一种耐高温DC-DC电源模块电路制造技术

本实用新型专利技术涉及一种耐高温DC

【技术实现步骤摘要】
一种耐高温DC
‑
DC电源模块电路


[0001]本技术属于DC/DC电源模块
，尤其涉及一种耐高温DC
‑
DC电源模块电路。

技术介绍

[0002]DC
‑
DC电源模块，是一种运用功率半导体开关器件实现DC
‑
DC功率变换的开关电源，它广泛应用于军事、航空等领域。随着电子技术的高速发展，开关电源的应用领域越来越广泛。随着DC
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DC电源技术的应用成熟，电源模块也得到了长足的发展，但现有的DC
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DC模块电源一般均工作在
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40℃～+85℃的环境温度。但在某些特殊情况下，要求DC
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DC模块电源能在+125℃环境温度下长期工作，甚至还要求工作在+135℃极限环境下。这样高的环境温度，一般的电源模块是难以正常工作的。因此，需要设计一款能够在高温环境下正常工作的DC
‑
DC电源模块。

技术实现思路

[0003]针对现有技术的不足，本技术提供了一种耐高温DC
‑
DC电源模块电路，可在高温环境下正常工作，且其元器件少，体积小，电源效率高。
[0004]为了达到上述目的，本技术的技术方案是：
[0005]一种耐高温DC
‑
DC电源模块电路，包括稳压二极管D1、三极管Q4、功率MOS管Q2、功率MOS管Q3、二极管D2、二极管D3、电感L1、电感L2、PWM控制器电路芯片U1；
[0006]所述三极管Q4的集电极接直流电源输入Vin；基极通过电阻R1接直流电源输入Vin，通过电容C2接输入地GND；发射极通过电容C3接输入地GND；
[0007]所述稳压二极管D1的正极接三极管Q4的基极，负极接输入地GND；
[0008]所述电感L1、电感L2的一端相接，并接直流电源输入Vin；所述电感L1的另一端接二极管D2的阳极、功率MOS管Q2的漏极；所述电感L2的另一端接二极管D3的阳极、功率MOS管Q3的漏极；所述二极管D2、二极管D3的阴极相接，并接直流电源输出Vout；
[0009]所述功率MOS管Q2的栅极接PWM控制器电路芯片U1的23脚；源极通过电阻R7接PWM控制器电路芯片U1的8脚，通过电阻R9接输入地GND；
[0010]所述功率MOS管Q3的栅极接PWM控制器电路芯片U1的20脚；源极通过电阻R8接PWM控制器电路芯片U1的13脚，通过电阻R10接输入地GND。
[0011]优选的，所述PWM控制器电路芯片U1的27脚接三极管Q4的发射极；17脚通过电阻R2接三极管Q4的发射极，通过电阻R3接输入地GND；10脚通过电阻R4接输入地GND；6脚、7脚、11脚相接，并通过电阻R5接输入地GND；14脚通过电容C4接输入地GND；15脚通过电容C5接输入地GND，通过电阻R6、电容C6接输入地GND；4脚、29脚相接，并接输入地GND；16脚通过电阻R11接直流电源输出Vout，通过电阻R12接输入地GND；12脚接输入地GND；13脚通过电容C9接输入地GND；8脚通过电容C8接输入地GND；9脚接输入地GND；19脚接输入地GND；24脚接输入地GND；22脚、21脚、28脚相接，并通过电容C7接输入地GND。
[0012]优选的，所述直流电源输入Vin通过电容C1接输入地GND。
[0013]优选的，所述二极管D2的阴极分别通过电容C10、电容C11接输入地GND。
[0014]优选的，所述PWM控制器电路芯片U1的型号为LT3782芯片。
[0015]优选的，所述功率MOS管Q2、功率MOS管Q3均为STP120NF10功率MOS管。
[0016]优选的，所述二极管D2、二极管D3均为肖特基二极管MBR2045CT。
[0017]优选的，所述电感L1、电感L2均为10uH电感。
[0018]本技术的技术效果和优点：
[0019]本技术提供的一种耐高温DC
