本发明专利技术公开了一种嵌入式存储芯片数据存储方法、嵌入式存储芯片及存储系统；其中，方法通过优先将第一数据存储通道与host端连接，若连接成功，则第一数据存储通道根据host端发送的数据信息指定第一目标存储区域进行数据存储；否则，以第二数据存储通道与host端连接，并且第二数据存储通道根据host端发送的数据信息指定第二目标存储区域进行数据存储；本发明专利技术实施例一种嵌入式存储芯片数据存储方法，其通过在两个数据存储通道分别设置有固件与host端进行数据通信，解决相关技术中嵌入式存储芯片通过单一固件与host端通信连接进行数据存储带来的可靠性差、单一固件损坏修复成本高、且容易导致数据遗失的技术问题。且容易导致数据遗失的技术问题。且容易导致数据遗失的技术问题。
【技术实现步骤摘要】
嵌入式存储芯数据存储方法、嵌入式存储芯片及存储系统
[0001]本专利技术涉及数据存储
，尤其是涉及一种嵌入式存储芯片数据存储方法、嵌入式存储芯片及数据存储系统。
技术介绍
[0002]嵌入式存储芯片作为电子产品重要的数据存储器件，其可靠稳定性成为制造商、用户的重要考量因素之一。
[0003]相关技术中，嵌入式存储芯片通过单一固件与host端连接进行数据存储过程。因此导致了在使用环境或者是器件可靠性本身导致单一固件出现损坏时，需要将嵌入式存储芯片拆卸后重新烧录固件，而将嵌入式存储芯片拆卸重新烧录固件整个过程繁琐、成本高，且嵌入式存储芯片容易出现损坏导致数据遗失的风险。
[0004]因此，如何对克服上述嵌入式存储芯片通过单一固件与host端连接进行数据存储带来的技术问题，成为本领域技术人员需要面对的难题。
技术实现思路
[0005]本专利技术实施例提出一种嵌入式存储芯片数据存储方法、嵌入式存储芯片及数据存储系统，用以解决相关技术中嵌入式存储芯片与host端通过单一固件连接导致的使用繁琐、可靠性差且成本高的技术问题。
[0006]第一方面，本专利技术的一个实施例提供了一种嵌入式存储芯片数据存储方法，包括：以第一数据存储通道与host端进行数据交互识别连接；若连接成功，则所述第一数据存储通道根据所述host端发送的数据信息指定第一目标存储区域进行数据存储；否则，以第二数据存储通道与host端进行数据交互识别连接，并且，所述第二数据存储通道根据所述host端发送的数据信息指定第二目标存储区域进行数据存储。
[0007]本专利技术实施例的嵌入式存储芯片数据存储方法至少具有如下有益效果：本专利技术实施例中一种嵌入式存储芯片数据存储方法，其通过优先将第一数据存储通道与host端连接，若连接成功，则第一数据存储通道根据host端发送的数据信息指定第一目标存储区域进行数据存储；否则，以第二数据存储通道与host端连接，并且第二数据存储通道根据host端发送的数据信息指定第二目标存储区域进行数据存储；本专利技术实施例一种嵌入式存储芯片数据存储方法，其通过在两个数据存储通道分别设置有固件与host端进行数据通信，解决相关技术中嵌入式存储芯片通过单一固件与host端通信连接进行数据存储带来的可靠性差、单一固件损坏修复成本高、且容易导致数据遗失的技术问题，提供了一种可靠性高、使用方便的嵌入式存储芯片数据存储方法。
[0008]根据本专利技术的另一些实施例的嵌入式存储芯片数据存储方法，所述第一数据存储通道包括主控制器、DDR以及控制所述DDR的DDR控制器；若所述主控制器与所述host端进行数据交互识别成功；
则所述DDR控制器根据接收的所述host端发送的数据信息控制所述DDR进行网表映射刷新，在所述主控制器指定的第一目标存储区域进行数据存储。
[0009]根据本专利技术的另一些实施例的嵌入式存储芯片数据存储方法，所述第二数据存储通道包括备用控制器、所述DDR控制器和所述DDR；若所述主控制器与所述host端连接失败；则所述DDR控制器根据接收的所述host端发送的数据信息控制所述DDR进行网表映射刷新，在所述备用控制器指定的第二目标存储区域进行数据存储。
[0010]根据本专利技术的另一些实施例的嵌入式存储芯片数据存储方法，所述主控制器包括第一flash控制器，所述第一目标存储区域设置在flash闪存阵列中，所述第一flash控制器中设置有对所述flash闪存阵列的控制程序；当所述第一flash控制器与所述host端成功交互识别时，所述DDR控制器控制所述DDR进行网表映射刷新，在所述第一flash控制器指定的所述flash闪存阵列的区域上进行数据存储。
[0011]根据本专利技术的另一些实施例的嵌入式存储芯片数据存储方法，所述备用控制器包括第二flash控制器，所述第二目标存储区域设置在所述flash闪存阵列中，所述第二flash控制器中设置有对所述flash闪存阵列的控制程序；当所述第一flash控制器与所述host端连接失败时，所述DDR控制器控制所述DDR进行网表映射刷新，在所述第二flash控制器指定的所述flash闪存阵列的区域上进行数据存储。
[0012]根据本专利技术的另一些实施例的嵌入式存储芯片数据存储方法，所述host端为CPU端。
