提供了一种显示装置和用于制造该显示装置的方法。所述显示装置包括：基底；像素电极，在基底上；发光元件，在像素电极上，并且在基底的厚度方向上延伸；共电极，在发光元件上；波长转换层，在共电极上，并且包括用于将从发光元件发射的第一光转换为第二光的波长转换颗粒；以及选择性透射膜，在波长转换层的上表面上和侧面上，并且被构造为反射第一光并被构造为透射第二光。射第二光。射第二光。
【技术实现步骤摘要】
显示装置和用于制造该显示装置的方法
[0001]本公开涉及显示装置和用于制造该显示装置的方法。
技术介绍
[0002]随着信息时代的进步，对用于显示图像的显示装置的需求以各种形式增加。显示装置可以是平板显示装置，诸如液晶显示装置、场发射显示装置和发光显示装置。发光显示装置可以包括有机发光显示装置和无机发光显示装置，有机发光显示装置包括有机发光二极管元件作为发光元件，无机发光显示装置包括无机半导体元件作为发光元件或微型发光二极管元件作为发光元件。
[0003]最近，已经开发了包括发光显示装置的头戴式显示器。头戴式显示器(HMD)是虚拟现实(VR)或增强现实(AR)的眼镜型监视装置，其被用户以眼镜或头盔的形式佩戴，并且其以靠近用户眼睛的距离形成中心点或焦点。
[0004]包括微型发光二极管元件的高分辨率微型发光二极管显示面板应用于头戴式显示器。为了减少或防止从微型发光二极管元件发射的光同从与其相邻的另一微型发光二极管元件发射的光混合，可以在微型发光二极管元件之间定位分隔件。然而，因为分隔件的宽度由于微型发光二极管元件的高集成度而应该减小，所以可能难以制造分隔件。
技术实现思路
[0005]本公开的一些实施例的方面提供了显示装置和用于制造该显示装置的方法，在该显示装置中可以在没有单独的分隔件的情况下减少或防止彼此相邻的发光二极管的光混合。
[0006]然而，本公开的实施例不限于这里阐述的实施例。通过参照下面给出的本公开的详细描述，本公开的以上和其他实施例对于本公开所属领域的普通技术人员而言将变得更加明显。
[0007]根据本公开的一些实施例，提供了一种显示装置，所述显示装置包括：基底；像素电极，在基底上；发光元件，在像素电极上，并且在基底的厚度方向上延伸；共电极，在发光元件上；波长转换层，在共电极上，并且包括用于将从发光元件发射的第一光转换为第二光的波长转换颗粒；以及选择性透射膜，在波长转换层的上表面上和侧面上，并且被构造为反射第一光并被构造为透射第二光。
[0008]选择性透射膜可以包括多个奇层和多个偶层，多个奇层具有第一折射率，多个偶层具有比第一折射率低的第二折射率，其中，多个奇层和多个偶层交替地定位。
[0009]显示装置还可以包括滤色器，滤色器在选择性透射膜上，被构造为阻挡或吸收第一光，并且被构造为透射第二光的至少一部分。
[0010]显示装置还可以包括在选择性透射膜的侧面上的反射膜。
[0011]显示装置还可以包括在像素电极与发光元件之间的连接电极。
[0012]共电极可以在发光元件的上表面上，并且可以围绕发光元件的侧面和连接电极的
侧面。
[0013]显示装置还可以包括在基底上的第一绝缘膜，其中，共电极在第一绝缘膜上。
[0014]选择性透射膜可以在共电极上。
[0015]显示装置还可以包括在发光元件的侧面与共电极之间的第二绝缘膜。
[0016]根据本公开的一些实施例，提供了一种显示装置，所述显示装置包括：基底；像素电极，在基底上；发光元件，在像素电极上，并且在基底的厚度方向上延伸；波长转换层，在发光元件上，并且包括用于将从发光元件发射的第一光转换为第二光的波长转换颗粒；共电极，在波长转换层上；以及选择性透射膜，在共电极上或上方，并且被构造为反射第一光并透射第二光。
[0017]发光元件可以包括：第一半导体层，在像素电极上；活性层，在第一半导体层上；以及第二半导体层，在活性层上。
[0018]波长转换层还可以包括限定用于容纳波长转换颗粒的多个开口的第三半导体层。
[0019]第三半导体层可以包括与第二半导体层的材料相同的材料。
[0020]第一半导体层可以包括掺杂有第一导电型掺杂剂的p
‑
GaN，其中，第二半导体层和第三半导体层中的每个包括掺杂有第二导电型掺杂剂的n
‑
GaN。
[0021]波长转换层的厚度可以比发光元件的厚度大。
[0022]共电极可以在波长转换层的上表面和侧面上，并且围绕发光元件的侧面。
[0023]根据本公开的一些实施例，提供了一种显示装置，所述显示装置包括：发光元件，在第一光发射区域、第二光发射区域和第三光发射区域中的每个中，第一光发射区域被构造为发射第一光，第二光发射区域被构造为发射第二光，第三光发射区域被构造为发射第三光；透光层，在第一光发射区域中在发光元件上；波长转换层，在第二光发射区域中在发光元件上并且在第三光发射区域中在发光元件上；以及选择性透射膜，在第一光发射区域中在透光层的侧面上，并且在第二光发射区域中在波长转换层的上表面和侧面上，其中，选择性透射膜被构造为反射从波长转换层入射的第一光，并且被构造为透射第二光。
[0024]选择性透射膜可以在第三光发射区域中在波长转换层的上表面和侧面上，并且可以被构造为透射第三光。
[0025]显示装置还可以包括：第一滤色器，在第一光发射区域中在透光层上，被构造为透射第一光，并且被构造为吸收或阻挡第二光和第三光；第二滤色器，在第二光发射区域中在波长转换层上，被构造为透射第二光，并且被构造为吸收或阻挡第一光和第三光；以及第三滤色器，在第三光发射区域中在波长转换层上，被构造为透射第三光，并且被构造为吸收或阻挡第一光和第二光。