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DC电源模块电路，通过采用稳压二极管D1、三极管Q4、功率MOS管Q2、功率MOS管Q3、二极管D2、二极管D3、电感L1、电感L2、PWM控制器电路芯片U1的电路结构，其包含两路Boost拓扑结构的升压电源电路，可使电源效率达90％，减小了输入和输出电容量需求；这种双路Boost电路交替工作，使每路的MOS管、整流二极管、储能电感、储能电容承受的电流仅为常规方式的电路承受的电流的一半，减少了元器件在工作时承受的电应力，提高了可承受的工作环境温度；且其元器件少，体积小，电源效率高。
附图说明
[0020]图1是本技术的电路结构示意图。
具体实施方式
[0021]以下结合附图给出的实施例对本技术作进一步详细的说明。
[0022]参见图1所示，一种耐高温DC
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DC电源模块电路，包括稳压二极管D1、三极管Q4、功率MOS管Q2、功率MOS管Q3、二极管D2、二极管D3、电感L1、电感L2、PWM控制器电路芯片U1。
[0023]具体实施时，参见图1所示，所述三极管Q4的集电极接直流电源输入Vin；基极通过电阻R1接直流电源输入Vin，通过电容C2接输入地GND；发射极通过电容C3接输入地GND。
[0024]具体实施时，参见图1所示，所述稳压二极管D1的正极接三极管Q4的基极，负极接输入地GND。
[0025]具体实施时，参见图1所示，所述电感L1、电感L2的一端相接，并接直流电源输入Vin；所述电感L1的另一端接二极管D2的阳极、功率MOS管Q2的漏极；所述电感L2的另一端接二极管D3的阳极、功率MOS管Q3的漏极；所述二极管D2、二极管D3的阴极相接，并接直流电源输出Vout。
[0026]具体实施时，参见图1所示，所述功率MOS管Q2的栅极接PWM控制器电路芯片U1的23脚；源极通过电阻R7接PWM控制器电路芯片U1的8脚，通过电阻R9接输入地GND。
[0027]具体实施时，参见图1所示，所述功率MOS管Q3的栅极接PWM控制器电路芯片U1的20脚；源极通过电阻R8接PWM控制器电路芯片U1的13脚，通过电阻R10接输入地GND。
[0028]具体实施时，参见图1所示，所述PWM控制器电路芯片U1的27脚接三极管Q4的发射极；17脚通过电阻R2接三极管Q4的发射极，通过电阻R3接输入地GND；10脚通过电阻R4接输入地GND；6脚、7脚、11脚相接，并通过电阻R5接输入地GND；14脚通过电容C4接输入地GND；15脚通过电容C5接输入地GND，通过电阻R6、电容C6接输入地GND；4脚、29脚相接，并接输入地GND；16脚通过电阻R11接直流电源输出Vout，通过电阻R12接输入地GND；12脚接输入地GND；13脚通过电容C9接输入地GND；8脚通过电容C8接输入地GND；9脚接输入地GND本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种耐高温DC
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DC电源模块电路，其特征在于：包括稳压二极管D1、三极管Q4、功率MOS管Q2、功率MOS管Q3、二极管D2、二极管D3、电感L1、电感L2、PWM控制器电路芯片U1；所述三极管Q4的集电极接直流电源输入Vin；基极通过电阻R1接直流电源输入Vin，通过电容C2接输入地GND；发射极通过电容C3接输入地GND；所述稳压二极管D1的正极接三极管Q4的基极，负极接输入地GND；所述电感L1、电感L2的一端相接，并接直流电源输入Vin；所述电感L1的另一端接二极管D2的阳极、功率MOS管Q2的漏极；所述电感L2的另一端接二极管D3的阳极、功率MOS管Q3的漏极；所述二极管D2、二极管D3的阴极相接，并接直流电源输出Vout；所述功率MOS管Q2的栅极接PWM控制器电路芯片U1的23脚；源极通过电阻R7接PWM控制器电路芯片U1的8脚，通过电阻R9接输入地GND；所述功率MOS管Q3的栅极接PWM控制器电路芯片U1的20脚；源极通过电阻R8接PWM控制器电路芯片U1的13脚，通过电阻R10接输入地GND。2.根据权利要求1所述的一种耐高温DC
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DC电源模块电路，其特征在于：所述PWM控制器电路芯片U1的27脚接三极管Q4的发射极；17脚通过电阻R2接三极管Q4的发射极，通过电阻R3接输入地GND；10脚通过电阻R4接输入地GND；6脚、7脚、11脚相接，并通过电阻R5接输入地GND；14脚通过电容C4接输入地GND；15脚通过电容C5...

【专利技术属性】
技术研发人员：何克勤，
申请(专利权)人：西安森派电子技术有限公司，
类型：新型
国别省市：