OPC方法技术

本发明专利技术提供一种OPC方法，包括：定义所述凸类图形的目标图形的特征变量：凸高、凸宽和临边；设置所述凸类图形的特征条件和修正评价规则；获取凸高的影响因子；对凸高应用所述凸高的影响因子，进行OPC修正；获取凸类图形的模拟图形与凸类图形的目标图形在所述凸高上的交点；判断所述交点是否符合所述修正评价规则，若符合，则完成OPC修正。本申请通过获取所述凸高的影响因子，并利用所述凸高的影响因子对凸类图形进行OPC处理，再评价交点是否符合所述修正评价规则，这样可以在减少OPC修正次数的同时，避免OPC修正过程中报错的情况，提高了凸类图形对内部的通孔层的覆盖率，节省了OPC修正时间，提高了OPC修正效率。提高了OPC修正效率。提高了OPC修正效率。

【技术实现步骤摘要】
OPC方法


[0001]本申请涉及半导体制造
，具体涉及一种OPC方法。

技术介绍

[0002]在深亚微米半导体制造过程中，金属层和通孔层的连接对器件性能有着至关重要的作用，若金属层与通孔层覆盖率不达标则会导致不同金属层之间的导通性能差甚至失效，最终降低产品良率。
[0003]随着技术节点的不断减小，OPC(Optical proximity correction光学临近修正)是一项必要的关键技术以提高图形解析度，增加显影工艺的工艺窗口。金属层凸类图形受圆角效应的影响会降低其对设置于金属层凸类图形凸起区域内的通孔层图形的覆盖率。常规的OPC修正方法根据平台技术及OPC复杂程度有一个推荐的迭代次数，按照迭代次数进行OPC修正，然后再对OPC后的结果进行检查。若报错存在工艺风险则继续优化OPC，解决该报错；若是报错不存在工艺风险则直接确认OPC修正完成，即使没有100％达到目标值，但因没有工艺风险，也可以进行OPC后的流程。而这种限制OPC修正次数，在OPC处理过程中难免会遇到各种报错，无法迅速有效地提升凸类图形对内部的通孔层的覆盖率，从而极大地增加了OPC处理时长。

