一种电弧蒸发装置，包括阴极弧蒸发源、气体管道、第一磁场装置、第二磁场装置以及第三磁场装置。阴极弧蒸发源的表面包括环状凹槽结构。环状凹槽结构限制阴极弧弧斑的移动并容纳靶材液滴。气体管道嵌入阴极弧蒸发源。气体管道的管道出口设置在环状凹槽结构中。第一磁场装置设置于阴极弧蒸发源的第一侧并环绕所述气体管道，并且经配置以产生第一磁场。第二磁场装置设置于阴极弧蒸发源的第一侧并环绕第一磁场装置设置，并且经配置以产生第二磁场。第三磁场装置环绕阴极弧蒸发源、第一磁场装置和第二磁场装置设置，并且经配置以产生第三磁场。第一磁场和第二磁场的磁场方向相反，第一磁场和第三磁场的磁场方向相同。磁场和第三磁场的磁场方向相同。磁场和第三磁场的磁场方向相同。
【技术实现步骤摘要】
电弧蒸发装置
[0001]本申请涉及一种装置，详细来说，是有关于一种电弧蒸发装置。
技术介绍
[0002]在现有的电弧蒸发装置中，当在对待加工工件进行镀膜工艺时，电弧蒸发装置的阴极弧蒸发源的靶面金属离化后，会使得等离子体在靶面电磁场做螺旋线运动，以在待加工工件表面形成膜层。但是在等离子体形成过程中，弧斑跑动不够迅速，弧斑在靶面停留时间过长，导致部分熔池温度过高并产生大量中性液体颗粒。液体颗粒会在涂层表面形成贯穿颗粒并容易影响涂层性能。
技术实现思路
[0003]有鉴于此，本申请提供一种电弧蒸发装置来解决上述问题。
[0004]依据本申请的一实施例，提供一种电弧蒸发装置。所述电弧蒸发装置包括阴极弧蒸发源、气体管道、第一磁场装置、第二磁场装置以及第三磁场装置。所述阴极弧蒸发源的表面包括环状凹槽结构。所述环状凹槽结构经配置以限制阴极弧弧斑的移动并容纳靶材液滴。所述气体管道嵌入所述阴极弧蒸发源。所述气体管道的管道出口设置在所述环状凹槽结构中。所述第一磁场装置设置于所述阴极弧蒸发源的第一侧并环绕所述气体管道。所述第一磁场装置经配置以产生第一磁场。所述第二磁场装置设置于所述阴极弧蒸发源的所述第一侧并环绕所述第一磁场装置设置。所述第二磁场装置经配置以产生第二磁场。所述第三磁场装置环绕所述阴极弧蒸发源、所述第一磁场装置和所述第二磁场装置设置。所述第三磁场装置经配置以产生第三磁场。所述第一磁场和所述第二磁场的磁场方向相反，所述第一磁场和所述第三磁场的磁场方向相同。
[0005]依据本申请的一实施例，所述气体管道的管道出口开设在所述环状凹槽结构的封闭圆环的内侧壁。
[0006]依据本申请的一实施例，所述气体管道的管道出口在所述环状凹槽结构的封闭圆环的内侧壁形成环形出气槽。
[0007]依据本申请的一实施例，所述气体管道的管道出口在所述环状凹槽结构的封闭圆环的内侧壁形成相对于所述环状凹槽结构的中轴对称分布的多点出气孔。
[0008]依据本申请的一实施例，所述气体管道还包括第一气管。所述第一气管连接至外部气体源。所述第一气管贯穿所述第一磁场装置并延伸至所述阴极弧蒸发源内。
[0009]依据本申请的一实施例，所述气体管道还包括第二气管。所述第二气管在所述阴极弧蒸发源内延伸。所述第二气管的一端连接至所述第一气管，所述第二气管的另一端连通所述气体管道的管道出口。
[0010]依据本申请的一实施例，所述第二气管在所述阴极弧蒸发源内放射状地连通至所述管道出口。
[0011]依据本申请的一实施例，所述环状凹槽结构包括U型槽。
[0012]依据本申请的一实施例，所述第一磁场装置和所述第二磁场装置靠近所述阴极弧蒸发源的一端共平面。
[0013]依据本申请的一实施例，所述第一磁场装置包括环状永磁铁或排布成环状结构的多个柱状磁铁。
[0014]依据本申请的一实施例，所述第二磁场装置包括环形永磁铁或排布成环状结构的多个柱状磁铁。
[0015]依据本申请的一实施例，所述第三磁场装置的一端与所述阴极弧蒸发源的所述表面共平面。
[0016]依据本申请的一实施例，所述第三磁场装置包括环形线圈。
[0017]依据本申请的一实施例，所述环形线圈经配置以加载直流电源提供的可变电流。
附图说明
[0018]附图是用来提供对本申请的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本申请，但并不构成对本申请的限制。在附图中：
[0019]图1演示依据本申请一实施例之电弧蒸发装置的方块示意图。
[0020]图2演示依据本申请一实施例之电弧蒸发装置的部分示意图。
[0021]图3演示依据本申请一实施例之阴极弧蒸发源的前视视图。
[0022]图4A和图4B分别演示依据本申请一实施例的电弧蒸发装置的操作示意图。
[0023]图5演示依据本申请一实施例的管道出口在环状凹槽结构的封闭圆环的内侧壁的示意图。
[0024]图6演示依据本申请另一实施例的管道出口在环状凹槽结构的封闭圆环的内侧壁的示意图。
