腐败希瓦氏菌协同二氧化钛光催化去除U(VI)的方法技术

技术编号:35489624 阅读:17 留言:0更新日期:2022-11-05 16:44
本发明专利技术公开了腐败希瓦氏菌协同二氧化钛光催化去除U(VI)的方法,包括以下材料和试剂;

【技术实现步骤摘要】
腐败希瓦氏菌协同二氧化钛光催化去除U(VI)的方法


[0001]本专利技术涉及生物工程
,具体为腐败希瓦氏菌协同二氧化钛光催化去除U(VI)的方法。

技术介绍

[0002]由于铀的半衰期很长,长达几十亿年,如果将具有放射性的废水不做任何处理直接排放到环境中,在其衰变过程中发出的辐射能量会对环境中成不可估量的危害。此外,铀是重金属,沉积在土壤中会造成重金属污染,影响植物生长,富集在动物体内会造成动物重金属中毒,并且铀元素在细胞内还能取代其他元素参与微生物的代谢,使微生物遗传信息发生改变。
[0003]铀属于变价金属,在环境中主要以U(VI)存在,赋存形态主要有UO
22+
、(UO)2CO3、UO2(OH)
+
等,传统的物理化学等处理方法不仅效果差强人意,再处理时容易造成二次污染,而且成本高,故本专利技术推出了腐败希瓦氏菌协同二氧化钛光催化去除U(VI)的方法用来解决上述问题。

技术实现思路

[0004]针对现有技术的不足,本专利技术提供了腐败希瓦氏菌协同二氧化钛光催化去除U(VI)的方法,解决了上述
技术介绍
提出的问题。
[0005]为实现上述目的,本专利技术提供如下技术方案:腐败希瓦氏菌协同二氧化钛光催化去除U(VI)方法,
[0006]包括以下步骤:
[0007]步骤一:准备材料和试剂;
[0008]①
腐败希瓦氏菌;
[0009]②
二氧化钛矿物电极;
[0010]③
牛肉膏、蛋白胨、酵母粉、硫酸铵、无水硫酸镁、乳酸钠、氯化钠、盐酸、氢氧化钠、氯化钾、环氧树脂胶、过氧化氢、硫酸、丙酮、N
‑2‑
羟乙基哌嗪

N
’‑2‑
乙磺酸(HEPES)、偶氮胂Ⅲ、硝酸铀、乙二胺四乙酸二钠(Na2EDTA)、无水乙醇;
[0011]④
1g/L铀标准溶液:准确称取1g UO2(NO3)2放入100mL烧杯中,加10mL盐酸(密度约1.19g/mL),3mL过氧化氢(30%),两滴硝酸(密度约1.42g/mL),盖上表面皿,混匀,放置3min后,在恒温磁力搅拌器上加热至药品完全溶解,待冷却后,转入1000mL容量瓶中,加0.1mol/L的NaCl溶液稀释至刻度,摇匀,作为储备液;
[0012]⑤
100mg/L铀溶液:用0.1mol/L的NaCl溶液稀释1g/L的铀标准溶液至100mg/L即可;
[0013]⑥
500mg/L偶氮胂Ⅲ溶液:于100mL烧杯中准确称取0.125g偶氮胂Ⅲ,加水溶解后,将溶液转移至250mL容量瓶中,定容,摇匀;
[0014]⑦
0.05mol/L Na2EDTA溶液:准确称取10g Na2EDTA溶解到100mL水中,然后转移至
500mL容量瓶中,定容,混匀备用;
[0015]步骤二:实验装置搭建;
[0016]①
实验装置采用电化学双室装置,该装置由阳极室和阴极室构成,除光入射孔为石英玻璃外,其余部分均为有机玻璃,两室通过螺栓进行固定,每个室顶部有3个小孔,一大两小,大孔为电极及导线接口,两个小孔分别为补料和取样口,阴阳两极室之间由质子膜隔开,质子膜与两极室之间分别夹有硅胶垫用来保持密封性,阳极室接种微生物并使用厌氧培养基培养,阴极室填充0.1mol/L KCl溶液作为电解质溶液,两电极通过导线与外电路连接,用环氧树脂胶固定并密封连接处,电极材料与质子膜均需要预处理;
[0017]②
阳极电极,阳极电极为碳布电极,将碳布裁剪成2.5cm
×
3cm大小,将导线连接到碳布上,并且在裸露的导线处涂上一层导电胶,以防止在发生反应时遭到腐蚀,制备好的电极先烘干或自然晾干,然后依次用1mol/L HCl和1mol/L NaOH浸泡1h,再用去离子水冲洗2