[0026]根据本公开的一些实施例，提供了一种用于制造显示装置的方法，所述方法包括：在第一基底上形成第一连接电极层；在第二基底的发光材料层上形成第二连接电极层；通过将第一连接电极层接合到第二连接电极层来形成连接电极层；去除第二基底；在发光材料层上形成掩摸图案；根据掩摸图案蚀刻发光材料层和连接电极层，以形成发光元件和连接电极；在发光元件中的每个的侧面上形成绝缘膜；在发光元件中的每个的上表面上和在绝缘膜上形成共电极；在第一光发射区域中在共电极上形成透光层；在第二光发射区域中和在第三光发射区域中在共电极上形成波长转换层，波长转换层被构造为将从发光元件发射的第一光转换为第二光；以及在第二光发射区域和第三光发射区域中的每个的波长转换
层上形成选择性透射膜，选择性透射膜被构造为反射第一光并透射第二光。
[0027]根据本公开的前述和其他实施例，透光层在第一光发射区域中的每个中位于发光元件的上表面和侧面上，波长转换层在第二光发射区域和第三光发射区域中的每个中位于发光元件的上表面和侧面上。此外，反射膜在第一光发射区域中的每个中位于透光层的侧面上以及在第二光发射区域和第三光发射区域中的每个中位于波长转换层的侧面上。因此，从发光元件发射的光之中的向上侧和下侧移动以及向左侧和右侧移动而不在向上方向上移动的光可以被反射膜反射。因此，即使在相邻的光发射区域的发光元件之间不定位单独的分隔件，也可以减少或防止从相邻的光发射区域的发光元件发射的光混合。
[0028]根据本公开的前述和其他实施例，波长转换层包括第三半导体层，该第三半导体层包括与发光元件的半导体层的材料相同的材料并且限定用于容纳第一波长转换颗粒的多个开口。此外本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种显示装置，所述显示装置包括：基底；像素电极，在所述基底上；发光元件，在所述像素电极上，并且在所述基底的厚度方向上延伸；共电极，在所述发光元件上；波长转换层，在所述共电极上，并且包括用于将从所述发光元件发射的第一光转换为第二光的波长转换颗粒；以及选择性透射膜，在所述波长转换层的上表面上和侧面上，并且被构造为反射所述第一光并被构造为透射所述第二光。2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述选择性透射膜包括多个奇层和多个偶层，所述多个奇层具有第一折射率，所述多个偶层具有比所述第一折射率低的第二折射率，并且其中，所述多个奇层和所述多个偶层交替地定位。3.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括滤色器，所述滤色器在所述选择性透射膜上，被构造为阻挡或吸收所述第一光，并且被构造为透射所述第二光的至少一部分。4.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括在所述选择性透射膜的侧面上的反射膜。5.根据权利要求4所述的显示装置，所述显示装置还包括在所述像素电极与所述发光元件之间的连接电极。6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述共电极在所述发光元件的上表面上，并且围绕所述发光元件的侧面和所述连接电极的侧面。7.根据权利要求6所述的显示装置，所述显示装置还包括在所述基底上的第一绝缘膜，其中，所述共电极在所述第一绝缘膜上。8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述选择性透射膜在所述共电极上。9.根据权利要求6所述的显示装置，所述显示装置还包括在所述发光元件的所述侧面与所述共电极之间的第二绝缘膜。10.一种显示装置，所述显示装置包括：基底；像素电极，在所述基底上；发光元件，在所述像素电极上，并且在所述基底的厚度方向上延伸；波长转换层，在所述发光元件上，并且包括用于将从所述发光元件发射的第一光转换为第二光的波长转换颗粒；共电极，在所述波长转换层上；以及选择性透射膜，在所述共电极上或上方，并且被构造为反射所述第一光并透射所述第二光。11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述发光元件包括：第一半导体层，在所述像素电极上；活性层，在所述第一半导体层上；以及
第二半导体层，在所述活性层上。12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述波长转换层还包括限定用于容纳所述波长转换颗粒的多个开口的第三半导体层。13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述第三半导体层包括与所述第二半导体层的材料相同的材料。14.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述第一半导体层包括掺杂有第一导电型掺杂剂的p
‑
GaN，并且其中，所述第二半导体层和所述第三...
【专利技术属性】
技术研发人员：崔鎭宇，朴声国，宋大镐，李太熙，崔海润，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：
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