【技术实现步骤摘要】
检测三极管失配的装置及方法
[0001]本专利技术涉及通信
,尤其涉及一种检测三极管失配的装置及方法。
技术介绍
[0002]在现代集成电路的工艺中,双极结型三极管(Bipolar Junction Transistor,BJT)凭借其高跨导和强驱动能力,依旧是非常重要的半导体器件。一颗芯片中存在数量巨大的BJT的器件,各BJT的器件性能是否一致,影响着整个芯片的性能。
[0003]而由于生产工艺可能存在的差异,导致BJT的器件性能之间可能存在较大的差异,也就是存在失配的情况。而芯片内部包括的器件体积较小,分布较为紧密,无法通过常见的方式直接测试,也没有足够的接口资源供测试使用。
技术实现思路
[0004]本专利技术提供一种检测三极管失配的装置及方法,用以解决现有技术中无法对芯片内的各BJT器件的性能直接测试,从而无法判断各BJT的性能是否相同,导致BJT失配。
[0005]第一方面,本专利技术提供一种检测三极管失配的装置,包括:控制模块、电源切换模块、电流镜模块、BJT检测模块和输出模 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种检测三极管失配的装置,其特征在于,包括:控制模块、电源切换模块、电流镜模块、BJT检测模块和输出模块,所述电流镜模块的第一输出端和第二输出端,分别和所述输出模块的第三输入端相连,以及所述BJT检测模块的第四输入端相连,所述BJT检测模块的第五输出端和所述输出模块的第六输入端相连,其中:所述控制模块,用于控制所述电流镜模块的输出电流通过所述BJT检测模块,以及所述输出模块输出,或直接通过所述输出模块输出;并控制不同的输入端的电流通过不同的通路输出;所述电源切换模块,用于为所述BJT检测模块供电;所述输出模块,用于根据所述控制模块的控制信号,切换不同输出通路;所述BJT检测模块,用于复制所述电流镜模块产生的电流。2.根据权利要求1所述的检测三极管失配的装置,其特征在于,所述BJT检测模块由一对同类型BJT构成,所述一对同类型BJT为采用共源共栅连接的第一BJT和第二BJT,且所述第一BJT的基极和所述第二BJT的基极共同连接一个场效应管的漏极。3.根据权利要求2所述的检测三极管失配的装置,其特征在于,若所述BJT检测模块包括的第一BJT和第二BJT均为NPN类型,则所述电流镜模块为PMOS电流镜;若所述BJT检测模块包括的第一BJT和第二BJT均为PNP类型,则所述电流镜模块为NMOS电流镜。4.根据权利要求1所述的检测三极管失配的装置,其特征在于,所述电源切换模块具体用于:在所述电流镜模块的输出电流通过所述BJT检测模块,以及所述输出模块输出的情况下,切换至高电平为所述BJT检测模块供电。5.根据权利要求1所述的检测三极管失配的装置,其特征在于,所述电源切换模块还用于:在所述电流镜模块的输出电流直接通过所述输出模块输出的情况下,通过所述电源切换模块中的LDO电路对所述BJT检测模块供电...
【专利技术属性】
技术研发人员:李文杰,
申请(专利权)人:中银金融科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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