[0025]图7演示依据本申请一实施例的第二气管的俯视视图。
具体实施方式
[0026]以下揭示内容提供了多种实施方式或例示，其能用以实现本揭示内容的不同特征。下文所述之组件与配置的具体例子系用以简化本揭示内容。当可想见，这些叙述仅为例示，其本意并非用于限制本揭示内容。举例来说，在下文的描述中，将一第一特征形成于一第二特征上或之上，可能包括某些实施例其中所述的第一与第二特征彼此直接接触；且也可能包括某些实施例其中还有额外的组件形成于上述第一与第二特征之间，而使得第一与第二特征可能没有直接接触。此外，本揭示内容可能会在多个实施例中重复使用组件符号和/或标号。此种重复使用乃是基于简洁与清楚的目的，且其本身不代表所讨论的不同实施例和/或组态之间的关系。
[0027]再者，在此处使用空间上相对的词汇，譬如「之下」、「下方」、「低于」、「之上」、「上方」及与其相似者，可能是为了方便说明图中所绘示的一组件或特征相对于另一或多个组件或特征之间的关系。这些空间上相对的词汇其本意除了图中所绘示的方位之外，还涵盖了装置在使用或操作中所处的多种不同方位。可能将所述设备放置于其他方位(如，旋转90度或处于其他方位)，而这些空间上相对的描述词汇就应该做相应的解释。
[0028]虽然用以界定本申请较广范围的数值范围与参数皆是约略的数值，此处已尽可能
精确地呈现具体实施例中的相关数值。然而，任何数值本质上不可避免地含有因个别测试方法所致的标准偏差。在此处，「约」通常系指实际数值在一特定数值或范围的正负10％、5％、1％或0.5％之内。或者是，「约」一词代表实际数值落在平均值的可接受标准误差之内，视本申请所属
中具有通常知识者的考虑而定。当可理解，除了实验例之外，或除非另有明确的说明，此处所用的所有范围、数量、数值与百分比(例如用以描述材料用量、时间长短、温度、操作条件、数量比例及其他相似者)均经过「约」的修饰。因此，除非另有相反的说明，本说明书与附随权利要求书所揭示的数值参数皆为约略的数值，且可视需求而更动。至少应将这些数值参数理解为所指出的有效位数与套用一般进位法所得到的数值。在此处，将数值范围表示成由一端点至另一端点或介于二端点之间；除非另有说明，此处所述的数值范围皆包括端点。
[0029]图1演示依据本申请一实施例之电弧蒸发装置1的方块示意图。在某些实施例中，电弧蒸发装置1用于对待加工工件(例如但不限于刀具)进行镀膜工艺。在某些实施例中，电弧蒸发装置1包括阴极弧蒸发源10、气体管道100、第一磁场装置11、第二磁场装置12和第三磁场装置13。在某些实施例中，阴极弧蒸发源10的表面包括环状凹槽结构。在某些实施例中，所述环状凹槽结构经配置以限制阴极弧弧斑的移动并容纳靶材液滴。在某些实施例中，气体管道100嵌入阴极弧蒸发源10。在某些实施例中，气体管道100的管道出口设置在所述环状凹槽结构中本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种电弧蒸发装置，其特征在于，包括：阴极弧蒸发源，其中所述阴极弧蒸发源的表面包括环状凹槽结构，所述环状凹槽结构经配置以限制阴极弧弧斑的移动并容纳靶材液滴；气体管道，嵌入所述阴极弧蒸发源，所述气体管道的管道出口设置在所述环状凹槽结构中；第一磁场装置，设置于所述阴极弧蒸发源的第一侧并环绕所述气体管道，经配置以产生第一磁场；第二磁场装置，设置于所述阴极弧蒸发源的所述第一侧并环绕所述第一磁场装置设置，经配置以产生第二磁场；以及第三磁场装置，环绕所述阴极弧蒸发源、所述第一磁场装置和所述第二磁场装置设置，经配置以产生第三磁场；其中所述第一磁场和所述第二磁场的磁场方向相反，所述第一磁场和所述第三磁场的磁场方向相同。2.如权利要求1所述的电弧蒸发装置，其特征在于，所述气体管道的管道出口开设在所述环状凹槽结构的封闭圆环的内侧壁。3.如权利要求2所述的电弧蒸发装置，其特征在于，所述气体管道的管道出口在所述环状凹槽结构的封闭圆环的内侧壁形成环形出气槽。4.如权利要求2所述的电弧蒸发装置，其特征在于，所述气体管道的管道出口在所述环状凹槽结构的封闭圆环的内侧壁形成相对于所述环状凹槽结构的中轴对称分布的多点出气孔。5.如权利要求2
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4任意一项所述的电弧蒸发装置，其特征在于，所述气体管道还包括：第一...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱国朝，刘琴铭，朱敏杰，袁安素，
申请(专利权)人：东莞瀚晶纳米材料有限公司，
类型：发明
国别省市：
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