一种单层石墨烯太赫兹热电探测器的构造及验证方法技术

本发明专利技术公开了一种单层石墨烯太赫兹热电探测器的构造及验证方法，属于太赫兹探测器设计技术领域，包括如下步骤：构造全介质基底；获取单层石墨烯，并基于全介质基底构造单层石墨烯太赫兹热电探测器；利用X偏振太赫兹波验证单层石墨烯太赫兹热电探测器，得到温差电势和光电压信号；所述全介质基底由一个无任何图形的完整区域和一个特定图形化的超表面区域构成，超表面局域增强了石墨烯对太赫兹波的吸收，形成温差电势；本发明专利技术提供的探测器结构简单，不需要传统对称电极热电探测器对入射光斑位置进行精确操控，也不涉及到不对称电极热电探测器复杂的电极制备工艺。本发明专利技术受到“中央引导地方科技发展项目(编号：2021ZYD0039)”支持。持。持。

【技术实现步骤摘要】
一种单层石墨烯太赫兹热电探测器的构造及验证方法


[0001]本专利技术属于太赫兹探测器设计
，尤其涉及一种单层石墨烯太赫兹热电探测器的构造及验证方法。

技术介绍

[0002]太赫兹探测器是太赫兹领域基础研究之一，越来越多的太赫兹探测原理已经被报道，其中较广泛使用的是热电效应。热电探测器的工作原理主要基于材料温差电势，这些材料一般具有合适的导热系数和导电性，其中石墨烯材料尤其受欢迎。石墨烯太赫兹热电探测器按照电极分类可分为对称电极和不对称电极。对称电极石墨烯热电探测器使用的正负电极为同种金属，电信号的产生主要是通过太赫兹波照射石墨烯不同位置形成温差；此探测器工作时要求光束光斑不能覆盖整个感光区，也不能照射到中心区，仅能照射到其中一个电极的一侧；当感光沟道较窄时，需要精确控制光束的照射位置，光斑位置控制难度极大，因此这类探测器应用基本只适合于实验室。不对称电极石墨烯热电探测器使用的正负电极为异种金属，太赫兹光束可以照射到整个器件上，异种金属具有不同的导热系数，因此在两个金属电极间形成温差电势；然而，同一个器件上不同金属电极的制备工艺难度较大、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种单层石墨烯太赫兹热电探测器的构造及验证方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、构造全介质基底；S2、获取单层石墨烯，并基于全介质基底构造单层石墨烯太赫兹热电探测器；S3、利用X偏振太赫兹波验证单层石墨烯太赫兹热电探测器，得到温差电势和光电压信号。2.根据权利要求1所述的单层石墨烯太赫兹热电探测器的构造及验证方法，其特征在于，所述步骤S1包括如下步骤：S11、利用紫外固化胶将高阻硅粘合于石英上，得到初始全介质基底；S12、刻蚀高阻硅，得到全介质基底。3.根据权利要求2所述的单层石墨烯太赫兹热电探测器的构造及验证方法，其特征在于，所述全介质基底包括具有完整高阻硅的第一区域和具有图形化超表面阵列的第二区域；所述第二区域由20
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20个元胞构成；各所述元胞的结构均为一个椭圆两端均被切割半圆切割后的不完整椭圆条。4.根据权利要求3所述的单层石墨烯太赫兹热电探测器的构造及验证方法，其特征在于，所述元胞的结构参数如下；高度h为80μm；晶格周期P为160μm；椭圆长轴I为160μm；椭圆短轴W为60μm；切割半圆半径R为30μm。5.根据权利要求4所述的单层石墨烯太赫兹热电探测器的构造及验证方法，其特征在于，所述步骤S2包括如下步骤：S21、通过化...

【专利技术属性】
技术研发人员：李继涛，杨定宇，朱兴华，田海波，贾浩铎，唐鑫，
申请(专利权)人：四川文理学院，
类型：发明
国别省市：