一种TAT多肽修饰的MXene/氨基化细菌纤维素电磁屏蔽复合材料及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种TAT多肽修饰的MXene/氨基化细菌纤维素电磁屏蔽复合材料及其制备方法。采用原位合成氢氟酸刻蚀法制备Ti3C2T

【技术实现步骤摘要】
一种TAT多肽修饰的MXene/氨基化细菌纤维素电磁屏蔽复合材料及其制备方法


[0001]本专利技术属于电磁屏蔽材料领域，具体涉及一种TAT多肽修饰的MXene/氨基化细菌纤维素电磁屏蔽复合材料及其制备方法。

技术介绍

[0002]人类科学技术的快速发展导致各类电子产品层出不穷，这些电子产品在带给人们便利的同时也产生了大量的电磁辐射。当电磁辐射超过一定的限度，就会造成电磁污染，给人们日常生产生活和身体健康带来不利的影响。根据辐射来源电磁波可以分为两类，一类是来自大自然，如宇宙射线，雷电现象，太阳的强紫外线等；另一类则是人为产生，如有意发射的雷达，基站信号，通讯等无线设备，除此之外，家用电器，电子设备等也会辐射不必要的电磁波伤害人体健康。因此，开发高性能的电磁屏蔽材料对于减少或消除电磁辐射污染具有重要意义。很长一段时间里，金属由于高导电性和良好的屏蔽效果而被广泛用于电磁屏蔽中。然而由于现代电子设备的小型化和智能化，人们渴望开发同时具有高电磁屏蔽效率和优异机械性能的电磁屏蔽材料。显然，金属材料由于固有的高密度和在复杂环境中的易腐蚀性限制了它们的实际本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种TAT多肽修饰的MXene/氨基化细菌纤维素电磁屏蔽复合材料的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：（1）采用原位生成氢氟酸刻蚀法制备Ti3C2T
x
：取LiF溶解于盐酸溶液中，再加入Ti3AlC2，40℃下持续搅拌48h，经离心、洗涤后收集下层粘土状物质，并进行超声处理120min，然后再次离心处理收集上层溶液，冷冻干燥后得到Ti3C2T
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粉末；（2）采用静电自组装法制备TAT多肽修饰的A
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Ti3C2T
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/Ti3C2T
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：先配制Ti3C2T
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溶液，并向Ti3C2T
x
溶液中加入乙醇溶液，然后通过乙酸将溶液的pH值调至6以下并将其搅拌均匀；再加入TAT多肽得到TAT多肽修饰的Ti3C2T
x
纳米片即A
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Ti3C2T
x
，然后将A
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Ti3C2T
x
溶液加入到等量的Ti3C2T
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溶液中并持续搅拌直到A
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Ti3C2T
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与Ti3C2T
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完成自组装，冷冻干燥得到静电自组装后的A
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Ti3C2T
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/Ti3C2T
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纳米片；（3）采用水浴法制备氨基化细菌纤维素：将块状细菌纤维素放入去离子水中，并升温至30~60℃，持续通氩气以排除水中的溶解的O2，并加入硝酸铈铵溶液反应20~50min，随后在30min内逐滴加入甲基丙烯酸甘油酯，反应2h后进行洗涤得到处理后的块状细菌纤维素；再将处理后的块状细菌纤维素放入由乙二胺和去离子水配成的混合溶液中，在353 K下搅拌2h，经洗涤得到氨基...

【专利技术属性】
技术研发人员：温翠莲，刘浩，廖秋刚，萨百晟，徐媛媛，谢茂杰，
申请(专利权)人：福州大学，
类型：发明
国别省市：