屏短期使用出现刮痕等现象，大大影响了客户的使用体验。

技术实现思路

[0006]本专利技术的目的是为了克服现有AR膜易从基材上部分脱落，触控屏等产品短期使用出现刮痕的缺陷，在保证高透过率的前提下，提供一种与基材之间具有较高的附着力以及耐摩擦性能良好的AR膜。
[0007]为了实现上述目的，本专利技术的第一方面提供一种AR膜，该AR膜包括依次层叠的Al2O3层、第一Nb2O5层、第一SiO2层、第二Nb2O5层、第二SiO2层、ZrO2层；
[0008]所述Al2O3层的厚度为8
‑
12nm，所述第一Nb2O5层的厚度为8
‑
12nm，所述第一SiO2层的厚度为30
‑
35nm，所述第二Nb2O5层的厚度为108
‑
115nm，所述第二SiO2层的厚度为63
‑
70nm，所述ZrO2层的厚度为7
‑
10nm；
[0009]所述Al2O3层的厚度大于所述ZrO2层的厚度。
[0010]优选情况下，所述Al2O3层的厚度与所述ZrO2层的厚度之间的差值大于0且小于2nm。
[0011]优选地，所述透明膜的透过率为94
‑
95.5％。
[0012]本专利技术的第二方面提供一种制备前述第一方面中所述的AR膜的方法，该方法包括：
[0013](1)将待镀膜的基材进行预处理，得到预处理基材；
[0014](2)将所述预处理基材进行镀AR膜处理。
[0015]优选地，在步骤(1)中，所述预处理包括：将所述待镀膜的基材依次进行加热处理和离子源轰击处理。
[0016]根据一种优选的实施方式，在步骤(1)中，所述加热处理的条件至少满足：温度为180
‑
220℃，时间为4
‑
6min，真空度≤3.0
×
10
‑3Pa。
[0017]根据另一种优选的实施方式，在步骤(1)中，所述离子源轰击处理的条件至少满足：离子源电压为1400
‑
1600V，时间为4
‑
6min，保护气氛流量为450
‑
550mL/min。
[0018]优选地，在步骤(2)中，所述AR膜采用磁控溅射进行镀制，且所述AR膜的镀制方法包括：在所述预处理基材表面依次沉积Al2O3层、第一Nb2O5层、第一SiO2层、第二Nb2O5层、第二SiO2层和ZrO2层。
[0019]优选情况下，在步骤(2)中，所述磁控溅射的条件至少满足：真空度≤1.5
×
10
‑3Pa，氩气流量为160
‑
200mL/min，氧气流量为50
‑
140mL/min，溅射功率为12
‑
14kw。
[0020]本专利技术的第三方面提供一种前述第一方面中所述的AR膜在光学器件中的应用。
[0021]本专利技术采用Al2O3材料制得致密的Al2O3层作为AR膜与基材直接接触的膜层，使得AR膜能够与基材很好的结合，从而增强AR膜层与基材之间的附着力；同时采用ZrO2材料作为AR膜的最外一层，以提升AR膜的耐摩擦性能；并且通过调整AR膜中各层的厚度，使得AR膜能够保证高的透过率。
附图说明
[0022]图1是本专利技术提供的一种优选的实施方式中的AR膜的结构图；
[0023]图2是本专利技术提供的对比例1中的AR膜的结构图。
具体实施方式
[0024]在本文中所披露的范围的端点和任何值都不限于该精确的范围或值，这些范围或值应当理解为包含接近这些范围或值的值。对于数值范围来说，各个范围的端点值之间、各个范围的端点值和单独的点值之间，以及单独的点值之间可以彼此组合而得到一个或多个新的数值范围，这些数值范围应被视为在本文中具体公开。
[0025]如前所述，本专利技术的第一方面提供了一种AR膜，该AR膜包括依次层叠的Al2O3层、第一Nb2O5层、第一SiO2层、第二Nb2O5层、第二SiO2层、ZrO2层；
[0026]所述Al2O3层的厚度为8
‑
12nm，所述第一Nb2O5层的厚度为8
‑
12nm，所述第一SiO2层的厚度为30
‑
35nm，所述第二Nb2O5层的厚度为108
‑
115nm，所述第二SiO2层的厚度为63
‑
70nm，所述ZrO2层的厚度为7
‑
10nm；
[0027]所述Al2O3层的厚度大于所述ZrO2层的厚度。
[0028]优选情况下，所述Al2O3层的厚度与所述ZrO2层的厚度之间的差值大于0且小于2nm。本专利技术的专利技术人发现，该优选情况下获得的AR膜具有更高的透过率以及耐摩擦性能。
[0029]优选地，所述透明膜的透过率为94
‑
95.5％。
[0030]如前所述，本专利技术的第二方面提供了一种制备前述第一方面中所述的AR膜的方法，该方法包括：
[0031](1)将待镀膜的基材进行预处理，得到预处理基材；
[0032](2)将所述预处理基材进行镀AR膜处理。
[0033]优选地，所述待镀膜的基材为玻璃基材。
[0034]优选地，在步骤(1)中，该方法还包括：进行所述预处理之前，先将所述待镀膜的基
材进行清洗。
[0035]本专利技术对所述清洗的具体操作没有特别的要求，可以采用本领域已知的方法进行，示例性地，本专利技术采用清洗机对所述待镀膜的基材进行清洗。
[0036]优选地，在步骤(1)中，所述预处理包括：将所述待镀膜的基材依次进行加热处理和离子源轰击处理。
[0037]根据一种优选的实施方式，在步骤(1)中，所述加热处理的条件至少满足：温度为180
‑
220℃，时间为4...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种AR膜，其特征在于，该AR膜包括依次层叠的Al2O3层、第一Nb2O5层、第一SiO2层、第二Nb2O5层、第二SiO2层、ZrO2层；所述Al2O3层的厚度为8
‑
12nm，所述第一Nb2O5层的厚度为8
‑
12nm，所述第一SiO2层的厚度为30
‑
35nm，所述第二Nb2O5层的厚度为108
‑
115nm，所述第二SiO2层的厚度为63
‑
70nm，所述ZrO2层的厚度为7
‑
10nm；所述Al2O3层的厚度大于所述ZrO2层的厚度。2.根据权利要求1所述的AR膜，其特征在于，所述Al2O3层的厚度与所述ZrO2层的厚度之间的差值大于0且小于2nm。3.根据权利要求1或2所述的AR膜，其特征在于，所述AR膜的透过率为94
‑
95.5％。4.一种制备权利要求1
‑
3中任意一项所述的AR膜的方法，其特征在于，该方法包括：(1)将待镀膜的基材进行预处理，得到预处理基材；(2)将所述预处理基材进行镀AR膜处理。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在步骤(1)中，所述预处理包括：将所述待镀膜的基材依次进行加热处理和离子源轰击处理。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在步骤(...

【专利技术属性】
技术研发人员：李青，李赫然，王永星，李盛印，何根，
申请(专利权)人：北京远大信达科技有限公司，
类型：发明
国别省市：