一种调高混频的波段上变频电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种调高混频的波段上变频电路，包括第一本振电路、第二本振电路与变频电路；第一本振电路的输入端用于接收输入的第一本振信号，第一本振电路的输出端与第二本振的输入端连接，第二本振电路的输出端与变频电路的输入端连接；第一本振电路包括混频器M1、滤波器Z1与放大器P1；第二本振电路包括混频器M2、滤波器Z2与放大器P2；变频电路包括放大器P3与耦合器。本实用新型专利技术将外部提供的较低中频信号与本振信号混频，得到较高频率信号，产生具有较好平坦度和杂散抑制的系统激励信号进行输出。号进行输出。号进行输出。

【技术实现步骤摘要】
一种调高混频的波段上变频电路


[0001]本技术涉及无线通信
，具体涉及一种调高混频的波段上变频电路。

技术介绍

[0002]变频组件通常是指在雷达、通信系统接受前端之后、信号处理之前的部分，位于整机系统的中端。主要由变频电路、开关滤波组、中频链路等功能硬件组成。变频组件在电子对抗、导弹制导和雷达等系统中均有广泛的应用，是这些系统的核心组成部分，它实现了信号的分段选取和频率搬移，对系统的关键性能有着直接的影响。目前的变频组件通过对天线接收到的信号进行限幅、放大、变频、滤波等处理时，对来自外部的干扰、杂波抑制效果没有得到期望，不能使信号保留足够的有用信息。

