一种泛半导体的低氮尾气处理器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种泛半导体的低氮尾气处理器，属于泛半导体的尾气处理技术领域，解决了现有技术中一氧化氮的去除率较低、尾气处理设备的整体体积较大的问题。该低氮尾气处理器包括外壳以及设于外壳内的热分解腔、热氧化腔、冷却器和臭氧发生器；外壳上开设尾气进口和尾气出口，尾气进口依次通过热分解腔、热氧化腔和冷却器与尾气出口连接；臭氧发生器的注入口位于尾气的流动路径上。该低氮尾气处理器可用于泛半导体的尾气处理。器可用于泛半导体的尾气处理。器可用于泛半导体的尾气处理。

【技术实现步骤摘要】
一种泛半导体的低氮尾气处理器


[0001]本技术属于泛半导体的尾气处理
，尤其涉及一种泛半导体的低氮尾气处理器。

技术介绍

[0002]近年来，由于社会经济快速发展，以半导体、太阳能光伏、平板显示和LED为代表的泛半导体产业迅猛发展。但是在相关产品的生产过程中会产生大量的尾气，这些尾气普遍具有易燃、有毒、高温室效应等性质，处理不当会产生严重的安全事故，造成重大经济损失，也会对人和环境造成严重威胁，必须将这些有害气体无害化处理后才能排放到环境中去。
[0003]通常对于这些气体的无害化处理方法是将气体通入高温反应腔，有害气体在高温(>1000℃)下与氧气进行反应，有害气体反应生成危险性较低的产物排放到后续处理系统中。在高温氧化反应过程中，会生成大量氮氧化物副产物。氮氧化物主要指NO和NO2，在大气中易形成酸雾和光化学烟雾，同样需要去除。
[0004]现有技术中，氮氧化物无法通过酸洗塔有效去除，因此，对于NOx均是独立设置去除氮氧化物的设备，利用高温还原等技术去除尾气中的NOx，采用上述技术，对于一氧化氮的去除率本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种泛半导体的低氮尾气处理器，其特征在于，包括外壳以及设于外壳内的热分解腔、热氧化腔、冷却器和臭氧发生器；所述外壳上开设尾气进口和尾气出口，所述尾气进口依次通过热分解腔、热氧化腔和冷却器与尾气出口连接；所述臭氧发生器的注入口位于尾气的流动路径上。2.根据权利要求1所述的泛半导体的低氮尾气处理器，其特征在于，所述冷却器为喷淋塔或换热器。3.根据权利要求2所述的泛半导体的低氮尾气处理器，其特征在于，所述喷淋塔包括水箱、喷淋箱以及设于喷淋箱内的多个喷淋嘴和多个填料层，所述水箱的进气口与热氧化腔的出气口连接，所述水箱的出气口与喷淋箱的进气口连接，所述水箱内盛装喷淋液；沿喷淋箱的进气端至出气端方向，多个喷淋嘴和填料层交替设置。4.根据权利要求3所述的泛半导体的低氮尾气处理器，其特征在于，所述水箱包括箱体、水箱喷嘴和循环泵，所述水箱喷嘴设于箱体内喷淋液面的上方，所述箱体的出液口通过循环泵与水箱喷嘴的进液口连接。5.根据权利要求3所述的泛半导体的低氮尾气处理器，其特征在于，所述臭氧发生器的注入口设于水箱内...

【专利技术属性】
技术研发人员：王福清，郭潞阳，
申请(专利权)人：上海协微环境科技有限公司，
类型：新型
国别省市：