[0013]第二方面，本专利技术的一个实施例提供了一种嵌入式存储芯片，包括：第一数据存储通道，用于与host端连接，并根据接收所述host端发送的数据信息指定第一目标存储区域进行数据存储；第二数据存储通道，用于在所述第一数据存储通道与所述host端连接失败时，与所述host端连接，并根据接收所述host端发送的数据信息指定第二目标存储区域进行数据存储。
[0014]根据本专利技术另一些实施例的嵌入式存储芯片，所述第一数据存储通道包括主控制器、DDR以及控制所述DDR的DDR控制器；若所述主控制器与所述host端进行数据交互识别成功；则所述DDR控制器根据接收的所述host端发送的数据信息控制DDR进行网表映射刷新，在所述主控制器指定的第一目标存储区域进行数据存储。
[0015]根据本专利技术另一些实施例的嵌入式存储芯片，所述第二数据存储通道包括：备用控制器、所述DDR控制器和所述DDR；若所述主控制器与所述host端连接失败；则所述DDR控制器根据接收的所述host端发送的数据信息控制DDR进行网表映射刷新，在所述备用控制器指定的第二目标存储区域进行数据存储。
[0016]第三方面，本专利技术的一个实施例提供了一种数据存储系统，包括host端和如上所述的嵌入式存储芯片；
若所述host端与所述第一数据存储通道连接成功，则所述第一数据存储通道根据接收所述host端发送的数据信息指定第一目标存储区域进行数据存储；否则，所述host端与所述第二数据存储通道连接，所述第二数据存储通道根据所述host端发送的数据信息指定第二目标存储区域进行数据存储。
附图说明
[0017]图1是本专利技术实施例一种嵌入式存储芯片数据存储方法的一具体实施例流程示意图；图2是本专利技术实施例一种嵌入式存储芯片数据存储方法的另一具体实施例流程示意图；图3是本专利技术实施例一种嵌入式存储芯片的一具体实施例模块示意图；图4是本专利技术实施例一种嵌入式存储芯片的另一具体实施例模块示意图；图5时本专利技术实施例一种嵌入式存储芯片的又一具体实施例模块示意图；图6时本专利技术实施例一种数据存储系统的一具体实施例模块示意图。
具体实施方式
[0018]以下将结合实施例对专利技术的构思及产生的技术效果进行清楚、完整地描述，以充分地理解本专利技术的目的、特征和效果。显然，所描述的实施例只是本专利技术的一部分实施例，而不是全部实施例，基于本专利技术的实施例，本领域的技术人员在不付出创造性劳动的前提下所获得的其他实施例，均属于本专利技术保护的范围。
[0019]在本专利技术实施例的描述中，如果涉及到“若干”，其含义是一个以上，如果涉及到“多个”，其含义是两个以上，如果涉及到“大于”、“小于”、“超过”，本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种嵌入式存储芯片数据存储方法，其特征在于，包括：以第一数据存储通道与host端进行数据交互识别连接；若连接成功，则所述第一数据存储通道根据所述host端发送的数据信息指定第一目标存储区域进行数据存储；否则，以第二数据存储通道与所述host端进行数据交互识别连接，并且，所述第二数据存储通道根据所述host端发送的数据信息指定第二目标存储区域进行数据存储。2.根据权利要求1所述的嵌入式存储芯片数据存储方法，其特征在于，所述第一数据存储通道包括主控制器、DDR以及控制所述DDR的DDR控制器；若所述主控制器与所述host端进行数据交互识别成功；则所述DDR控制器根据接收的所述host端发送的数据信息控制所述DDR进行网表映射刷新，在所述主控制器指定的第一目标存储区域进行数据存储。3.根据权利要求2所述的嵌入式存储芯片数据存储方法，其特征在于，所述第二数据存储通道包括备用控制器、所述DDR控制器和所述DDR；若所述主控制器与所述host端连接失败；则所述DDR控制器根据接收的所述host端发送的数据信息控制所述DDR进行网表映射刷新，在所述备用控制器指定的第二目标存储区域进行数据存储。4.根据权利要求3所述的嵌入式存储芯片数据存储方法，其特征在于，所述主控制器包括第一flash控制器，所述第一目标存储区域设置在flash闪存阵列中，所述第一flash控制器中设置有对所述flash闪存阵列的控制程序；当所述第一flash控制器与所述host端成功交互识别时，所述DDR控制器控制所述DDR进行网表映射刷新，在所述第一flash控制器指定的所述flash闪存阵列的区域上进行数据存储。5.根据权利要求4所述的嵌入式存储芯片数据存储方法，其特征在于，所述备用控制器包括第二flash控制器，所述第二目标存储区域设置在所述flash闪存阵列中，所述第二flash控制器中设置有对所述flash闪存阵列...
【专利技术属性】
技术研发人员：李修录，吴健全，朱小聪，尹善腾，
申请(专利权)人：深圳市安信达存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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