3次,灭菌后放到无菌操作台上备用;
[0018]③
阴极电极,阴极电极为ITO导电玻璃,尺寸为2.5cm
×
3cm,使用需要预处理,依次用丙酮、无水乙醇、蒸馏水分别超声震荡20min,再用蒸馏水冲洗2

3次,使用电极夹将导电玻璃与外电路连接,然后放到无菌操作台上备用;
[0019]④
质子膜,使用前需要进行预处理;首先在5%(v/v)H2O2水溶液中煮1h,用来除去膜中的有机杂质,经过反复冲洗后再用1.0mol/L的H2SO4溶液中煮沸1h,让质子膜完全转变为H
+
型;用水冲去多余的H2SO4后,再将膜放在去离子水中煮1h,再用去离子水反复漂洗4

5次,以除去膜中残留的H2SO4,最后将处理好的质子膜浸泡在常温的去离子水中保存,需要注意的是质子膜不能灭菌,不能用酒精处理;每次使用后,用自来水清洗膜表面的沉积物,然后于80℃的水浴中保温1h,重新用水清洗,直到将膜表面的沉积物清洗干净,清洗完毕的质子膜放在1mol/L的NaCl溶液中保存;
[0020]⑤
活化培养基采用LB固体培养基(牛肉膏3g/L、蛋白胨10g/L、NaCl 5g/L,琼脂20g/L,初始pH值7.0),将冷藏保存的菌株接种到活化培养基的斜面上,于30℃的恒温培养箱中培养3

4天,作为实验菌种备用。实验过程需要厌氧环境,需要在双室中加入厌氧培养基,厌氧培养基组成为:乳酸钠10mmol/L、酵母粉1g/L、NaCl 0.46g/L、硫酸铵0.26g/L、无水硫酸镁0.01g/L、HEPES 20mmol/L;
[0021]步骤三:开始实验;
[0022]①
将上述菌种首先接种在LB培养基中,于30℃,120rpm条件下培养24h;
[0023]②
在无菌环境中,将

中培养液接种到阳极室的厌氧培养基中,添加电子穿梭体蒽醌
‑2‑
磺酸钠(AQS),考察AQS对腐败希瓦氏菌去除U(VI)的影响;
[0024]③
在阳极室不接种希瓦氏菌,阴极室进行二氧化钛光催化条件下,添加5%的甲醇到阴极室作为空穴捕获剂,考察其对二氧化钛光催化去除U(VI)的影响;
[0025]④
在阳极室接种腐败希瓦氏菌,阴极室进行二氧化钛光催化,研究两者协同作用对U(VI)去除的影响;
[0026]⑤
U(VI)浓度的测定方法采用分光光度法,去除率按以下公式计算:
[0027][0028]式中:C0‑‑‑
实验开始前U(VI)浓度,mg/L;
[0029]C
t
‑‑‑
t时刻U(VI)浓度,mg/L;
[0030]C
a
‑‑‑
装置吸附的U(VI)浓度,mg/L;
[0031]步骤四:得出结论;
[0032]①
腐败希瓦氏菌对U(VI)具有较好的去除效率,在电子穿梭体本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.腐败希瓦氏菌协同二氧化钛光催化去除U(VI)方法,其特征在于:包括以下步骤:步骤一:准备材料和试剂;

腐败希瓦氏菌;

二氧化钛矿物电极;

