透明导电性薄膜制造技术

本发明专利技术的透明导电性薄膜(X)沿着厚度方向(D)依次具备透明基材(10)和透光性导电层(20)。透光性导电层(20)含有氪。透光性导电层(20)中的压缩残余应力小于490MPa。(20)中的压缩残余应力小于490MPa。(20)中的压缩残余应力小于490MPa。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】透明导电性薄膜


[0001]本专利技术涉及透明导电性薄膜。

技术介绍

[0002]以往，沿着厚度方向依次具备透明的基材薄膜和透明的导电层(透光性导电层)的透明导电性薄膜是已知的。透光性导电层被用作例如用于对液晶显示器、触摸面板和光传感器等各种设备中的透明电极进行图案形成的导体膜。另外，透光性导电层有时也被用作设备所具备的抗静电层。透光性导电层通过例如利用溅射法在基材薄膜上对导电性氧化物进行成膜来形成。在该溅射法中，以往作为用于撞击靶(成膜材料供给材料)而使靶表面的原子弹出的溅射气体，使用氩气等非活性气体。关于这种透明导电性薄膜的相关技术，在例如下述专利文献1中有所记载。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开平5
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334924号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的问题
[0007]对透明导电性薄膜的透光性导电层要求低电阻。尤其是对于透明电极用途的透明导电性薄膜而言，该要求高。另外，对透明导电性薄膜还要求不易发生翘曲。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种透明导电性薄膜，其沿着厚度方向依次具备透明基材和透光性导电层，所述透光性导电层含有氪，所述透光性导电层在与所述厚度方向正交的面内方向上具有小于490MPa的压缩残余应力。2.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜，其中，所述透光性导电层的面内方向的平均晶界数小于12个/μm。3.根据权利要求1或2所述的透明导电性薄膜，其中，所述透光性导电层含有含铟的导电性氧化物。4....

【专利技术属性】
技术研发人员：藤野望，鸦田泰介，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：