充放电快放电路以及充电电池制造技术

技术编号:35447672 阅读:14 留言:0更新日期:2022-11-03 12:01
本申请提供一种充放电快放电路以及充电电池。上述的充放电快放电路包括充放电场效应管以及寄生快放电路;寄生快放电路包括快放达林顿管以及第一电阻,快放达林顿管的第二端与充放电控制器的控制端连接,快放达林顿管的第二端还与充放电场效应管的栅极连接,快放达林顿管的第一端与第一电阻的第一端连接,第一电阻的第二端与充放电场效应管的源极连接,快放达林顿管以及充放电场效应管的导通电平不等。当充放电控制器的控制端输出关断电平时,充放电场效应管截止,充放电场效应管的栅极与源极之间的寄生电容放电,寄生电容释放的电荷通过快放达林顿管,有效地提高了充放电快放电路的关断速率。关断速率。关断速率。

【技术实现步骤摘要】
充放电快放电路以及充电电池


[0001]本技术涉及电池
,特别是涉及一种充放电快放电路以及充电电池。

技术介绍

[0002]现在很多电子系统中做开关控制都是采用MOS管,针对现在一些大功率进行开关控制的电路,因MOS管导通电阻小,相比三极管,导通的压降要小得多,发热功率也相对应会减少,不容易出现烧断的情况。当使用MOS管做开关电路时,MOS管只要GS两端高于驱动阈值,就能正常闭合。在电池管理系统中,常常会使用MOS管进行充放电回路的控制。
[0003]然而,从MOS管的组成结构可以看出,MOS管的门级G,源极S,漏极D每两个级之间都存在寄生电容,MOS管的驱动实际就是对这些电容的充放电,在GS端施加电压,就是对GS端的寄生电容进行充电,当需要关闭MOS管时,GS端的寄生电容的电量需要进行释放,电容的释放时间的长短就会影响MOS管开关的速度,导致关闭速度过慢,尤其是在通过大电流时,容易出现损坏情况。

