具有注入物对准间隔件的LDMOS晶体管制造技术

一种用于制造具有注入物对准间隔件的横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管的方法包括蚀刻包括第一氮化物层的栅极堆叠。所述第一氮化物层在硅层上。所述栅极堆叠通过第一氧化物层与衬底分离。氧化所述栅极堆叠以从所述硅层形成多晶硅层，且在所述多晶硅层的侧壁上形成第二氧化物层。用与由所述第二氧化物层形成的第一边缘对准的第一注入物注入所述LDMOS晶体管的漏极区。形成保形地覆盖所述第二氧化物层的第二氮化物层。形成保形地覆盖所述第二氮化物层的氮化物蚀刻终止层。氮化物层的氮化物蚀刻终止层。氮化物层的氮化物蚀刻终止层。

【技术实现步骤摘要】
具有注入物对准间隔件的LDMOS晶体管


[0001]本公开大体上涉及半导体制造，且更具体地说，涉及一种用于改善横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管的性能的半导体制造工艺。

技术实现思路

[0002]根据本专利技术的第一方面，提供一种用于制造具有注入物对准间隔件的横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管的方法，其特征在于，包括：
[0003]执行蚀刻工艺以产生包括硅层上的第一氮化物层的栅极堆叠，所述栅极堆叠通过第一氧化物层与衬底分离；
[0004]氧化所述栅极堆叠以从所述硅层形成多晶硅层，且在所述多晶硅层的侧壁上形成第二氧化物层；
[0005]用与由所述第二氧化物层形成的第一边缘对准的第一注入物注入所述LDMOS晶体管的漏极区；
[0006]形成保形地覆盖所述第二氧化物层的第二氮化物层；以及
[0007]形成保形地覆盖所述第二氮化物层的氮化物蚀刻终止层。
[0008]根据一个或多个实施例，该方法另外包括用所述第一注入物注入所述LDMOS晶体管的源极区。
[0009]根据一个或多个本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于制造具有注入物对准间隔件的横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管的方法，其特征在于，包括：执行蚀刻工艺以产生包括硅层上的第一氮化物层的栅极堆叠，所述栅极堆叠通过第一氧化物层与衬底分离；氧化所述栅极堆叠以从所述硅层形成多晶硅层，且在所述多晶硅层的侧壁上形成第二氧化物层；用与由所述第二氧化物层形成的第一边缘对准的第一注入物注入所述LDMOS晶体管的漏极区；形成保形地覆盖所述第二氧化物层的第二氮化物层；以及形成保形地覆盖所述第二氮化物层的氮化物蚀刻终止层。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，另外包括用所述第一注入物注入所述LDMOS晶体管的源极区。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，另外包括将所述漏极区的第二注入物与由所述第二氮化物层形成的第二边缘对准。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，另外包括将所述漏极区的第二注入物与由所述氮化物蚀刻终止层形成的第二边缘对准。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，另外包括将所述漏极区的第二注入物与由形成于所述氮化物蚀刻终止层上方的氮化物间隔件形成的第二边缘对准。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，另外包括将第二注入物与由所述第二氮化物层、所述氮化物蚀刻终止层和形成于所述氮化物蚀刻终止层上方的氮化物间隔件中的一个形成的第二边缘对准。7.根据权利要求6所述的方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：H，
申请(专利权)人：恩智浦美国有限公司，
类型：发明
国别省市：