一种钙钛矿晶硅叠层太阳能电池的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种钙钛矿晶硅叠层太阳能电池的制备方法，涉及钙钛矿太阳能电池的技术领域，上述方法包括以下步骤：在P型硅片表面制绒，控制晶硅绒面高度为400nm

【技术实现步骤摘要】
一种钙钛矿晶硅叠层太阳能电池的制备方法


[0001]本专利技术涉及钙钛矿太阳能电池的
，尤其是涉及一种钙钛矿晶硅叠层太阳能电池的制备方法。

技术介绍

[0002]目前，集成一体化法是常见的叠层太阳能电池制备方式，该方法为先制备出一个完整硅太阳能电池，再在硅太阳能电池上生长钙钛矿电池，使用中间层连接两个子电池，从顶层太阳能电池引出一个电极，同时从底电池引出一个电极，构成两个终端结构的叠层电池，中间层一般为隧道层或复合层，该隧道层或复合层通常为一种很薄的金属或透明电极。
[0003]如果将晶硅电池抛光成平面有利于钙钛矿太阳能电池的制备，但抛光不仅增加电池的制备成本，同时也不益于电性能的提升。晶硅电池需要制绒形成金字塔绒面才能有更好的陷光效果，增加光量子效率。但是，晶硅制绒工艺的绒面能够达到数微米，而钙钛矿电池厚度较薄，达到数百纳米，利用溶液法制备的顶层电池材料基本会掉进金字塔底部，而金子塔顶端较薄，轻则导致少子复合巨大，重则令钙钛矿顶电极和晶硅底部直接接触，导致顶电池短路。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种钙钛矿晶硅叠层太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)在P型硅片表面制绒，控制晶硅绒面高度为400nm
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1000nm；2)制备PN结，在所述P型硅片的晶硅绒面上形成N型层；3)在N型层上表面制备透明导电的复合层薄膜，所述复合层薄膜高于晶硅绒面最高点20nm
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50nm，以令所述复合层薄膜上表面为平面；在所述复合层薄膜的上方依次制备空穴传输层和钙钛矿吸光层；或者在N型层上表面制备透明导电的复合层薄膜，以令绒面高度缩减到200nm
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300nm，在所述复合层薄膜上方依次制备厚度为20nm
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30nm的空穴传输层和厚度为400nm
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500nm的钙钛矿吸光层，以令所述钙钛矿吸光层的上表面为平面。2.根据权利要求1所述的一种钙钛矿晶硅叠层太阳能电池的制备方法，其特征在于，在步骤2)和步骤3)之间还包括以下步骤：在P型硅片下表面制备钝化层；其中，所述钝化层上设置有开槽，令P型硅片在所述开槽处裸露，以形成背接触；在所述钝化层下方印刷背电极和背电场，烧结后形成底电池。3.根据权利要求1所述的一种钙钛矿晶硅叠层太阳能电池的制备方法，其特征在于，在步骤3)之后还包括以下步骤：在所述钙钛矿吸光层的上表面依次叠加制备电子传输层、缓冲层、透明电极以及窗口电极。4.根据权利要求1
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3任一项所述的一种钙钛矿晶硅叠层太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述复合层薄膜的材质为AZO或者IZO。5.根据权利要求1所述的一种钙钛矿晶硅叠层太阳能电池的制备方法，其特征在于，在步骤1)之前还包括以下步骤：将切割好的2...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐丽丽，曹玲玲，南辉，成世杰，王生红，柴玉荣，鲍守珍，
申请(专利权)人：亚洲硅业青海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：