技术实现思路

[0003]本技术目的在于提供一种调高混频的波段上变频电路，通过第一本振电路、第二本振电路与变频电路的配合将外部提供的较低中频信号与本振信号混频，得到较高频率信号，产生具有较好平坦度和杂散抑制的系统激励信号进行输出。
[0004]本技术通过下述技术方案实现：
[0005]一种调高混频的波段上变频电路，包括：
[0006]第一本振电路、第二本振电路与变频电路；
[0007]第一本振电路的输入端用于接收输入的第一本振信号，第一本振电路的输出端与第二本振的输入端连接，第二本振电路的输出端与变频电路的输入端连接；
[0008]第一本振电路包括混频器M1、滤波器Z1与放大器P1；第二本振电路包括混频器M2、滤波器Z2与放大器P2；变频电路包括放大器P3与耦合器。
[0009]作为本实施例的一种可选方式，第一本振电路的输入还连接有衰减器，外部中频输入信号通过衰减器输入到混频器M1中。
[0010]作为本实施例的一种可选方式，在第一本振电路中，放大器P1的一端连接本振源，其另一端连接滤波器Z1，滤波器Z1的另一端连接混频器M1。
[0011]作为本实施例的一种可选方式，第一本振电路与第二本振电路的连线通路中，还设有依次连接的带通滤波器Z与放大器P4，带通滤波器Z的一端连接混频器M1，另一端连接放大器P4；放大器P4的另一端连接第二本振电路中的混频器M2。
[0012]作为本实施例的一种可选方式，第二本振电路中，放大器P2的一端连接本振源，其另一端连接滤波器Z2，滤波器Z2的另一端连接混频器M2。
[0013]作为本实施例的一种可选方式，第二本振电路与变频电路的连线通路中，还设有依次连接的放大器P4与带通滤波器Z，放大器P4的一端连接混频器M2，另一端连接带通滤波器Z；带通滤波器Z的连接放大器P3。
[0014]作为本实施例的一种可选方式，放大器P3为可变增益放大器，其还连接有外部调谐装置；放大器P3的另一端连接耦合器，耦合器的第一端为射频输出端，其第二端连接有检
测电路与TTL输出接口。
[0015]作为本实施例的一种可选方式，滤波器Z1与滤波器Z2为低通滤波器。
[0016]作为本实施例的一种可选方式，滤波器Z3为带通滤波器。
[0017]本技术与现有技术相比，具有如下的优点和有益效果：
[0018]本实施例将外部提供的较低中频信号与本振信号混频，得到较高频率信号。在信号进行频率上变换的同时，产生具有较好平坦度和杂散抑制的系统激励信号，具有带独立信号源、中功率输出、较高平坦度、较好的温度特性、良好的杂散抑制、具有功率调节功能等特点。
附图说明
[0019]此处所说明的附图用来提供对本技术实施例的进一步理解，构成本申请的一部分，并不构成对本技术实施例的限定。在附图中：
[0020]图1为本技术实施例提供的一种调高混频的波段上变频电路图。
具体实施方式
[0021]为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下面结合实施例和附图，对本技术作进一步的详细说明，本技术的示意性实施方式及其说明仅用于解释本技术，并不作为对本技术的限定。
[0022]因此，以下对在附图中提供的本技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本技术的范围，而是仅仅表示本技术的选定实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0023]应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
[0024]在本技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该技术产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0025]在本技术的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
实施例
[0026]请参阅图1，本实施例提供了用在微波混合集成电路或者微博单片集成电路中的一种调高混频的波段上变频电路，包括第一本振电路、第二本振电路与变频电路；第一本振
电路的输入端用于接收输入的第一本振信号，第一本振电路的输出端与第二本振的输入端连接，第二本振电路的输出端与变频电路的输入端连接；第一本振电路包括混频器M1、滤波器Z1与放大器P1；第二本振电路包括混频器M2、滤波器Z2与放大器P2；变频电路包括放大器P3与耦合器。在本实施例中，选用L波段上的变频组件与电路。其中，第一本振电路的输入还连接有衰减器，外部中频输入信号通过衰减器输入到混频器M1中。于是外部信号在本实施例的电路中经过两次混频与滤波，可以有效提高平坦度，进行杂散抑制。
[0027]为了达到上述的技术效果，在第一本振电路中，放大器P1的一端连接本振源，其另一端连接滤波器Z1，滤波器Z1的另一端连接混频器M1。其中滤波器Z1为低通滤波器，是为了容许低于截止频率的洗号通过，这样高于截止频率的信号不能通过便保证了本正源信号的纯净性，有效减少混频后的杂波。在本振源的信号与外部中频信号到达混频器M1后进行混频。之后，在第一本振电路与第二本振电路的连线通路中，还设有依次连接的带通滤波器Z与放大器P4，带通滤波器Z的一端连接混频器M1，另一端连接放大器P4；放大器P4的另一端连接第二本振电路中的混频器M2。专利技术人在实际的研究与设计中，考虑到带通滤波器是一个允许特定频段的波通过，同时屏蔽其他频段的设备，将其放本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种调高混频的波段上变频电路，其特征在于，包括：第一本振电路、第二本振电路与变频电路；所述第一本振电路的输入端用于接收输入的第一本振信号，所述第一本振电路的输出端与所述第二本振的输入端连接，所述第二本振电路的输出端与所述变频电路的输入端连接；所述第一本振电路包括混频器M1、滤波器Z1与放大器P1；所述第二本振电路包括混频器M2、滤波器Z2与放大器P2；所述变频电路包括放大器P3与耦合器。2.根据权利要求1所述的一种调高混频的波段上变频电路，其特征在于，所述第一本振电路的输入还连接有衰减器，外部中频输入信号通过所述衰减器输入到混频器M1中。3.根据权利要求2所述的一种调高混频的波段上变频电路，其特征在于，在所述第一本振电路中，所述放大器P1的一端连接本振源，其另一端连接滤波器Z1，滤波器Z1的另一端连接混频器M1。4.根据权利要求3所述的一种调高混频的波段上变频电路，其特征在于，所述第一本振电路与第二本振电路的连线通路中，还设有依次连接的带通滤波器Z与放大器P4，带通滤波器Z的一端连接混频器M1，...

【专利技术属性】
技术研发人员：王江川，吴小平，
申请(专利权)人：成都蓉微微波电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：