牛肉膏、蛋白胨、酵母粉、硫酸铵、无水硫酸镁、乳酸钠、氯化钠、盐酸、氢氧化钠、氯化钾、环氧树脂胶、过氧化氢、硫酸、丙酮、N
‑2‑
羟乙基哌嗪

N
’‑2‑
乙磺酸(HEPES)、偶氮胂Ⅲ、硝酸铀、乙二胺四乙酸二钠(Na2EDTA)、无水乙醇;

1g/L铀标准溶液:准确称取1g UO2(NO3)2放入100mL烧杯中,加10mL盐酸(密度约1.19g/mL),3mL过氧化氢(30%),两滴硝酸(密度约1.42g/mL),盖上表面皿,混匀,放置3min后,在恒温磁力搅拌器上加热至药品完全溶解,待冷却后,转入1000mL容量瓶中,加0.1mol/L的NaCl溶液稀释至刻度,摇匀,作为储备液;

100mg/L铀溶液:用0.1mol/L的NaCl溶液稀释1g/L的铀标准溶液至100mg/L即可;

500mg/L偶氮胂Ⅲ溶液:于100mL烧杯中准确称取0.125g偶氮胂Ⅲ,加水溶解后,将溶液转移至250mL容量瓶中,定容,摇匀;

0.05mol/L Na2EDTA溶液:准确称取10g Na2EDTA溶解到100mL水中,然后转移至500mL容量瓶中,定容,混匀备用;步骤二:实验装置搭建;

实验装置采用电化学双室装置,该装置由阳极室和阴极室构成,除光入射孔为石英玻璃外,其余部分均为有机玻璃,两室通过螺栓进行固定,每个室顶部有3个小孔,一大两小,大孔为电极及导线接口,两个小孔分别为补料和取样口,阴阳两极室之间由质子膜隔开,质子膜与两极室之间分别夹有硅胶垫用来保持密封性,阳极室接种微生物并使用厌氧培养基培养,阴极室填充0.1mol/L KCl溶液作为电解质溶液,两电极通过导线与外电路连接,用环氧树脂胶固定并密封连接处,电极材料与质子膜均需要预处理;

阳极电极,阳极电极为碳布电极,将碳布裁剪成2.5cm
×
3cm大小,将导线连接到碳布上,并且在裸露的导线处涂上一层导电胶,以防止在发生反应时遭到腐蚀,制备好的电极先烘干或自然晾干,然后依次用1mol/L HCl和1mol/L NaOH浸泡1h,再用去离子水冲洗2

3次,灭菌后放到无菌操作台上备用;

阴极电极,阴极电极为ITO导电玻璃,尺寸为2.5cm
×
3cm,使用需要预处理,依次用丙酮、无水乙醇、蒸馏水分别超声震荡20min,再用蒸馏水冲洗2

3次,使用电极夹将导电玻璃与外电路连接,然后放到无菌操作台上备用;

质子膜,使用前需要进行预处理;首先在5%(v/v)H2O2水溶液中煮1h,用来除去膜中的有机杂质,经过反复冲洗后再用1.0mol/L的H2SO4溶液中煮沸1h,让质子膜完全转变为H
+
型;用水冲去多余的H2SO4后,再将膜放在去离子水中煮1h,再用去离子水反复漂洗4

5次,以除去膜中残留的H2SO4,最后将处理好的质子膜浸泡在常温的去离子水中保存,需要注意的是质子膜不能灭菌,不能用酒精处理;每次使用后,用自来水清洗膜表面的沉积物,然后于80℃的水浴中保温1h,重新用水清洗,直到将膜表面的沉积物清洗干净,清洗完毕的质子膜放在1mol/L的NaCl溶液中保存;

活化培养基采用LB固体培养基(牛肉膏3g/L、蛋白胨10g/L、NaCl 5g/L,琼脂20g/L,初始pH值7.0),将冷藏保存的菌株接种到活化培养基的斜面上,于30℃的恒温培养箱中培
养3

4天,作为实验菌种备用。实验过程需要厌氧环境,需要在双室中加入厌氧培养基,厌氧培养基组成为:乳酸钠10mmol/L、酵母粉1...

【专利技术属性】
技术研发人员:魏红福刘明学刘泽灵
申请(专利权)人:西南科技大学
类型:发明
国别省市:

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