【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体元件以及半导体元件的制造方法
[0001]本专利技术涉及半导体元件以及半导体元件的制造方法。
技术介绍
[0002]存在一种半导体元件,其在基板上形成有图案化的半导体层或电极层。在专利文献1中,记载了一种通过丝网印刷法来形成图案化的电极层的技术。丝网印刷法是指通过刮刀的移动将填充于印刷版的图案开孔部的印刷材料转印到被印刷物的方法。在印刷版的图案开孔部,由格子状的丝线形成网眼(网格)。
[0003]另外,作为半导体层或电极层的图案形成方法,还存在使用图案化的抗蚀剂等掩模的湿式蚀刻法。有时图案化的抗蚀剂等掩模也通过丝网印刷法形成。
[0004]专利文献1:日本特开2014
‑
57031号公报
[0005]专利文献2:国际公开第2011/149067号
[0006]在使用丝网印刷法的掩模形成方法中,有时在与印刷方向(刮刀移动方向)交叉地延伸的抗蚀剂图案形成有空隙(飞白)。由此,在半导体层或电极层的图案形成有空隙(飞白)。
技术实现思路
[0007]本专利技术的 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体元件,在基板上形成有图案化的半导体层或电极层,其特征在于,所述半导体层或所述电极层呈长条形状,具有沿长度方向延伸的带状的第一图案和与所述长度方向交叉的带状的第二图案,所述第二图案中的90%的部分相对于所述第一图案所成的角度中的锐角侧的角度小于90度。2.根据权利要求1所述的半导体元件,其特征在于,所述第二图案为在所述长度方向上凸起的圆弧形状、在所述长度方向上凸起的尖形状、在所述长度方向上凹陷的倒尖形状、或者在所述长度方向上凹凸的波形状。3.根据权利要求1或2所述的半导体元件,其特征在于,所述半导体元件为背面电极型的太阳能电池。4.一种半导体元件的制造方法,该半导体元件在基板上形成有图案化的半导体层或电极层,所述半导体元件的制造方法的特征在于,包括:半导体层材料...
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