半导体晶圆制造技术

公开了一种半导体晶圆，包括：第一晶圆，第一晶圆包括依次层叠设置的外延层、第一欧姆接触层、反射镜层和第一键合层；第二晶圆，包括键合衬底以及位于键合衬底上的第二键合层；第一键合层和第二键合层彼此接触；第一键合层的尺寸小于第一晶圆的尺寸；第二键合层的尺寸小于键合衬底的尺寸。本申请调节第一键合层和第二键合层的尺寸小于第一晶圆、键合衬底的尺寸，在键合过程中避免低熔点金属向半导体晶圆的边缘四周溢出，改善半导体晶圆边缘的粘连现象，降低后续的剥离过程中出现碎片现象或者剥离困难的现象，提高半导体晶圆的工艺良率。提高半导体晶圆的工艺良率。提高半导体晶圆的工艺良率。

【技术实现步骤摘要】
半导体晶圆


[0001]本技术涉及半导体制造
，特别涉及一种半导体晶圆。

技术介绍

[0002]垂直结构LED芯片相比水平结构LED芯片具有高亮度的优势。一方面，垂直结构LED芯片是将外延层从绝缘和散热差的蓝宝石衬底转移到导电导热能力优异的键合衬底上，进而能承受更高的工作电流从而获得更高的亮度。另一方面，垂直结构LED芯片更容易将出光表面进行微纳加工，进而降低外延层和空气界面的全反射来增加光提取效率。
[0003]在垂直结构半导体晶圆的制造过程中，衬底转移技术是至关重要的步骤。目前的衬底转移技术中一般会采用共晶键合或热压键合方式。共晶键合工艺是利用具有合适共晶温度的二元或多元键合层实现外延层和键合衬底的粘结，键合层一般由导电性能良好和低熔点的金属组成。但是低熔点的金属在键合温度超过其熔点后在键合压力作用下会向半导体晶圆的边缘四周溢出，从而导致键合后的半导体晶圆的边缘粘连，对于衬底为硬脆性材料例如硅衬底的情况，在衬底剥离过程或后续加工过程中，容易出现外延层和衬底难以分离甚至碎片现象，进而使得制造得到的垂直结构LED芯片良率低、成本高本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体晶圆，其特征在于，包括：第一晶圆，所述第一晶圆包括依次层叠设置的外延层、第一欧姆接触层、反射镜层和第一键合层；第二晶圆，包括键合衬底以及位于所述键合衬底上的第二键合层；其中，所述第一键合层和所述第二键合层彼此接触；所述第一键合层的尺寸小于所述第一晶圆的尺寸；所述第二键合层的尺寸小于所述键合衬底的尺寸。2.根据权利要求1所述的半导体晶圆，其特征在于，所述第一键合层与相邻的所述第一晶圆的外边缘之间的间距为0.5mm～3mm；所述第二键合层和相邻的所述键合衬底的外边缘之间的间距为0.5mm～3mm。3.根据权利要求1所述的半导体晶圆，其特征在于，所述第二键合层和所述第一键合层的尺寸相同或不同。4.根据权利要求1所述的半导体晶圆，其特征在于，所述键合衬底为硅、铜、钼、钨、钼铜合金、钨铜合金、铝硅合金衬底中的一种。5.根据权利要求1所述的半导体晶圆，其特征在于，还包括：金属阻挡层，分别位于所述键合衬底和所述第二键合层之间，以及位于所述反射镜层和所述第一键合层之间。6.根据权利要求5所述的半导体晶圆，其特征在于，所述外延层包括依次堆叠的本征半导体层、第一半导体层、发光层、电子阻挡层和第二半导体层，所述第二半导体层与所述第一欧姆接触层接触。7.根据权利要求6所述的半导体晶圆，其特征在于，所述半导体晶圆的每个LED芯片单元中还包括：第一台阶，贯穿所述本征半导体层、所述第一半导体层、所述发光层、所述电子阻挡层和所述第二半导体层并暴露出所述第一欧姆接触层的...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭茂峰，田文，陈浩，陈亚珍，沈铭，赵进超，李士涛，
申请(专利权)人：厦门士兰明镓化合物半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：