技术实现思路

[0004]本技术的目的是克服现有技术中的不足之处,提供一种有效提高充放电快放电路的关断速率的充放电快放电路以及充电电池。
[0005]本技术的目的是通过以下技术方案来实现的:
[0006]一种充放电快放电路,包括:充放电场效应管以及寄生快放电路;所述充放电场效应管的漏极接地,所述充放电场效应管的源极用于与充电负极连接;所述寄生快放电路包括快放达林顿管以及第一电阻,所述快放达林顿管的控制端用于与充放电控制器的控制端连接,所述快放达林顿管的第二端与所述充放电控制器的控制端连接,所述快放达林顿管的第二端还与所述充放电场效应管的栅极连接,所述快放达林顿管的第一端与所述第一电阻的第一端连接,所述第一电阻的第二端与所述充放电场效应管的源极连接,其中,所述快放达林顿管以及所述充放电场效应管的导通电平不等。
[0007]在其中一个实施例中,所述寄生快放电路还包括防灌二极管,所述防灌二极管的正极与所述充放电控制器的控制端连接,所述防灌二极管的负极与所述快放达林顿管的第二端连接。
[0008]在其中一个实施例中,所述寄生快放电路还包括第二电阻,所述快放达林顿管的控制端与所述第二电阻的第一端连接,所述第二电阻的第二端与所述充放电场效应管的源极连接。
[0009]在其中一个实施例中,所述第一电阻的阻值小于所述第二电阻的阻值。
[0010]在其中一个实施例中,所述寄生快放电路还包括稳压二极管,所述快放达林顿管的第二端与所述稳压二极管的正极连接,所述稳压二极管的负极与所述充放电场效应管的源极连接。
[0011]在其中一个实施例中,所述充放电场效应管为N型MOS管,所述快放达林顿管包括
第一PNP三极管以及第一NPN三极管,所述第一PNP三极管的基极以及发射极分别与所述充放电控制器的控制端连接,所述第一PNP三极管的集电极与所述第一NPN三极管的基极连接,所述第一NPN三极管的集电极与所述第一PNP三极管的发射极连接,所述第一NPN三极管的发射极与所述第一电阻的第一端连接。
[0012]在其中一个实施例中,所述充放电场效应管为N型MOS管,所述快放达林顿管包括第二PNP三极管以及第三PNP三极管,所述第二PNP三极管的发射极与所述充放电控制器的控制端连接,所述第二PNP三极管的基极与所述第三PNP三极管的发射极连接,所述第二PNP三极管的集电极与所述第一电阻的第一端连接,所述第三PNP三极管的基极与所述充放电控制器的控制端连接,所述第三PNP三极管的集电极与所述第二PNP三极管的集电极连接。
[0013]在其中一个实施例中,所述充放电场效应管为P型MOS管,所述快放达林顿管包括第二NPN三极管以及第三NPN三极管,所述第二NPN三极管的集电极以及基极分别与所述充放电控制器的控制端连接,所述第二NPN三极管的发射极与所述第三NPN三极管的基极连接,所述第三NPN三极管的集电极与所述充放电控制器的控制端连接,所述第三NPN三极管的发射极与所述第一电阻的第一端连接。
[0014]在其中一个实施例中,所述充放电场效应管为P型MOS管,所述快放达林顿管包括第四PNP三极管以及第四NPN三极管,所述第四PNP三极管的发射极与所述充放电控制器的控制端连接,所述第四PNP三极管的基极与所述第四NPN三极管的集电极连接,所述第四PNP三极管的集电极与所述第一电阻的第一端连接,所述第四NPN三极管的基极与所述充放电控制器的控制端连接,所述第四NPN三极管的发射极与所述第四PNP三极管的集电极连接。
[0015]一种充电电池,包括上述任一实施例所述的充放电快放电路。
[0016]与现有技术相比,本技术至少具有以下优点:
[0017]当充放电控制器的控制端输出关断电平时,充放电场效应管截止,充放电场效应管的栅极与源极之间的寄生电容放电,而此时快放达林顿管导通,寄生电容释放的电荷通过快放达林顿管,并通过第一电阻进行消耗,便于对寄生电容上的电压进行快速泄放,有效地提高了充放电快放电路的关断速率。
附图说明
[0018]为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,应当理解,以下附图仅示出了本技术的某些实施例,因此不应被看作是对范围的限定,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0019]图1为一实施例中充放电快放电路的电路图;
[0020]图2为另一实施例中充放电快放电路的电路图;
[0021]图3为再一实施例中充放电快放电路的电路图;
[0022]图4为又一实施例中充放电快放电路的电路图。
具体实施方式
[0023]为了便于理解本技术,下面将参照相关附图对本技术进行更全面的描述。附图中给出了本技术的较佳实施方式。但是,本技术可以以许多不同的形式来
实现,并不限于本文所描述的实施方式。相反地,提供这些实施方式的目的是使对本技术的公开内容理解的更加透彻全面。
[0024]需要说明的是,当元件被称为“固定于”另一个元件,它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件,它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的,并不表示是唯一的实施方式。
[0025]除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的,不是旨在于限制本技术。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
[0026]本技术涉及一种充放电快放电路。在其中一个实施例中,所述充放电快放电路包括充放电场效应管以及寄生快放电路。所述充放电场效应管的漏极接地,所述充放电场效应本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种充放电快放电路,其特征在于,包括:充放电场效应管,所述充放电场效应管的漏极接地,所述充放电场效应管的源极用于与充电负极连接;寄生快放电路,所述寄生快放电路包括快放达林顿管以及第一电阻,所述快放达林顿管的控制端用于与充放电控制器的控制端连接,所述快放达林顿管的第二端与所述充放电控制器的控制端连接,所述快放达林顿管的第二端还与所述充放电场效应管的栅极连接,所述快放达林顿管的第一端与所述第一电阻的第一端连接,所述第一电阻的第二端与所述充放电场效应管的源极连接,其中,所述快放达林顿管以及所述充放电场效应管的导通电平不等。2.根据权利要求1所述的充放电快放电路,其特征在于,所述寄生快放电路还包括防灌二极管,所述防灌二极管的正极与所述充放电控制器的控制端连接,所述防灌二极管的负极与所述快放达林顿管的第二端连接。3.根据权利要求1所述的充放电快放电路,其特征在于,所述寄生快放电路还包括第二电阻,所述快放达林顿管的控制端与所述第二电阻的第一端连接,所述第二电阻的第二端与所述充放电场效应管的源极连接。4.根据权利要求3所述的充放电快放电路,其特征在于,所述第一电阻的阻值小于所述第二电阻的阻值。5.根据权利要求1所述的充放电快放电路,其特征在于,所述生快放电路还包括稳压二极管,所述快放达林顿管的第二端与所述稳压二极管的正极连接,所述稳压二极管的负极与所述充放电场效应管的源极连接。6.根据权利要求1所述的充放电快放电路,其特征在于,所述充放电场效应管为N型MOS管,所述快放达林顿管包括第一PNP三极管以及第一NPN三极管,所述第一PNP三极管的基极以及发射极分别与所述充放电控制器的控制端连接,所述第一PNP三极管的集电极与所述第一NPN三极管的基极连接,所述第一NPN三极管的集...

【专利技术属性】
技术研发人员:梁志锋吴翔龙吴伟陈志军叶国华张志平
申请(专利权)人:广东博力威科技股份有限公司
类型:新型
国别省市:

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