技术实现思路

[0004]本申请提供了一种OPC方法，可以解决目前OPC修正次数受限、OPC处理过程中报错、凸类图形对内部的通孔层的覆盖率较低、OPC修正时间过长以及OPC修正效率过低等问题中的至少一个问题。
[0005]一方面，本申请实施例提供了一种OPC方法，参与OPC修正的图形包括：凸类图形，其中，所述凸类图形的凸起区域内设置一通孔图形；所述OPC方法包括：
[0006]第一步骤：定义所述凸类图形的目标图形的特征变量；其中，所述凸类图形的目标图形的特征变量包括：凸高、凸宽和临边；
[0007]第二步骤：根据所述凸类图形的目标图形的特征变量，设置所述凸类图形的特征条件，以及设置修正评价规则；
[0008]第三步骤：以一定的步长移动所述凸高，获取所述凸高的影响因子；
[0009]第四步骤：对所述凸高应用所述凸高的影响因子，进行OPC处理；
[0010]第五步骤：获取所述凸类图形的模拟图形，并获取所述凸类图形的模拟图形与所述凸类图形的目标图形在所述凸高上的交点；
[0011]第六步骤：判断所述交点是否符合所述修正评价规则，若所述交点符合所述修正评价规则，则完成OPC修正；若所述交点不符合所述修正评价规则，则返回执行所述第三步骤。
[0012]可选的，在所述的OPC方法中，所述凸类图形的特征条件设置为：
[0013]N1×
D
w
≤(T
w
，T
h
)≤N2×
D
w
；
[0014]T
L
≥N3×
D
w
；
[0015]其中，D
w
为所述凸类图形的最小设计尺寸；T
h
为凸高；T
w
为凸宽，T
L
为临边；0.5≤N1≤1.5；1.0≤N2≤2.5；N3≥2。
[0016]可选的，在所述的OPC方法中，修正评价规则设置为：所述凸类图形的模拟图形与所述凸类图形的目标图形在所述凸高上的交点位于所述凸高的1/2高度至3/4高度的区间内。
[0017]可选的，在所述的OPC方法中，所述第六步骤包括：判断所述交点是否位于所述凸高的1/2高度至3/4高度的区间内，若所述交点位于所述凸高的1/2高度至3/4高度的区间内，则完成OPC修正；若所述交点不在所述凸高的1/2高度至3/4高度的区间内，则返回执行所述第三步骤。
[0018]可选的，在所述的OPC方法中，所述第三步骤包括：
[0019]以5nm的步长至少分三次移动所述凸高，同时不移动所述凸宽；
[0020]根据每一次移动中的权重值、每一次移动中的所述凸高的移动量和每一次移动中的所述凸宽的边缘放置误差，获取所述凸高的影响因子。
[0021]可选的，在所述的OPC方法中，所述凸高的影响因子的计算公式为：
[0022][0023]其中，k为所述凸高的影响因子；W
i
为每一次移动中的权重值，M
Thi
为每一次移动中所述凸高的移动量；EPE
Twi
为每一次移动中所述凸宽的边缘放置误差。
[0024]可选的，在所述的OPC方法中，所述第三步骤还包括：
[0025]根据前一次移动中所述凸宽的边缘放置误差和当前次移动中所述凸宽的边缘放置误差，获取所述凸宽的边缘放置误差的差值；
[0026]根据所述凸宽的边缘放置误差的差值，获取当前移动中所述凸类图形的修正情况。
[0027]可选的，在所述的OPC方法中，所述第四步骤包括：
[0028]每次迭代中，根据所述凸宽的边缘放置误差，获取所述凸宽的移动量；
[0029]根据所述凸宽的移动量，对所述凸宽进行OPC修正；
[0030]每次迭代中，根据所述凸高的影响因子、所述凸宽的边缘放置误差和所述凸高的边缘放置误差，获取所述凸高的移动量；
[0031]根据所述凸高的移动量，对所述凸高进行OPC修正。
[0032]可选的，在所述的OPC方法中，所述凸宽的移动量的计算公式为：
[0033][0034]其中，M
Twj
为每次迭代中所述凸宽的移动量；feedback为衰减系数；EPE
Twj
为当前所述凸宽的边缘放置误差。
[0035]可选的，在所述的OPC方法中，所述凸高的移动量的计算公式为：
[0036][0037]其中，M
Thj
为每次迭代中所述凸高的移动量；k为所述凸高的影响因子；feedback为衰减系数；EPE
Twj
为当前所述凸宽的边缘放置误差；EPE
Thj
为当前所述凸高的边缘放置误差。
[0038]本申请技术方案，至少包括如下优点：
[0039]本申请通过获取凸高的影响因子，并对所述凸高应用所述凸高的影响因子，进行OPC处理，再利用提前设置的修正评价规则来评价OPC修正后所述凸类图形的模拟图形与所述凸类图形的目标图形在所述凸高上的交点是否符合所述修正评价规则，这样可以在减少OPC修正次数的同时，避免OPC处理过程中出现报错的情况，提高了凸类图形对内部的通孔层的覆盖率，节省了OPC修正时间，提高了OPC修正效率。
附图说明
[0040]为了更清楚地说明本申请具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0041]图1是本专利技术实施例的凸类图形的目标图形的示意图；
[0042]图2本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种OPC方法，其特征在于，参与OPC修正的图形包括：凸类图形，其中，所述凸类图形的凸起区域内设置一通孔图形；所述OPC方法包括：第一步骤：定义所述凸类图形的目标图形的特征变量；其中，所述凸类图形的目标图形的特征变量包括：凸高、凸宽和临边；第二步骤：根据所述凸类图形的目标图形的特征变量，设置所述凸类图形的特征条件，以及设置修正评价规则；第三步骤：以一定的步长移动所述凸高，获取所述凸高的影响因子；第四步骤：对所述凸高应用所述凸高的影响因子，进行OPC处理；第五步骤：获取所述凸类图形的模拟图形，并获取所述凸类图形的模拟图形与所述凸类图形的目标图形在所述凸高上的交点；第六步骤：判断所述交点是否符合所述修正评价规则，若所述交点符合所述修正评价规则，则完成OPC修正；若所述交点不符合所述修正评价规则，则返回执行所述第三步骤。2.根据权利要求1所述的OPC方法，其特征在于，所述凸类图形的特征条件设置为：N1×
D
w
≤(T
w
，T
h
)≤N2×
D
w
；T
L
≥N3×
D
w
；其中，D
w
为所述凸类图形的最小设计尺寸；T
h
为凸高；T
w
为凸宽，T
L
为临边；0.5≤N1≤1.5；1.0≤N2≤2.5；N3≥2。3.根据权利要求1所述的OPC方法，其特征在于，修正评价规则设置为：所述凸类图形的模拟图形与所述凸类图形的目标图形在所述凸高上的交点位于所述凸高的1/2高度至3/4高度的区间内。4.根据权利要求3所述的OPC方法，其特征在于，所述第六步骤包括：判断所述交点是否位于所述凸高的1/2高度至3/4高度的区间内，若所述交点位于所述凸高的1/2高度至3/4高度的区间内，则完成OPC修正；若所述交点不在所述凸高的1/2高度至3/4高度的区间内，则返回执行所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：夏文彬，肖燏萍，江志兴，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：