一种波导探测器及其制备方法技术

本发明专利技术实施例公开了一种波导探测器及其制备方法。所述波导探测器包括：衬底；位于所述衬底上的探测器结构；所述探测器结构包括沿第一方向依次设置的第一接触层、吸收层和第二接触层；位于所述衬底上的波导结构；所述波导结构设置于所述吸收层的侧壁的外侧，且与所述吸收层的侧壁相接触；所述波导结构用于接收光信号，并将接收到的光信号传递至所述吸收层；其中，所述第一方向平行于所述衬底平面。所述第一方向平行于所述衬底平面。所述第一方向平行于所述衬底平面。

【技术实现步骤摘要】
一种波导探测器及其制备方法


[0001]本专利技术涉及芯片制造领域，尤其涉及一种波导探测器及其制备方法。

技术介绍

[0002]随着5G通信技术的发展，光通信网络已经面向100Gbit/s、甚至400Gbit/s。这样高速通信系统对半导体光电探测器的需求也从传统10Gbit/s速率提升到25Gbit/s以上，而且探测器的光饱和和灵敏度也是关注的焦点。然而，现有的波导探测器存在光饱和度和灵敏度低且制作工艺复杂等缺点，因此有待进一步的改进。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本专利技术实施例提供一种波导探测器及其制备方法。
[0004]根据本专利技术实施例的第一方面，提供了一种波导探测器，其特征在于，包括：
[0005]衬底；
[0006]位于所述衬底上的探测器结构；所述探测器结构包括沿第一方向依次设置的第一接触层、吸收层和第二接触层；
[0007]位于所述衬底上的波导结构；所述波导结构设置于所述吸收层的侧壁的外侧，且与所述吸收层的侧壁相接触；所述波导结构用于接收光信号，并将接收到的光信号传递至所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种波导探测器，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底上的探测器结构；所述探测器结构包括沿第一方向依次设置的第一接触层、吸收层和第二接触层；位于所述衬底上的波导结构；所述波导结构设置于所述吸收层的侧壁的外侧，且与所述吸收层的侧壁相接触；所述波导结构用于接收光信号，并将接收到的光信号传递至所述吸收层；其中，所述第一方向平行于所述衬底平面。2.根据权利要求1所述的波导探测器，其特征在于，所述波导结构包括第一波导区和第二波导区；所述第一波导区位于所述吸收层与所述第二波导区之间且与所述吸收层相接触；所述波导结构通过第二波导区接收光信号，并将接收到的光信号传递至所述第一波导区。3.根据权利要求2所述的波导探测器，其特征在于，沿光信号的传递方向，所述第二波导区的宽度变窄，所述第一波导区的宽度不变。4.根据权利要求1所述的波导探测器，其特征在于，还包括：缓冲层，所述缓冲层设置在所述吸收层和所述第一接触层之间。5.根据权利要求1所述的波导探测器，其特征在于，还包括：与所述波导结构相接触的增透膜，所述增透膜位于所述波导结构的远离所述吸收层的一侧上。6.一种波导探测器...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡艳，岳爱文，钟行，李晶，
申请(专利权)人：武汉光迅科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：